美光 相關(guān)文章(381篇)
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消息稱美光將加入16-Hi HBM3E戰(zhàn)場
發(fā)表于：2025/1/16 11:26:14
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2024Q3全球TOP7半導(dǎo)體廠商瓜分近半市場
發(fā)表于：2025/1/13 14:21:00
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美光新加坡HBM內(nèi)存先進封裝工廠動工
發(fā)表于：2025/1/9 10:03:39
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美光宣布投資21.7億美元提升美國特種DRAM產(chǎn)能
發(fā)表于：2025/1/2 9:00:00
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美光推出速率與能效領(lǐng)先的 60TB SSD
發(fā)表于：2024/12/29 23:33:49
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DRAM內(nèi)存寒冬將至 存儲三巨頭均下調(diào)營收預(yù)期
發(fā)表于：2024/12/26 10:05:00
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美光公布其HBM4和HBM4E項目最新進展
發(fā)表于：2024/12/23 10:47:14
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Marvell推出定制HBM計算架構(gòu)
發(fā)表于：2024/12/11 11:03:12
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美國商務(wù)部已向美光科技提供61億美元資金
發(fā)表于：2024/12/11 9:50:59
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2024Q3全球DRAM市場營收260.2億美元
發(fā)表于：2024/11/27 13:01:10
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消息稱內(nèi)存原廠考慮HBM4采用無助焊劑鍵合
發(fā)表于：2024/11/15 11:05:20
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三大內(nèi)存原廠將于20層堆疊HBM5全面應(yīng)用混合鍵合工藝
發(fā)表于：2024/10/31 11:09:13
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2025年全球HBM產(chǎn)能將同比大漲117%
發(fā)表于：2024/10/17 11:21:33
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美光宣布今明兩年HBM產(chǎn)能已銷售一空
發(fā)表于：2024/9/27 12:00:26
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美光宣布單顆36GB HBM3E內(nèi)存
發(fā)表于：2024/9/11 9:50:35
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美光確認(rèn)啟動生產(chǎn)可用版12層堆疊HBM3E 36GB內(nèi)存交付
發(fā)表于：2024/9/6 10:55:59
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越來越多半導(dǎo)體企業(yè)布局200億美元規(guī)模FCBGA封裝市場
發(fā)表于：2024/9/5 9:59:19
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美光18.1億元收購友達臺南及臺中廠房
發(fā)表于：2024/8/30 9:07:17
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2024年第二季DRAM產(chǎn)業(yè)營收環(huán)比增長24.8%
發(fā)表于：2024/8/16 8:50:50
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HBM帶動三大內(nèi)存原廠均躋身2024Q1半導(dǎo)體IDM企業(yè)營收前四
發(fā)表于：2024/8/14 9:25:00
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美光加碼投資臺灣建立第二研發(fā)中心
發(fā)表于：2024/8/13 10:30:52
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美光宣布量產(chǎn)第九代TLC NAND閃存技術(shù)
發(fā)表于：2024/8/1 9:50:05
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傳美光GDDR6X模塊質(zhì)量問題影響英偉達RTX 40出貨
發(fā)表于：2024/7/31 9:04:00
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美光 MRDIMM 創(chuàng)新技術(shù)打造最高性能、低延遲主存，為數(shù)據(jù)中心工作負(fù)載加速
發(fā)表于：2024/7/24 23:46:28
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傳臺積電與美光競購群創(chuàng)LCD面板廠
發(fā)表于：2024/7/22 8:22:00
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長江存儲起訴美光其侵犯11項美國專利
發(fā)表于：2024/7/20 13:45:00
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報告稱HBM芯片明年月產(chǎn)能突破54萬顆
發(fā)表于：2024/7/11 9:08:00
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美光2025年欲搶下25%的HBM市場
發(fā)表于：2024/7/2 8:36:00
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美光已在廣島工廠利用EUV試產(chǎn)1γ DRAM
發(fā)表于：2024/6/28 9:30:00
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ASMPT與美光聯(lián)合開發(fā)下一代HBM4鍵合設(shè)備
發(fā)表于：2024/6/28 8:44:00
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