IDM與Multitest公司日前宣布其UltraFlat(tm)工藝達(dá)到高測(cè)試并行度垂直探針卡應(yīng)用要求。
對(duì)于DDR3內(nèi)存等應(yīng)用，晶圓級(jí)測(cè)試中的電路板平面度要求變得日益重要。為優(yōu)化MLO/MLC附屬裝置和接觸單元界面，需要一個(gè)更佳的表面。此外，更平整的印刷電路板要求探針接觸的變形度更小，同時(shí)降低了接觸磨損。
利用印刷電路板疊放工藝和印刷電路板結(jié)構(gòu)的相關(guān)知識(shí)，Multitest推出符合上述要求的新型UltraFlat(tm)工藝。UltraFlat(tm)通過(guò)消除印刷電路板的翹曲/彎曲，保證相對(duì)苛刻的總平面度誤差。與可提供臨時(shí)平整印刷電路板的“平整-烘烤”工藝不同，Mutltitest的UltraFlat(tm)工藝為印刷電路板帶來(lái)持久的整體平面度。通過(guò)UltraFlat(tm)，Multitest通?？梢赃_(dá)到1.0%的翹曲/彎曲要求。
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