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使用新SRAM工藝實(shí)現(xiàn)嵌入式ASIC和SoC的存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)
發(fā)表于：5/1/2012 6:10:20 AM
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基于多晶鑄錠工藝的準(zhǔn)單晶技術(shù)系統(tǒng)性總結(jié)
發(fā)表于：4/20/2012 12:49:13 PM
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意法半導(dǎo)體（ST）關(guān)于仲裁裁決的聲明
發(fā)表于：4/12/2012 8:52:43 AM
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純晶圓代工廠商可以寄望2012年實(shí)現(xiàn)兩位數(shù)增長(zhǎng)
發(fā)表于：4/11/2012 2:02:19 PM
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Cadence 低功耗、高端節(jié)點(diǎn)數(shù)字技術(shù)應(yīng)用于SMIC 40納米參考流程
發(fā)表于：4/10/2012 4:58:50 PM
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Luxtera和意法半導(dǎo)體（ST）實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)硅光電解決方案
發(fā)表于：4/6/2012 2:02:44 PM
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美林上修晶圓代工成長(zhǎng)率Q3產(chǎn)能利用率或出現(xiàn)修正風(fēng)險(xiǎn)
發(fā)表于：4/5/2012 9:29:04 AM
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德州儀器推出裸片解決方案，拓展小量半導(dǎo)體封裝選項(xiàng)
發(fā)表于：3/29/2012 10:24:35 AM
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關(guān)于瑞薩電子向富士電機(jī)轉(zhuǎn)讓下屬子公司工廠的公告
發(fā)表于：3/29/2012 8:49:08 AM
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RED Micro Wire宣布推出突破性半導(dǎo)體焊線技術(shù)
發(fā)表于：3/28/2012 1:59:39 PM
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集成電路產(chǎn)業(yè)“十二五”發(fā)展規(guī)劃（全文）
發(fā)表于：3/23/2012 5:04:50 PM
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Altera與TSMC聯(lián)合開發(fā)世界上第一款異質(zhì)混合3D IC測(cè)試平臺(tái)，采用了CoWoSTM 工藝
發(fā)表于：3/23/2012 9:33:19 AM
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中芯CEO邱慈云作SEMICON中國(guó)開幕演講
發(fā)表于：3/20/2012 4:39:40 PM
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中微推出用于3D芯片及封裝的硅通孔刻蝕設(shè)備Primo TSV200E(TM)
發(fā)表于：3/17/2012 1:49:11 PM
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典型MEMS工藝流程
發(fā)表于：3/1/2012 2:08:09 PM
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德州儀器在低功耗、高能效以及環(huán)保創(chuàng)新設(shè)計(jì)領(lǐng)域的卓越領(lǐng)先地位助力打造更美好世界
發(fā)表于：2/24/2012 11:23:49 AM
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IBM首次將穩(wěn)壓器集成到2.5-D芯片中
發(fā)表于：2/24/2012 9:47:45 AM
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宜特突破IC電路除錯(cuò)技術(shù) 實(shí)現(xiàn)28nm最小線寬修改
發(fā)表于：2/24/2012 9:24:11 AM
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Synopsys推出可用于TSMC 28納米工藝的DesignWare嵌入式存儲(chǔ)器和邏輯庫(kù)
發(fā)表于：2/22/2012 1:59:18 PM
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WCSP 在克服各種挑戰(zhàn)的同時(shí)不斷發(fā)展
發(fā)表于：2/13/2012 8:59:56 AM
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PCB技術(shù)在高速設(shè)計(jì)中的特性阻抗問題
發(fā)表于：2/12/2012 7:39:55 AM
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手機(jī)PCB可靠性的設(shè)計(jì)方案
發(fā)表于：2/11/2012 6:15:31 AM
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PCB板干膜防焊膜應(yīng)用步驟
發(fā)表于：2/11/2012 12:00:00 AM
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Multitest的UltraFlat(tm)工藝達(dá)到要求
發(fā)表于：2/10/2012 10:37:30 AM
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基于嵌入式Linux的晶體生長(zhǎng)控徑系統(tǒng)的研究
發(fā)表于：2/8/2012 12:10:16 PM
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英特爾2012年將發(fā)布用于平板和手機(jī)32納米芯片
發(fā)表于：1/17/2012 4:20:22 PM
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技術(shù)前沿：納米結(jié)構(gòu)讓硅太陽(yáng)能電池成本減半
發(fā)表于：1/17/2012 4:19:25 PM
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SanDisk聯(lián)手東芝進(jìn)軍10nm級(jí)別閃存工藝
發(fā)表于：1/17/2012 8:58:42 AM
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格羅方德推出優(yōu)化BCDliteTM技術(shù)與工藝
發(fā)表于：1/17/2012 12:00:30 AM
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歐司朗光電半導(dǎo)體率先進(jìn)入硅上氮化鎵 LED 芯片試點(diǎn)階段，進(jìn)一步夯實(shí)其在高質(zhì)量薄膜 LED 領(lǐng)域的領(lǐng)軍地位
發(fā)表于：1/13/2012 2:41:21 PM
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