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解決方案

老式晶體管收音機電路[模擬設(shè)計][消費電子]

老式晶體管收音機電路中L1和L2的繞線是直徑為4形式為10的24號線，其匝數(shù)是200?？梢杂玫絇VC管。老式晶體管收音機電路:

發(fā)表于：8/22/2016 6:33:00 PM

絕緣柵雙極晶體管[模擬設(shè)計][消費電子]

絕緣柵雙極晶體管（Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT）綜合了電力晶體管（Giant Transistor—GTR）和電力場效應(yīng)晶體管（Power MOSFET）的優(yōu)點，具有良好的特性，應(yīng)用領(lǐng)域很廣泛；IGBT也是三端器件：柵極，集電極和發(fā)射極

發(fā)表于：8/22/2016 6:29:00 PM

絕緣柵雙極晶體管(IGBT),IGBT是什么意思[模擬設(shè)計][消費電子]

IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)是MOS結(jié)構(gòu)雙極器件，屬于具有功率MOSFET的高速性能與雙極的低電阻性能的功率器件。IGBT的應(yīng)用范圍一般都在耐壓600V以上、電流10A以上、頻率為1kHz以上的區(qū)域。多使用在工業(yè)用電機、民用小容量電機、變換器（逆變器）、照像機的頻閃觀測器、感應(yīng)加熱（InductionHeating）電飯鍋等領(lǐng)域。

發(fā)表于：8/22/2016 6:27:00 PM

IGBT驅(qū)動光耦TLP250的應(yīng)用及注意事項[模擬設(shè)計][消費電子]

在一般較低性能的三相電壓源逆變器中，各種與電流相關(guān) 的性能控制，通過檢測直流母線上流入逆變橋的直流電流即可，如變頻器中的自動轉(zhuǎn) 矩補償、轉(zhuǎn) 差率補償等。同時，這一檢測結(jié) 果也可以用來完成對逆變單元中 IGBT實現(xiàn) 過流保護等功能。因此在這種逆變器中，對 IGBT驅(qū) 動電路的要求相對比較簡單，成本也比較低。這種類型的驅(qū) 動芯片主要有東芝公司生產(chǎn) 的 TLP250，夏普公司生產(chǎn) 的 PC923等等。

發(fā)表于：8/22/2016 6:20:00 PM

IGBT的驅(qū)動和過流保護電路的研究[模擬設(shè)計][消費電子]

絕緣柵雙極晶體管(Insulated Gate Bipolar Tramistor，IGBT)是MOSFET與GTR的復合器件，因此，它既具有MOSFET的工作速度快、開關(guān)頻率高、輸入阻抗高、驅(qū)動電路簡單、熱溫度性好的優(yōu)點，又包含了GTR的載流量大、阻斷電壓高等多項優(yōu)點．是取代GTR的理想開關(guān)器件。IGBT目前被廣泛使用的具有自關(guān)斷能力的器件，廣泛應(yīng)用于各類固態(tài)電源中。IGBT的工作狀態(tài)直接影響整機的性能，所以合理的驅(qū)動電路對整機顯得很重要，但是如果控制不當，它很容易損壞，其中一種就是發(fā)生過流而使IGBT損壞，本文主要研究了IGBT的驅(qū)動和短路保護問題，就其工作原理進行分析，設(shè)計出具有過流保護功能的驅(qū)動電路，并進行了仿真研究。

發(fā)表于：8/22/2016 6:10:00 PM

FPGA設(shè)計寶典之提高算法速度的六大絕招[可編程邏輯][其他]

面積和速度這兩個指標貫穿著FPGA設(shè)計的始終,是設(shè)計質(zhì)量評價的終極標準?！懊娣e”：指一個設(shè)計所消耗的FPGA的邏輯資源數(shù)量。FPGA中的邏輯資源,也就是觸發(fā)器( FF)和查找表(LUT) ?！八俣取保菏侵冈O(shè)計結(jié)果在芯片上穩(wěn)定運行時所能達到的最高頻率,這個頻率由設(shè)計的時序狀況決定。與設(shè)計滿足的時鐘周期、PAD to PAD Time、建立時間、保持時間和時鐘到輸出延時等眾多時序特征向量密切相關(guān)。

發(fā)表于：8/19/2016 3:39:00 PM

MOS晶體管[模擬設(shè)計][消費電子]

金屬-氧化物-半導體(Metal-Oxide-SEMIconductor)結(jié)構(gòu)的晶體管簡稱MOS晶體管，有P型MOS管和N型MOS管之分。MOS管構(gòu)成的集成電路稱為MOS集成電路，而PMOS管和NMOS管共同構(gòu)成的互補型MOS集成電路即為CMOS-IC

發(fā)表于：8/19/2016 11:04:00 AM

P溝MOS晶體管[模擬設(shè)計][消費電子]

?金屬氧化物半導體場效應(yīng)(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類， P溝道硅MOS場效應(yīng)晶體管在N型硅襯底上有兩個P+區(qū)，分別叫做源極和漏極，兩極之間不通導，柵極上加有足夠的正電壓(源極接地)時，柵極下的N型硅表面呈現(xiàn)P型反型層，成為連接源極和漏極的溝道。改變柵壓可以改變溝道中的電子密度，從而改變溝道的電阻。這種MOS場效應(yīng)晶體管稱為P溝道增強型場效應(yīng)晶體管。如果N型硅襯底表面不加柵壓就已存在P型反型層溝道，加上適當?shù)钠珘?，可使溝道的電阻增大或減小。這樣的MOS場效應(yīng)晶體管稱為P溝道耗盡型場效應(yīng)晶體管。統(tǒng)稱為PMOS晶體管。

發(fā)表于：8/19/2016 10:44:00 AM

N溝MOS晶體管[模擬設(shè)計][消費電子]

金屬-氧化物-半導體(Metal-Oxide-SemIConductor)結(jié)構(gòu)的晶體管簡稱MOS晶體管，有P型MOS管和N型MOS管之分。MOS管構(gòu)成的集成電路稱為MOS集成電路，而PMOS管和NMOS管共同構(gòu)成的互補型MOS集成電路即為CMOS-IC。由p型襯底和兩個高濃度n擴散區(qū)構(gòu)成的MOS管叫作n溝道MOS管，該管導通時在兩個高濃度n擴散區(qū)間形成n型導電溝道。n溝道增強型MOS管必須在柵極上施加正向偏壓，且只有柵源電壓大于閾值電壓時才有導電溝道產(chǎn)生的n溝道MOS管。n溝道耗盡型MOS管是指在不加柵壓（柵源電壓為零）時，就有導電溝道產(chǎn)生的n溝道MOS管。

發(fā)表于：8/19/2016 10:25:00 AM

MOS晶體管[模擬設(shè)計][消費電子]

金屬-氧化物-半導體(Metal-Oxide-SemIConductor)結(jié)構(gòu)的晶體管簡稱MOS晶體管，有P型MOS管和N型MOS管之分。MOS管構(gòu)成的集成電路稱為MOS集成電路，而PMOS管和NMOS管共同構(gòu)成的互補型MOS集成電路即為CMOS-IC

發(fā)表于：8/18/2016 6:46:00 PM