2月13日消息，據(jù)BusinessKorea韓國(guó)媒體報(bào)導(dǎo)，三星正計(jì)劃將其位于中國(guó)西安的工廠(chǎng)升級(jí)至286層堆疊的NAND Flash閃存制程技術(shù)，以應(yīng)對(duì)當(dāng)前的市場(chǎng)低迷且日益激烈的競(jìng)爭(zhēng)狀態(tài)。

報(bào)導(dǎo)指出，自2023年以來(lái)，三星一直在推動(dòng)西安工廠(chǎng)的主流128層堆疊NAND Flash快閃記憶體制程向236層堆疊技術(shù)發(fā)展。而為了提升其競(jìng)爭(zhēng)力，三星這次決定安裝一條286層堆疊的NAND Flash閃存生產(chǎn)線(xiàn)，該產(chǎn)線(xiàn)計(jì)劃在上半年引進(jìn)所需的新設(shè)備，并計(jì)劃在下半年建立完成一條月產(chǎn)2,000至5,000片晶圓的產(chǎn)線(xiàn)。這項(xiàng)發(fā)展，預(yù)計(jì)是三星保持技術(shù)領(lǐng)先地位和確保長(zhǎng)期產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力策略的一部分。

資料顯示，中國(guó)西安工廠(chǎng)是三星唯一的海外存儲(chǔ)芯片生產(chǎn)基地，對(duì)該公司全球供應(yīng)鏈至關(guān)重要，生產(chǎn)了該公司約40%占比NAND Flash閃存。未來(lái)升級(jí)到286層堆疊制程之后，預(yù)計(jì)將顯著增強(qiáng)該工廠(chǎng)的生產(chǎn)能力。

此前美國(guó)拜登政府已經(jīng)決定在2023年給予三星經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的最終用戶(hù)（VEU）地位，這一地位使得三星可以在中國(guó)生產(chǎn)200層以上堆疊的NAND Flash閃存，進(jìn)一步在美國(guó)限制向中國(guó)出口先進(jìn)半導(dǎo)體制造設(shè)備的制裁措施下，提供了一定的回旋空間，這使三星能夠在面臨地緣政治緊張局勢(shì)情況下，能繼續(xù)在中國(guó)進(jìn)行其先進(jìn)的NAND Flash閃存制造流程。

報(bào)導(dǎo)引用市場(chǎng)人士的說(shuō)法表示，三星在國(guó)內(nèi)提升先進(jìn)NAND Flash生產(chǎn)技術(shù)的同時(shí)，也在中國(guó)的進(jìn)行相關(guān)的技術(shù)升級(jí)，這種雙重策略凸顯了三星企圖維持在國(guó)內(nèi)外的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)的作法。因?yàn)樽?024年下半年以來(lái)，三星一直致力于將400層堆疊的NAND Flash生產(chǎn)技術(shù)應(yīng)用于韓國(guó)平澤一號(hào)工廠(chǎng)量產(chǎn)線(xiàn)，并可能在2025年下半年實(shí)現(xiàn)初步量產(chǎn)步驟。

三星日前在公布2024年第四季的業(yè)績(jī)時(shí)表示，將加速向236層和286層堆疊的NAND Flash的生產(chǎn)技術(shù)發(fā)展，以確保長(zhǎng)期的產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力。然而，盡管取得了這些進(jìn)步，但三星預(yù)計(jì)2025年第一季每月42萬(wàn)片的NAND Flash產(chǎn)量，仍較2024年第四季減少約25%。這主因是為了反映受價(jià)格上漲和利率上漲等經(jīng)濟(jì)因素，使得當(dāng)前手機(jī)和PC市場(chǎng)需求下滑所導(dǎo)致的供過(guò)于求現(xiàn)象。不過(guò)，人工智能數(shù)據(jù)中心等市場(chǎng)需求仍日益成長(zhǎng)，推動(dòng)三星等專(zhuān)注于高效能、高容量的NAND Flash產(chǎn)品的生產(chǎn)。