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恩智浦將關閉ECHO Fab晶圓廠 退出氮化鎵5G PA芯片制造
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九峰山實驗室最新成果一年可為超大型AI算力中心省3億度電
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美國ITC公布英飛凌起訴英諾賽科“337調查”初步結果！
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第三代半導體突破供電瓶頸 有望在AI數(shù)據(jù)中心領域廣泛應用
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格羅方德與臺積電簽屬引進氮化鎵生產技術授權協(xié)議
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2036年全球車用功率半導體市場將達420億美元
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多通道大功率氮化鎵T/R組件模塊散熱技術研究
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消息稱臺積電整合8英寸舊廠轉向自研EUV薄膜
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X波段60 W高功率高效率功率放大器設計
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英諾賽科股價大漲背后的GaN專利大戰(zhàn)
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英諾賽科成英偉達800V架構唯一中國供應商
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英飛凌四季度向客戶提供首批12英寸氮化鎵樣品
發(fā)表于：7/4/2025 12:59:52 PM
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臺積電計劃兩年后停止氮化鎵晶圓生產
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瑞薩電子悄然放緩未來十年增長預期
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60余家頭部廠商助力新能源/AI服務器電源一站選型
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MIT新3D半導體工藝探索突破摩爾定律新路徑
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英飛凌推出用于高壓應用的EasyPACK? CoolGaN? 功率模塊
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電子科技大學發(fā)布全球首個氮化鎵量子光源芯片
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馬自達與羅姆啟動車用氮化鎵功率器件聯(lián)合開發(fā)
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意法半導體與英諾賽科簽署氮化鎵技術開發(fā)與制造協(xié)議
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英諾賽科AI及數(shù)據(jù)中心芯片交付量同比暴漲669.8%
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九峰山實驗室氮化鎵材料制備領域新突破
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GaN功率器件怎樣最大提升LiDAR傳感器性能
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CGD 官宣突破100KW以上技術
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2030年全球化合物半導體市場將達250億美元
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CGD 獲得3,200萬美元融資，以推動在全球功率半導體領域的增長
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英諾賽科起訴英飛凌專利侵權
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英諾賽科今日上市：氮化鎵龍頭成長動力充足
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英諾賽科今日在港招股 氮化鎵功率半導體新星升起
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英諾賽科宣布氮化鎵分立器件累計出貨8.5億顆
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