2月17日消息，ASML已經(jīng)向Intel交付第一臺(tái)高NA EUV極紫外光刻機(jī)，將用于2nm工藝以下芯片的制造，臺(tái)積電、三星未來也會(huì)陸續(xù)接收，可直達(dá)1nm工藝左右。

那么之后呢？消息稱，ASML正在研究下一代Hyper NA(超級(jí)NA)光刻機(jī)，繼續(xù)延續(xù)摩爾定律。

ASML第一代Low NA EUV光刻機(jī)只有0.33 NA(孔徑數(shù)值)，臨界尺寸(CD)為13.5nm，最小金屬間距為26nm，單次曝光下的內(nèi)連接間距約為25-30nm，適合制造4/5nm工藝。

使用雙重曝光，可將內(nèi)連接間距縮小到21-24nm，就能制造3nm工藝了，比如臺(tái)積電N3B。

第二代EUV光刻機(jī)提高到了0.55 NA，臨界尺寸縮小到8nm，金屬間距最小約為16nm，可制造3-1nm，比如Intel就透露會(huì)在1.4nm節(jié)點(diǎn)上首次使用。

ASML CTO Martin van den Brink在接受采訪時(shí)確認(rèn)，ASML正在調(diào)查開發(fā)Hyper NA技術(shù)，繼續(xù)推進(jìn)各項(xiàng)光刻指標(biāo)，其中NA數(shù)值將超過0.7，預(yù)計(jì)在2030年左右完成。

它表示，這種新型EUV光刻機(jī)適合制造邏輯處理器芯片，相比高NA雙重曝光成本更低，也可用來制造DRAM內(nèi)存芯片。

ASML已披露的數(shù)據(jù)顯示，低NA光刻機(jī)的成本至少1.83億美元，高NA光刻機(jī)更是3.8億美元起步。

根據(jù)微電子研究中心(IMEC)的路線圖，2030年左右應(yīng)該能推進(jìn)到A7 0.7nm工藝，之后還有A5 0.5nm、A3 0.3nm、A2 0.2nm，但那得是2036年左右的事兒了。