解決方案 芯片里面有幾千萬的晶體管是怎么實現(xiàn)的？[模擬設(shè)計][消費電子] 1. 當前CPU上的晶體管已經(jīng)遠遠不是千萬級別的概念，而是數(shù)個billion。 2. 目前最先進的制程工藝是Intel 剛剛公布的14nm工藝，F(xiàn)in Pitch小于 50nm，可以說是技術(shù)上的一個飛躍了。關(guān)于所謂的14nm，實際只能初略的反映工藝的一個技術(shù)節(jié)點，真正的溝道長度要比14nm要長一些。 發(fā)表于：8/16/2016 8:50:00 PM 晶體管出現(xiàn)的意義[模擬設(shè)計][消費電子] 晶體管的出現(xiàn)，是電子技術(shù)之樹上綻開的一朵絢麗多彩的奇葩。 同電子管相比，晶體管具有諸多優(yōu)越性： ?、倬w管的構(gòu)件是沒有消耗的。無論多么優(yōu)良的電子管，都將因陰極原子的變化和慢性漏氣而逐漸劣化。由于技術(shù)上的原因，晶體管制作之初也存在同樣的問題。隨著材料制作上的進步以及多方面的改善，晶體管的壽命一般比電子管長100到1000倍，稱得起永久性器件的美名。 發(fā)表于：8/16/2016 8:44:00 PM 晶體管工作原理是什么?[模擬設(shè)計][消費電子] 利用半導(dǎo)體的特性，每個管子工作原理個不同，你可以找機電方面的書看 下圖中的S是指源極(Source)，D是指漏極(Drain)，G是柵極(Gate)。晶體管的工作原理其實很簡單，就是用兩個狀態(tài)表示二進制的“0”和“1”。 發(fā)表于：8/16/2016 8:42:00 PM 晶體管或穩(wěn)壓器并聯(lián)后可以取消散熱器[模擬設(shè)計][消費電子] 雙極結(jié)型晶體管(BJT)看起來像老式的電子元件，但由于具有低成本和卓越參數(shù)的優(yōu)點，它們可以解決許多問題。我們可以發(fā)現(xiàn)過去由于這些元件太高成本而不可能實現(xiàn)的新應(yīng)用，比如我們可以在某些情況下用多個并聯(lián)的小功率晶體管替代更大功率的晶體管(帶或不帶散熱器)，并從中收獲諸多好處。 發(fā)表于：8/16/2016 8:35:00 PM 一個小型晶體管開關(guān)電路的應(yīng)用[模擬設(shè)計][消費電子] Q3是一個PNP型開關(guān)，此開關(guān)控制另一PNP型開關(guān)Q4，Q5是另一NPN型開關(guān)，與本文無關(guān)。 實驗是想研究Q3偏置電阻對Q4導(dǎo)通情況的影響。電路的設(shè)計需求是Q3導(dǎo)通Q4截止，反之亦然。然而可能在Q3導(dǎo)通而VCE較大時，Q4也隨之導(dǎo)通。這種情況在Q3負載電容R29固定時，往往是由R27取特定范圍值導(dǎo)致的。在PSpice中做個DC掃描，R27從100k變化到10M，結(jié)果發(fā)現(xiàn)Q3確實不用完全關(guān)斷Q4就導(dǎo)通了，而且R29的電流不會降低太多，也就是R29的分壓沒降低多少Q(mào)4即可導(dǎo)通，此時Q3對R29分壓影響迅速降低，Q4開始保持R29的分壓。這個電路的問題在于Q3對Q4的開關(guān)界限不夠明顯，在R27取值合適的情況下，比如要么小于2M要么大于3M，電路沒有問題，否則會導(dǎo)致之前所擔憂的情況。 發(fā)表于：8/16/2016 8:30:00 PM 場效應(yīng)晶體管的幾點使用技巧[模擬設(shè)計][消費電子] 我們常接觸到晶體三級管，對它的使用也比較熟悉，相對來說對晶體場效應(yīng)管就陌生一點，但是，由于場效應(yīng)管有其獨特的優(yōu)點，例輸入阻抗高，噪聲低，熱穩(wěn)定性好等，在我們的使用中也是屢見不鮮。我們知道場效應(yīng)晶體管的種類很多，根據(jù)結(jié)構(gòu)不同分為結(jié)型場效應(yīng)管和絕緣柵型場效應(yīng)管;絕緣柵型場效應(yīng)管又稱為金屬氧化物導(dǎo)體場效應(yīng)管，或簡稱MOS場效應(yīng)管. 發(fā)表于：8/16/2016 8:19:00 PM 激光技術(shù)用于可穿戴顯示器的薄膜晶體管[模擬設(shè)計][消費電子] OFweek可穿戴設(shè)備網(wǎng)訊 韓國科學技術(shù)學院(KAIST)材料科學與工程系的KeonJaeLee和Sang-HeeKoPark教授領(lǐng)導(dǎo)的一個研究小組采用無機激光剝離法開發(fā)了用于柔性顯示器有源矩陣背板的超薄透明氧化物薄膜晶體管(TFT)。 發(fā)表于：8/16/2016 8:14:00 PM 學好嵌入式系統(tǒng)電路入門之——二極管/晶體管/FET[模擬設(shè)計][消費電子] 導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間的物質(zhì) - 半導(dǎo)體 硅和鍺是位于銀、鋁等導(dǎo)體和石英、陶瓷等絕緣體之間，用于制造半導(dǎo)體器件的原材料，具有一定電阻率。不同的物質(zhì)其產(chǎn)生的不同電阻率是由于可移動的電子量不同引起的。這種可移動電子叫“自由電子”。一般我們把可以通過向其摻入雜質(zhì)來改變自由電子的數(shù)量，并可控制電流動的物質(zhì)稱為半導(dǎo)體。 發(fā)表于：8/16/2016 10:14:00 AM 回顧晶體管歷史歲月[模擬設(shè)計][消費電子] 1947年12月16日：威廉·邵克雷（William Shockley）、約翰·巴頓（John Bardeen）和沃特·布拉頓（Walter Brattain）成功地在貝爾實驗室制造出第一個晶體管。 1950年：威廉·邵克雷開發(fā)出雙極晶體管（Bipolar Junction Transistor），這是現(xiàn)在通行的標準的晶體管。 1953年：第一個采用晶體管的商業(yè)化設(shè)備投入市場，即助聽器。 發(fā)表于：8/15/2016 7:31:00 PM 晶體管的分類及重要性[模擬設(shè)計][消費電子] 電力晶體管 電力晶體管按英文Giant Transistor直譯為巨型晶體管，是一種耐高電壓、大電流的雙極結(jié)型晶體管（Bipolar Junction Transistor—BJT），所以有時也稱為Power BJT；其特性有：耐壓高，電流大，開關(guān)特性好，但驅(qū)動電路復(fù)雜，驅(qū)動功率大；GTR和普通雙極結(jié)型晶體管的工作原理是一樣的。 發(fā)表于：8/15/2016 7:29:00 PM ?…219220221222223224225226227228…?
