3DNAND 相關(guān)文章(55篇)

三星3D NAND閃存工藝取得重大突破
發(fā)表于：2024/11/27 11:02:05
NEO半導(dǎo)體推出3D X-AI芯片
發(fā)表于：2024/8/16 10:10:25
鎧俠目標(biāo)2027年3D NAND閃存實(shí)現(xiàn)1000層堆疊
發(fā)表于：2024/6/28 8:55:00
長江存儲起訴美光資助的咨詢公司及其副總裁
發(fā)表于：2024/6/21 8:30:38
美光 1.5TB microSD 卡開始上市，采用 176 層 NAND 閃存
發(fā)表于：2023/2/8 6:31:35
長江存儲或?qū)⒃?024年退出3D NAND市場
發(fā)表于：2022/12/22 9:12:37
復(fù)享光學(xué)首次提出薄膜神經(jīng)網(wǎng)絡(luò) 3D NAND多層薄膜量測獲突破
發(fā)表于：2022/12/6 21:08:04
三星宣布，236層3D NAND量產(chǎn)
發(fā)表于：2022/11/7 11:55:37
SK海力士宣布在中國新建3D NAND工廠
發(fā)表于：2022/5/20 5:48:09
鎧俠將擴(kuò)建位于北上市的工廠，以提高3D NAND閃存產(chǎn)量
發(fā)表于：2022/3/23 22:08:14
鎧俠談3D NAND閃存技術(shù)的未來
發(fā)表于：2021/9/29 9:41:43
兼具高速率和安全性：儒卓力提供宇瞻科技超高速工業(yè)PCIeSSD產(chǎn)品 PV140-25
發(fā)表于：2021/6/9 23:52:34
183億美元！鎧俠擬斥巨資建造3D NAND工廠
發(fā)表于：2021/5/16 1:23:59
SK海力士預(yù)測存儲未來：3D NAND600層以上，DRAM10nm以下
發(fā)表于：2021/3/28 19:42:09
?SK海力士展示存儲未來：600層3D NAND，用EUV造DRAM
發(fā)表于：2021/3/25 13:54:12
外媒：長江存儲今年將超越三星、美光
發(fā)表于：2021/1/13 13:12:41
SK海力士發(fā)布176層3D NAND
發(fā)表于：2020/12/8 11:57:27
中國芯片制造突圍之路在哪長，江存儲楊士寧一語點(diǎn)破
發(fā)表于：2020/11/21 23:22:47
?TechInsights講述3D NAND閃存的發(fā)展方向
發(fā)表于：2020/11/19 10:02:24
上海新陽擬定增募資，8.15億元用于光刻膠項(xiàng)目
發(fā)表于：2020/11/4 6:24:41
投建3D NAND閃存主控芯片等項(xiàng)目，德明利創(chuàng)業(yè)板IPO獲受理
發(fā)表于：2020/10/17 10:20:09
泛林集團(tuán)推出先進(jìn)介電質(zhì)填隙技術(shù)，推動下一代器件的發(fā)展
發(fā)表于：2020/9/22 11:06:46
臺灣廠商大舉殺入3D NAND Flash市場
發(fā)表于：2020/5/19 11:23:31
2021年NAND Flash市場競爭加劇
發(fā)表于：2020/4/22 9:51:51
長江存儲宣布128層3D NAND閃存芯片研發(fā)成功
發(fā)表于：2020/4/13 11:15:00
內(nèi)存SSD大漲價為什么專家每次都說對了?
發(fā)表于：2020/2/25 18:26:05
憑借BiCS5 3D NAND技術(shù)，西部數(shù)據(jù)進(jìn)一步增強(qiáng)其存儲領(lǐng)域領(lǐng)導(dǎo)優(yōu)勢
發(fā)表于：2020/2/19 14:15:49
重大突破！中國首款64層3D NAND閃存量產(chǎn)
發(fā)表于：2019/9/2 16:24:42
長江存儲啟動64層3D NAND閃存量產(chǎn)
發(fā)表于：2019/9/2 9:04:57
2019年全球半導(dǎo)體將迎來復(fù)蘇的一年
發(fā)表于：2019/3/2 6:00:00

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