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晶體管穩(wěn)壓電路圖[模擬設(shè)計(jì)][消費(fèi)電子]

晶體管穩(wěn)壓電路圖

發(fā)表于:8/22/2016 6:57:00 PM

簡(jiǎn)易晶體管小功放電路[模擬設(shè)計(jì)][消費(fèi)電子]

簡(jiǎn)易晶體管小功放電路

發(fā)表于:8/22/2016 6:56:00 PM

簡(jiǎn)易晶體管OCL功放電路圖[模擬設(shè)計(jì)][消費(fèi)電子]

簡(jiǎn)易晶體管OCL功放電路圖 調(diào)試方法調(diào)試前照例要檢查一下元器件.安裝和焊接是否正確可靠。特別要注意二極管、三極管、電解電容極性有無(wú)裝反,大功率管與散熱支架間絕緣是否良好。簡(jiǎn)易晶體管OCL功放電路圖:

發(fā)表于:8/22/2016 6:54:00 PM

晶體管轉(zhuǎn)速計(jì)原理圖[模擬設(shè)計(jì)][消費(fèi)電子]

晶體管轉(zhuǎn)速計(jì)原理圖

發(fā)表于:8/22/2016 6:52:00 PM

PNP晶體管共發(fā)共集電路[模擬設(shè)計(jì)][消費(fèi)電子]

PNP晶體管共發(fā)共集電路

發(fā)表于:8/22/2016 6:50:00 PM

簡(jiǎn)易晶體管測(cè)試儀電路圖[模擬設(shè)計(jì)][消費(fèi)電子]

簡(jiǎn)易晶體管測(cè)試儀電路圖

發(fā)表于:8/22/2016 6:49:00 PM

判別端子的晶體管測(cè)試儀[模擬設(shè)計(jì)][消費(fèi)電子]

圖1中的簡(jiǎn)單晶體管測(cè)試儀可以判斷出晶體管的類型,并且能幫助檢測(cè)出晶體管的發(fā)射極、集電極和基極。其方法是檢查被測(cè)晶體管三個(gè)端子T1、T2和T3之間流過(guò)的各種可能電流方向的組合。

發(fā)表于:8/22/2016 6:41:00 PM

老式晶體管收音機(jī)電路[模擬設(shè)計(jì)][消費(fèi)電子]

老式晶體管收音機(jī)電路中L1和L2的繞線是直徑為4形式為10的24號(hào)線,其匝數(shù)是200??梢杂玫絇VC管。老式晶體管收音機(jī)電路:

發(fā)表于:8/22/2016 6:33:00 PM

絕緣柵雙極晶體管[模擬設(shè)計(jì)][消費(fèi)電子]

絕緣柵雙極晶體管(Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT)綜合了電力晶體管(Giant Transistor—GTR)和電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Power MOSFET)的優(yōu)點(diǎn),具有良好的特性,應(yīng)用領(lǐng)域很廣泛;IGBT也是三端器件:柵極,集電極和發(fā)射極

發(fā)表于:8/22/2016 6:29:00 PM

絕緣柵雙極晶體管(IGBT),IGBT是什么意思[模擬設(shè)計(jì)][消費(fèi)電子]

IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)是MOS結(jié)構(gòu)雙極器件,屬于具有功率MOSFET的高速性能與雙極的低電阻性能的功率器件。IGBT的應(yīng)用范圍一般都在耐壓600V以上、電流10A以上、頻率為1kHz以上的區(qū)域。多使用在工業(yè)用電機(jī)、民用小容量電機(jī)、變換器(逆變器)、照像機(jī)的頻閃觀測(cè)器、感應(yīng)加熱(InductionHeating)電飯鍋等領(lǐng)域。

發(fā)表于:8/22/2016 6:27:00 PM

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