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解決方案

IGBT驅(qū)動(dòng)光耦TLP250的應(yīng)用及注意事項(xiàng)[模擬設(shè)計(jì)][消費(fèi)電子]

在一般較低性能的三相電壓源逆變器中，各種與電流相關(guān) 的性能控制，通過檢測(cè) 直流母線上流入逆變橋的直流電流即可，如變頻器中的自動(dòng) 轉(zhuǎn) 矩補(bǔ) 償、轉(zhuǎn) 差率補(bǔ) 償等。同時(shí) ，這一檢測(cè) 結(jié) 果也可以用來完成對(duì) 逆變單元中 IGBT實(shí) 現(xiàn) 過流保護(hù) 等功能。因此在這種逆變器中，對(duì) IGBT驅(qū) 動(dòng) 電路的要求相對(duì) 比較簡單，成本也比較低。這種類型的驅(qū) 動(dòng) 芯片主要有東芝公司生產(chǎn) 的 TLP250，夏普公司生產(chǎn) 的 PC923等等。

發(fā)表于：8/22/2016 6:20:00 PM

IGBT的驅(qū)動(dòng)和過流保護(hù)電路的研究[模擬設(shè)計(jì)][消費(fèi)電子]

絕緣柵雙極晶體管(Insulated Gate Bipolar Tramistor，IGBT)是MOSFET與GTR的復(fù)合器件，因此，它既具有MOSFET的工作速度快、開關(guān)頻率高、輸入阻抗高、驅(qū)動(dòng)電路簡單、熱溫度性好的優(yōu)點(diǎn)，又包含了GTR的載流量大、阻斷電壓高等多項(xiàng)優(yōu)點(diǎn)．是取代GTR的理想開關(guān)器件。IGBT目前被廣泛使用的具有自關(guān)斷能力的器件，廣泛應(yīng)用于各類固態(tài)電源中。IGBT的工作狀態(tài)直接影響整機(jī)的性能，所以合理的驅(qū)動(dòng)電路對(duì)整機(jī)顯得很重要，但是如果控制不當(dāng)，它很容易損壞，其中一種就是發(fā)生過流而使IGBT損壞，本文主要研究了IGBT的驅(qū)動(dòng)和短路保護(hù)問題，就其工作原理進(jìn)行分析，設(shè)計(jì)出具有過流保護(hù)功能的驅(qū)動(dòng)電路，并進(jìn)行了仿真研究。

發(fā)表于：8/22/2016 6:10:00 PM

FPGA設(shè)計(jì)寶典之提高算法速度的六大絕招[可編程邏輯][其他]

面積和速度這兩個(gè)指標(biāo)貫穿著FPGA設(shè)計(jì)的始終,是設(shè)計(jì)質(zhì)量評(píng)價(jià)的終極標(biāo)準(zhǔn)?！懊娣e”：指一個(gè)設(shè)計(jì)所消耗的FPGA的邏輯資源數(shù)量。FPGA中的邏輯資源,也就是觸發(fā)器( FF)和查找表(LUT) ?！八俣取保菏侵冈O(shè)計(jì)結(jié)果在芯片上穩(wěn)定運(yùn)行時(shí)所能達(dá)到的最高頻率,這個(gè)頻率由設(shè)計(jì)的時(shí)序狀況決定。與設(shè)計(jì)滿足的時(shí)鐘周期、PAD to PAD Time、建立時(shí)間、保持時(shí)間和時(shí)鐘到輸出延時(shí)等眾多時(shí)序特征向量密切相關(guān)。

發(fā)表于：8/19/2016 3:39:00 PM

MOS晶體管[模擬設(shè)計(jì)][消費(fèi)電子]

金屬-氧化物-半導(dǎo)體(Metal-Oxide-SEMIconductor)結(jié)構(gòu)的晶體管簡稱MOS晶體管，有P型MOS管和N型MOS管之分。MOS管構(gòu)成的集成電路稱為MOS集成電路，而PMOS管和NMOS管共同構(gòu)成的互補(bǔ)型MOS集成電路即為CMOS-IC

發(fā)表于：8/19/2016 11:04:00 AM

P溝MOS晶體管[模擬設(shè)計(jì)][消費(fèi)電子]

?金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類， P溝道硅MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管在N型硅襯底上有兩個(gè)P+區(qū)，分別叫做源極和漏極，兩極之間不通導(dǎo)，柵極上加有足夠的正電壓(源極接地)時(shí)，柵極下的N型硅表面呈現(xiàn)P型反型層，成為連接源極和漏極的溝道。改變柵壓可以改變溝道中的電子密度，從而改變溝道的電阻。這種MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管稱為P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管。如果N型硅襯底表面不加?xùn)艍壕鸵汛嬖赑型反型層溝道，加上適當(dāng)?shù)钠珘?，可使溝道的電阻增大或減小。這樣的MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管稱為P溝道耗盡型場(chǎng)效應(yīng)晶體管。統(tǒng)稱為PMOS晶體管。

發(fā)表于：8/19/2016 10:44:00 AM

N溝MOS晶體管[模擬設(shè)計(jì)][消費(fèi)電子]

金屬-氧化物-半導(dǎo)體(Metal-Oxide-SemIConductor)結(jié)構(gòu)的晶體管簡稱MOS晶體管，有P型MOS管和N型MOS管之分。MOS管構(gòu)成的集成電路稱為MOS集成電路，而PMOS管和NMOS管共同構(gòu)成的互補(bǔ)型MOS集成電路即為CMOS-IC。由p型襯底和兩個(gè)高濃度n擴(kuò)散區(qū)構(gòu)成的MOS管叫作n溝道MOS管，該管導(dǎo)通時(shí)在兩個(gè)高濃度n擴(kuò)散區(qū)間形成n型導(dǎo)電溝道。n溝道增強(qiáng)型MOS管必須在柵極上施加正向偏壓，且只有柵源電壓大于閾值電壓時(shí)才有導(dǎo)電溝道產(chǎn)生的n溝道MOS管。n溝道耗盡型MOS管是指在不加?xùn)艍海旁措妷簽榱悖r(shí)，就有導(dǎo)電溝道產(chǎn)生的n溝道MOS管。

發(fā)表于：8/19/2016 10:25:00 AM

MOS晶體管[模擬設(shè)計(jì)][消費(fèi)電子]

金屬-氧化物-半導(dǎo)體(Metal-Oxide-SemIConductor)結(jié)構(gòu)的晶體管簡稱MOS晶體管，有P型MOS管和N型MOS管之分。MOS管構(gòu)成的集成電路稱為MOS集成電路，而PMOS管和NMOS管共同構(gòu)成的互補(bǔ)型MOS集成電路即為CMOS-IC

發(fā)表于：8/18/2016 6:46:00 PM

增強(qiáng)型MOS晶體管,增強(qiáng)型MOS晶體管是什么意思[模擬設(shè)計(jì)][消費(fèi)電子]

根據(jù)導(dǎo)電方式的不同，MOSFET又分增強(qiáng)型、耗盡型。所謂增強(qiáng)型是指：當(dāng)VGS=0時(shí)管子是呈截止?fàn)顟B(tài)，加上正確的VGS后，多數(shù)載流子被吸引到柵極，從而“增強(qiáng)”了該區(qū)域的載流子，形成導(dǎo)電溝道。

發(fā)表于：8/18/2016 6:28:00 PM

什么是耗盡型MOS晶體管[模擬設(shè)計(jì)][消費(fèi)電子]

據(jù)導(dǎo)電方式的不同，MOSFET又分增強(qiáng)型、耗盡型。耗盡型是指，當(dāng)VGS=0時(shí)即形成溝道，加上正確的VGS時(shí)，能使多數(shù)載流子流出溝道，因而“耗盡”了載流子，使管子轉(zhuǎn)向截止。耗盡型MOS場(chǎng)效應(yīng)管，是在制造過程中，預(yù)先在SiO2絕緣層中摻入大量的正離子，因此，在UGS=0時(shí)，這些正離子產(chǎn)生的電場(chǎng)也能在P型襯底中“感應(yīng)”出足夠的電子，形成N型導(dǎo)電溝道。

發(fā)表于：8/18/2016 6:08:00 PM

最新耐用型大功率LDMOS晶體管耐用測(cè)試及應(yīng)用類型[模擬設(shè)計(jì)][消費(fèi)電子]

目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時(shí)候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對(duì)特高耐用性設(shè)計(jì)的器件可以承受嚴(yán)重的失配，即使在滿輸出電平時(shí)也是如此。現(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體（LDMOS）晶體管，這種產(chǎn)品能夠承受相當(dāng)于65.0:1的電壓駐波比（VSWR）的負(fù)載失配。但這些晶體管真的無懈可擊嗎？這種耐用性適用于哪些類型的應(yīng)用？本報(bào)告將介紹一些最新的耐用型大功率LDMOS晶體管以及它們的電氣特性，并通過比較測(cè)試過程來判斷它們的耐用水平。

發(fā)表于：8/18/2016 6:00:00 PM