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泛林集團推出先進介電質填隙技術,推動下一代器件的發(fā)展

全新Striker® FE增強版原子層沉積平臺可解決3D NAND、DRAM和邏輯芯片制造商面臨的挑戰(zhàn)
2020-09-22
來源:泛林集團

上?!袢?,全球半導體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新晶圓制造設備及服務主要供應商泛林集團 (Nasdaq: LRCX) 宣布推出一款全新的工藝方案——先進的Striker? FE平臺——用于制造高深寬比的芯片架構。Striker FE平臺采用了業(yè)界首創(chuàng)的ICEFill?技術,以填充新節(jié)點下3D NAND、DRAM和邏輯存儲器的極端結構。不僅如此,該系統(tǒng)還具備更低的持續(xù)運行成本和更好的技術延展性,以滿足半導體產(chǎn)業(yè)技術路線圖的發(fā)展。

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全新的工藝方案——先進的Striker? FE平臺

半導體制造行業(yè)一直以來使用的填隙方法包括傳統(tǒng)的化學氣相沉積 (CVD)、擴散/熔爐和旋涂工藝。然而,由于這些技術需要在質量、收縮率和填充率之間權衡取舍,因此已無法滿足當前3D NAND的生產(chǎn)要求。相比之下,泛林集團的Striker ICEFill采用其獨有的表面改性技術,可以實現(xiàn)高選擇性自下而上及無縫的填隙,并保持原子層沉積 (ALD) 固有的成膜質量。 ICEFill技術能夠解決3D NAND器件普遍存在的高深寬比填隙面臨的限制,避免DRAM和邏輯器件結構倒塌的問題。

泛林集團高級副總裁兼沉積產(chǎn)品事業(yè)部總經(jīng)理Sesha Varadarajan表示:“我們致力于為客戶提供最好的ALD技術。在單一工藝系統(tǒng)中,這項技術不僅能夠以優(yōu)異的填隙性能生產(chǎn)高質量氧化膜,還整合了泛林集團行業(yè)領先的四位一體的模塊架構帶來的生產(chǎn)率優(yōu)勢。”

Striker FE平臺的ICEFill技術屬于泛林集團Striker ALD產(chǎn)品系列.

關于泛林集團

泛林集團(納斯達克股票代碼:LRCX)是全球半導體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新晶圓制造設備及服務主要供應商。作為全球領先半導體公司可信賴的合作伙伴,我們結合了卓越的系統(tǒng)工程能力、技術領導力,以及幫助客戶成功的堅定承諾,通過提高器件性能來加速半導體產(chǎn)業(yè)的創(chuàng)新。事實上,當今市場上幾乎每一顆先進的芯片都使用了泛林集團的技術。泛林集團是一家財富500強公司,總部位于美國加利福尼亞州弗里蒙特市,業(yè)務遍及世界各地。


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