據(jù)媒體報(bào)道，三星即將在“VLSI Symposium 2024”上展示其2nm（SF2）工藝中的第三代GAA（Gate-All-Around）晶體管技術(shù)特性，并將在6月16日至20日期間分享更多關(guān)鍵細(xì)節(jié)。

據(jù)三星透露，這項(xiàng)新工藝不僅優(yōu)化了多橋-通道場效應(yīng)晶體管（MBCFET）架構(gòu)，還引入了獨(dú)特的外延和集成工藝。與現(xiàn)有的FinFET技術(shù)相比，該新工藝顯著提升了晶體管性能，幅度高達(dá)11%至46%，同時(shí)可變性降低了26%，漏電現(xiàn)象減少了約50%。SF2的技術(shù)開發(fā)工作預(yù)計(jì)將在2024年第二季度完成，屆時(shí)三星的芯片合作伙伴將有機(jī)會(huì)選擇這一先進(jìn)的制程節(jié)點(diǎn)進(jìn)行產(chǎn)品設(shè)計(jì)。

三星在半導(dǎo)體工藝領(lǐng)域一直尋求突破，尤其在經(jīng)歷了之前與高通合作中的工藝挑戰(zhàn)后，三星更加致力于通過2nm等先進(jìn)制程技術(shù)來鞏固其市場地位，并與臺(tái)積電等競爭對(duì)手展開競爭。

為了加強(qiáng)2nm工藝生態(tài)系統(tǒng)的建設(shè)，三星已經(jīng)吸引了超過50個(gè)合作伙伴。此外，今年2月，三星宣布與Arm合作，共同優(yōu)化基于最新GAA晶體管技術(shù)的下一代Arm Cortex-X/Cortex-A CPU內(nèi)核，以進(jìn)一步提升性能和效率，為用戶帶來前所未有的體驗(yàn)。

不僅如此，三星還計(jì)劃推出第三代3nm工藝，旨在繼續(xù)提高芯片密度、降低功耗，并努力提升良品率。此前，三星的初代3nm工藝在良品率方面遭遇挑戰(zhàn)，傳聞其早期良品率僅為20%，主要用于生產(chǎn)加密貨幣相關(guān)芯片。然而，三星并未因此氣餒，而是持續(xù)投入研發(fā)，力求在未來的工藝中取得更好的表現(xiàn)。