2nm 相關(guān)文章(270篇)
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臺(tái)積電披露2nm關(guān)鍵指標(biāo)：引入納米片晶體管
發(fā)表于：6/3/2021 5:22:09 AM
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三巨頭3nm/2nm“大亂斗”
發(fā)表于：5/26/2021 2:56:12 PM
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再次極限！IBM搶先推出2nm工藝芯片
發(fā)表于：5/8/2021 5:08:30 AM
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大突破！IBM全球首發(fā)2nm制程芯片及制造技術(shù)
發(fā)表于：5/7/2021 2:24:59 PM
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臺(tái)積電最新進(jìn)展：2nm正在開發(fā)，3nm和4nm將在明年面世
發(fā)表于：4/28/2021 4:02:05 PM
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德國智庫：歐洲的2nm晶圓廠注定失敗
發(fā)表于：4/13/2021 9:46:20 AM
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日本的2nm雄心
發(fā)表于：3/24/2021 9:51:55 AM
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2nm開啟“團(tuán)戰(zhàn)”模式
發(fā)表于：3/9/2021 9:34:42 AM
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當(dāng)尺寸縮無可縮，拿什么突破2nm壁壘？
發(fā)表于：3/2/2021 4:15:39 PM
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歐洲20國希望建2nm晶圓廠，但是……
發(fā)表于：2/4/2021 9:40:43 AM
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臺(tái)積電3nm工廠年耗電量將達(dá)70億度 “缺電”或成最大威脅
發(fā)表于：12/30/2020 6:41:05 AM
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歐盟17國聯(lián)合研發(fā)2nm技術(shù)，美國半導(dǎo)體霸主地位恐不保
發(fā)表于：12/14/2020 6:45:29 PM
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未來將投2.7萬億給半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)！臺(tái)行政院副院長(zhǎng)：已在解決半導(dǎo)體未來4個(gè)世代投資所需用地和水電
發(fā)表于：11/23/2020 7:59:14 PM
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臺(tái)積電2nm工藝取得重大突，2023年試產(chǎn)
發(fā)表于：11/17/2020 9:04:00 PM
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中國臺(tái)灣：2024年或?qū)崿F(xiàn)2納米量產(chǎn)
發(fā)表于：10/10/2020 11:29:00 AM
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臺(tái)積電2nm工藝重大突破！
發(fā)表于：9/27/2020 2:04:12 PM
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臺(tái)積電擴(kuò)大2nm未來產(chǎn)能
發(fā)表于：9/27/2020 6:43:00 AM
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臺(tái)積電2nm工藝研發(fā)突破，或采用環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)
發(fā)表于：9/25/2020 6:16:00 AM
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臺(tái)積電2nm工藝獲重大突破！
發(fā)表于：9/23/2020 3:14:23 PM
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FinFET壽終正寢！臺(tái)積電2nm GAA工藝結(jié)束路徑探索階段
發(fā)表于：9/23/2020 6:27:30 AM
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三星彎道超車懸了！臺(tái)積電 2納米 GAA 已進(jìn)入交付研發(fā)，2023年試產(chǎn)
發(fā)表于：9/21/2020 2:49:36 PM
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臺(tái)積電2nm生產(chǎn)基地將落腳新竹
發(fā)表于：8/26/2020 2:01:29 PM
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100億買新廠、8000人攻關(guān)2nm，臺(tái)積電進(jìn)入無人之境
發(fā)表于：8/26/2020 7:24:00 AM
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中國臺(tái)灣：臺(tái)積電2nm大突破
發(fā)表于：7/14/2020 7:54:00 AM
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臺(tái)積電 2nm 制程研發(fā)取得突破，將切入 GAA 技術(shù)
發(fā)表于：7/13/2020 3:28:32 PM
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3nm/5nm已完工：臺(tái)積電加速推進(jìn)2nm
發(fā)表于：6/11/2020 6:02:21 AM
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臺(tái)積電回應(yīng)在美建2nm芯片工廠 尚在評(píng)估
發(fā)表于：3/17/2020 11:33:04 AM
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世界首個(gè)自對(duì)準(zhǔn)柵極的疊層垂直納米環(huán)柵晶體管
發(fā)表于：12/11/2019 9:06:00 AM
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臺(tái)積電2nm工藝正式官宣 2024年問世
發(fā)表于：9/19/2019 9:41:01 AM
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臺(tái)積電預(yù)計(jì)在臺(tái)灣新竹建2納米工廠
發(fā)表于：6/13/2019 8:15:00 AM
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