為支持高功耗高性能AI計算日益增長的需求，碳化硅襯底逐漸被用于AI數(shù)據(jù)中心電源供應單元的交直流轉(zhuǎn)換階段。

降低能耗、改進散熱解決方案并提升服務器的功率密度，打開了碳化硅產(chǎn)品的應用領域和天花板。

AI服務器功耗高，數(shù)據(jù)中心需要使用更高功率的供電架構(gòu)。

為了應對更高端的AI運算，服務器供電系統(tǒng)各環(huán)節(jié)的效能、功率密度需要進一步提高。

SiC/GaN等第三代半導體材料具有高擊穿電場、高遷移率等特點，允許材料在更高的溫度和電壓下運行，降低能耗和成本。

目前頭部廠商正在持續(xù)推動SiC/GaN在AI數(shù)據(jù)中心領域應用。

東方證券指出，展望未來，在AI服務器及數(shù)據(jù)中心的大功率供電需求不斷提升的趨勢下，SiC/GaN有望得到更廣泛的應用。

相關上市公司中：

天岳先進表示，公司的客戶英飛凌、安森美已成功進入英偉達等行業(yè)巨頭的供應鏈，成為AI算力基礎設施的重要組成部分。

三安光電的碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈包括晶體生長—襯底制備—外延生長—芯片制程—封裝測試，產(chǎn)品已廣泛應用于新能源汽車、光伏儲能、充電樁、AI及數(shù)據(jù)中心服務器等領域。