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三星西安工厂将升级286层NAND Flash工艺
發(fā)表于：2025/2/13 上午11:25:31
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三星电子正调整1c nm DRAM内存设计以保障良率
發(fā)表于：2025/2/12 上午11:22:07
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消息称三星和SK海力士减产NAND应对供应过剩问题
發(fā)表于：2025/2/12 上午11:03:20
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传三星Galaxy S26系列将采用硅碳电池
發(fā)表于：2025/2/11 上午10:34:06
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2025年上半年DRAM价格将下滑10%
發(fā)表于：2025/2/10 下午1:28:58
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三星中国公司换帅 李大成接任董事长
發(fā)表于：2025/2/10 上午11:00:01
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三星正与供应链伙伴合作推进玻璃基板商业化
發(fā)表于：2025/2/8 上午11:23:20
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三星将在6G中深度整合AI技术以优化网络质量
發(fā)表于：2025/2/8 上午10:38:01
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三星2nm工艺良品率高于预期
發(fā)表于：2025/2/8 上午9:37:00
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2024年全球十大半导体厂商营收公布
發(fā)表于：2025/2/6 上午9:30:54
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四大存储厂商计划今年减产以稳定NAND闪存价格
發(fā)表于：2025/1/24 上午11:50:40
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三星电子否认重新设计1b DRAM
發(fā)表于：2025/1/23 上午9:53:33
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2025年三星晶圆代工投资规模减半
發(fā)表于：2025/1/23 上午9:24:42
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消息称Arm计划将授权许可费用涨价至高300%
發(fā)表于：2025/1/22 上午10:52:33
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传三星和LG拟将部分家电产线从墨西哥转向美国
發(fā)表于：2025/1/22 上午10:32:40
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三星HBM3内存首次通过AMD MI300X中实现商用
發(fā)表于：2025/1/22 上午10:13:13
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消息称三星将从头设计新版1b nm DRAM
發(fā)表于：2025/1/22 上午10:03:58
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消息称三星电子已将1c nm内存开发良率里程碑推迟半年
發(fā)表于：2025/1/21 下午1:00:00
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2025年全球5G标准必要专利排名榜单发布
發(fā)表于：2025/1/17 下午1:25:00
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台积电拒绝代工三星Exynos处理器理由曝光
發(fā)表于：2025/1/16 上午9:56:19
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三星美国半导体厂再获47.4亿美元激励资金
發(fā)表于：2025/1/14 上午9:47:02
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2024Q3全球TOP7半导体厂商瓜分近半市场
發(fā)表于：2025/1/13 下午2:21:00
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Counterpoint发布2024Q3全球晶圆代工市场份额排名
發(fā)表于：2025/1/13 下午2:10:00
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SK海力士HBM研发速度已超英伟达要求
發(fā)表于：2025/1/13 下午1:12:20
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传三星西安NAND Flash工厂减产超10%
發(fā)表于：2025/1/13 上午11:29:05
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三星电机今年将率先推出固态电池原型
發(fā)表于：2025/1/13 上午9:37:05
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错过HBM热潮的三星电子2024惨淡收官
發(fā)表于：2025/1/10 上午9:55:38
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传三星等韩厂减产消费级NAND Flash
發(fā)表于：2025/1/7 上午10:17:15
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台积电有信心2nm客户不会转单三星
發(fā)表于：2025/1/7 上午9:39:00
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三星完成HBM4逻辑基础裸片设计
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