近日，ASML交付了第三代極紫外 (EUV) 光刻工具Twinscan NXE:3800E，其投影鏡頭的數(shù)值孔徑為 0.33。與現(xiàn)有的 Twinscan NXE:3600D 機(jī)器相比，該系統(tǒng)顯著提高了性能。它專(zhuān)為制造采用前沿技術(shù)的芯片而設(shè)計(jì)，包括未來(lái)幾年的 3nm、2nm 和小節(jié)點(diǎn)。

ASML Twinscan NXE:3800E代表了低數(shù)值孔徑 EUV光刻技術(shù)在性能（每小時(shí)處理的晶圓數(shù)量）和匹配的加工覆蓋方面的飛躍。新系統(tǒng)每小時(shí)可在 30 mJ/cm^2 劑量下處理超過(guò) 195 個(gè)晶圓，并有望通過(guò)吞吐量升級(jí)將性能進(jìn)一步提高至 220 wph。此外，新工具還提供小于 1.1 nm 的匹配機(jī)器覆蓋（晶圓對(duì)準(zhǔn)精度）。

ASML 在 X 上發(fā)布的一份聲明中透露：“芯片制造商需要速度。第一臺(tái) Twinscan NXE:3800E 現(xiàn)已安裝在一家芯片工廠(chǎng)中。憑借其新的晶圓臺(tái)，該系統(tǒng)將為打印先進(jìn)芯片技術(shù)提供領(lǐng)先的生產(chǎn)力?！蔽覀冋趯⒐饪碳夹g(shù)推向新的極限。”

在為邏輯制造商生產(chǎn)采用4nm/5nm和 3nm 級(jí)工藝技術(shù)的芯片時(shí)，吞吐量的增加將提高 Twinscan NXE:3800E 機(jī)器的經(jīng)濟(jì)效益。ASML Twinscan NXE:3800E 的性能改進(jìn)預(yù)計(jì)將顯著緩解EUV 技術(shù)的主要缺點(diǎn)之一，即性能相對(duì)較低，從而實(shí)現(xiàn)更高效、更具成本效益的芯片生產(chǎn)。這將使依賴(lài) EUV 的工藝技術(shù)更容易被預(yù)算不像蘋(píng)果、AMD、英特爾、英偉達(dá)和高通那樣龐大的芯片設(shè)計(jì)者所接受。此外，該工具對(duì)于美光、三星和 SK 海力士等內(nèi)存制造商也至關(guān)重要。

此外，Twinscan NXE:3800E 的增強(qiáng)性能對(duì)于采用 2nm 以及需要 EUV 雙圖案化的后續(xù)制造技術(shù)制造芯片特別有用。匹配機(jī)器覆蓋層的改進(jìn)將有利于 3nm 以下生產(chǎn)節(jié)點(diǎn)。

然而，像 NXE:3800E 這樣的機(jī)器的復(fù)雜性和功能的代價(jià)是高昂的成本，每臺(tái)的價(jià)格約為 1.8 億美元。如此高的成本意味著這些光刻工具的成本需要一段時(shí)間才能折舊。然而，對(duì)于 ASML 的客戶(hù)（包括一組精選的重要邏輯和內(nèi)存制造公司）來(lái)說(shuō)，NXE:3800E 提供了一條增強(qiáng)其尖端芯片生產(chǎn)能力的途徑。這對(duì)于這些公司來(lái)說(shuō)至關(guān)重要，因?yàn)樗麄兣M(mǎn)足全球?qū)Π雽?dǎo)體不斷增長(zhǎng)的需求，擴(kuò)大生產(chǎn)能力并管理芯片制造的經(jīng)濟(jì)性。引入 NXE:3800E 等更先進(jìn)、更高效的 EUV 掃描儀對(duì)于實(shí)現(xiàn)這些目標(biāo)至關(guān)重要。

展望未來(lái)，ASML并沒(méi)有滿(mǎn)足于現(xiàn)狀，計(jì)劃以Twinscan NXE:4000F 的形式進(jìn)行進(jìn)一步創(chuàng)新，這是另一代低數(shù)值孔徑 EUV 掃描儀，預(yù)計(jì)于 2026 年左右發(fā)布。這一持續(xù)開(kāi)發(fā)強(qiáng)調(diào)了 ASML 致力于推進(jìn)低數(shù)值孔徑的承諾-NA EUV 制造技術(shù)，盡管即將采用高數(shù)值孔徑光刻工具。