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一文知道RF GaN市場蓬勃發(fā)展的關(guān)鍵

據(jù)麥姆斯咨詢介紹，近年來，由于氮化鎵（GaN）在射頻（RF）功率應(yīng)用中的附加價(jià)值（例如高頻率下的更高功率輸出和更小的占位面積），RF GaN產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了驚人的高增長。根據(jù)Yole最近發(fā)布的《射頻氮化鎵技術(shù)、應(yīng)用及市場-2019版》報(bào)告，在無線基礎(chǔ)設(shè)施和國防兩大主要應(yīng)用的推動(dòng)下，RF GaN整體市場規(guī)模到2024年預(yù)計(jì)將增長至20億美元。

發(fā)表于：2019/8/11

華裔科學(xué)家：領(lǐng)銜全球首個(gè)實(shí)時(shí)解碼大腦信號項(xiàng)目

馬斯克的腦機(jī)接口新突破公布沒多久，F(xiàn)acebook的腦機(jī)革命又邁出重要一步。Facebook與加利福尼亞大學(xué)舊金山分校華裔教授團(tuán)隊(duì)合作，已打造一個(gè)腦機(jī)接口，可以實(shí)時(shí)從大腦信號解碼問答對話。這是全球首個(gè)實(shí)時(shí)解碼大腦信號的問答語音的項(xiàng)目，或可用到增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)眼鏡中。

發(fā)表于：2019/8/2

基于MOCVD生長材料的高電流密度太赫茲共振隧穿二極管

為獲得高功率的太赫茲共振隧穿器件，優(yōu)化設(shè)計(jì)了AlAs/InGaAs/AlAs共振遂穿二極管材料結(jié)構(gòu)，在國內(nèi)首次采用MOCVD設(shè)備在半絕緣InP單晶片上生長了RTD外延材料。利用接觸光刻工藝和空氣橋搭接技術(shù)，制作了InP基共振遂穿二極管器件。并在室溫下測試了器件的電學(xué)特性：峰值電流密度＞400 kA/cm2，峰谷電流比(PVCR)＞2.4。

發(fā)表于：2019/8/1

基于VO2相變特性的THz波動(dòng)態(tài)調(diào)控研究進(jìn)展

太赫茲(Terahertz，THz)波位于光子學(xué)向電子學(xué)的過渡區(qū)域，在高速寬帶通信、雷達(dá)、成像等領(lǐng)域具有重要應(yīng)用前景。但目前用于THz波動(dòng)態(tài)調(diào)控的器件仍比較缺乏，這在一定程度上限制了THz技術(shù)的發(fā)展。VO2具有獨(dú)特的金屬—絕緣體相變特性，相變過程可以應(yīng)用于動(dòng)態(tài)調(diào)控THz波傳輸。探索超材料與VO2結(jié)合以制備高效、動(dòng)態(tài)、靈活的太赫茲功能器件也是近來的研究熱點(diǎn)。簡述了VO2的相變特性，并分析了微觀結(jié)構(gòu)和化學(xué)成分等因素對相變特性的影響；系統(tǒng)回顧了VO2薄膜相變過程中的THz波調(diào)控性能研究進(jìn)展，總結(jié)了VO2與超材料不同結(jié)合方式在THz波動(dòng)態(tài)調(diào)控方面的應(yīng)用；并對基于VO2相變特性的THz波調(diào)控功能器件發(fā)展前景與挑戰(zhàn)進(jìn)行了展望。

發(fā)表于：2019/7/31

太赫茲固態(tài)放大器研究進(jìn)展

隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，晶體管特征頻率不斷提高，已經(jīng)進(jìn)入到太赫茲（THz）頻段，使得固態(tài)器件可以在THz頻段工作。THz放大器可以將微弱的信號進(jìn)行放大，在THz系統(tǒng)中起著關(guān)鍵作用。介紹了基于氮化鎵(Gallium Nitride，GaN)高電子遷移率晶體管(High Electron Mobility Transistor，HEMT)器件、磷化銦(Indium Phosphide，InP)HEMT器件和InP異質(zhì)結(jié)雙極晶體管/雙異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(InP Heterojunction Bipolar Transistor/Double Heterojunction Bipolar Transistor，HBT/DHBT)器件的THz單片放大器研究進(jìn)展。

發(fā)表于：2019/7/31

毫米波人體掃描儀市場：過去、現(xiàn)在和未來

全身掃描儀已經(jīng)成為全球安全與威脅檢測工具包的重要組成部分。隨著射頻、微波和毫米波技術(shù)的不斷發(fā)展進(jìn)步，利用這種技術(shù)的全身掃描儀也變得流行起來。全身掃描解決方案的總體接受程度在很大程度上取決于其性能、設(shè)計(jì)和商業(yè)可行性。本文討論了這些全身掃描儀的系統(tǒng)集成商如何做出正確的技術(shù)設(shè)計(jì)和合作伙伴選擇，從而更自信地為這個(gè)快速增長的市場提供商業(yè)上可行的解決方案。

發(fā)表于：2019/7/30

Silicon Labs利用軟件定義無線電技術(shù) 提升廣受歡迎的Si479xx汽車調(diào)諧器系列產(chǎn)品

中國，北京 - 2019年7月30日 - Silicon Labs（亦稱“芯科科技”，NASDAQ：SLAB）為領(lǐng)先的汽車收音機(jī)解決方案供應(yīng)商，日前宣布推出新型數(shù)?；旌弦惑w化軟件定義無線電（SDR）調(diào)諧器，擴(kuò)展其產(chǎn)品組合使得單個(gè)通用平臺上能支持全球所有數(shù)字收音機(jī)標(biāo)準(zhǔn)以滿足汽車收音機(jī)制造商不斷增長的需求。新型Si479x7器件是Silicon Labs首款支持Digital Radio Mondiale（DRM）標(biāo)準(zhǔn)的汽車收音機(jī)調(diào)諧器。Si479x7調(diào)諧器是Silicon Labs廣受歡迎的Global Eagle和Dual Eagle AM/FM接收器和數(shù)字收音機(jī)調(diào)諧器系列產(chǎn)品的擴(kuò)展，提供同樣出色的路試性能、單雙調(diào)試器兼容的引腳定義和封裝、以及物料清單（BOM）成本優(yōu)勢。

發(fā)表于：2019/7/30

復(fù)數(shù)RF混頻器、零中頻架構(gòu)及高級算法：下一代SDR收發(fā)器中的黑魔法

RF工程常被視為電子領(lǐng)域的黑魔法。它可能是數(shù)學(xué)和力學(xué)的某種奇特組合，有時(shí)甚至僅僅是試錯(cuò)。它讓許多優(yōu)秀的工程師不得其解，有些工程師僅了解結(jié)果而對細(xì)節(jié)毫無所知?，F(xiàn)有的許多文獻(xiàn)往往不建立基本概念，而是直接跳躍到理論和數(shù)學(xué)解釋。

發(fā)表于：2019/7/24

Matlab 數(shù)字濾波入門

這是一篇最簡單不過的matlab數(shù)字信號處理的介紹，里面涉及數(shù)字濾波，簡單的圖像處理和信號檢測。

發(fā)表于：2019/7/24

Luminar用于ADAS的激光雷達(dá)解決方案

據(jù)外媒報(bào)道，2017年，Luminar籌集了3600萬美金，從5年的默默無聞終于為人所知。該公司早期的投資來自1517 Fund、Canvas Ventures和GVA Capital。預(yù)計(jì)到2026年自動(dòng)駕駛汽車市場市值將達(dá)5566.7億美元，因此，Luminar正在大幅擴(kuò)大其產(chǎn)品陣容，希望能夠壟斷自動(dòng)駕駛汽車市場。當(dāng)?shù)貢r(shí)間7月11日，該公司除了推出新款用于高級駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）的激光雷達(dá)解決方案，還推出了首個(gè)面向消費(fèi)汽車和卡車的生產(chǎn)平臺，該平臺擁有“全感知”能力。

發(fā)表于：2019/7/19

TI DLP®技術(shù)正在以三種方式革新工業(yè)印刷和生產(chǎn)

北京2019年7月11日 /美通社/ -- 為滿足工業(yè)成像和印刷日益增長的需求，制造解決方案必須能夠以極快的速度生成具有一致質(zhì)量的復(fù)雜、高分辨率的2D圖像。DLP技術(shù)已用于使用紫外光源的高通量3D打印和印刷電路板 (PCB) 光刻?，F(xiàn)在，針對近紅外 (NIR) 光源的擴(kuò)展支持帶來了快速打印速度、精細(xì)分辨率和實(shí)時(shí)適應(yīng)性的相同優(yōu)勢，擴(kuò)展了工業(yè)打印應(yīng)用。

發(fā)表于：2019/7/11

5G、毫米波、太赫茲、高速數(shù)字設(shè)計(jì) 你期待的干貨都在這里

7月12日下午，“2019中國西部微波射頻技術(shù)研討會”在成都世紀(jì)城新國際會展中心圓滿落幕。從5G到Wi-Fi6、從毫米波到相控陣天線、從太赫茲測試到高速PCB設(shè)計(jì)……，這是一場覆蓋射頻微波產(chǎn)業(yè)前后端的技術(shù)盛宴，來自國內(nèi)外領(lǐng)先半導(dǎo)體廠商、測試測量廠商、系統(tǒng)集成商的技術(shù)專家將齊聚一堂，深入剖析中國射頻微波產(chǎn)業(yè)發(fā)展前景及主要技術(shù)熱點(diǎn)。

發(fā)表于：2019/7/10

紅外成像技術(shù)助力人工智能，有望定位乳腺癌等癥狀發(fā)生位置？

　　由羅徹斯特理工學(xué)院（Rochester Institute of Technology，以下簡稱RIT）和羅徹斯特地區(qū)衛(wèi)生系統(tǒng)（Rochester Regional Health System，以下簡稱RRHS）合作開發(fā)的非侵入性技術(shù)可以提供發(fā)現(xiàn)隱藏在致密乳房組織后腫瘤的補(bǔ)充測試選項(xiàng)。

發(fā)表于：2019/7/6

基于二硫化碳的超材料太赫茲透射特性調(diào)控

目前，光控太赫茲波超材料主要是利用激光改變半導(dǎo)體材料的載流子濃度來實(shí)現(xiàn)的。半導(dǎo)體材料的復(fù)合壽命一般為納秒量級，因此調(diào)控時(shí)間受到了限制。與半導(dǎo)體材料相比，二硫化碳(CS2)的光響應(yīng)速度很快，只有1.68 ps，并且也具有較大的光學(xué)非線性。以亞波長周期金屬塊陣列結(jié)構(gòu)為基礎(chǔ)，提出了利用CS2來實(shí)現(xiàn)超材料太赫茲透射調(diào)控的方案。具體利用時(shí)域有限差分法(FDTD)研究了該結(jié)構(gòu)的太赫茲波透射調(diào)控。

發(fā)表于：2019/7/4

太赫茲片上集成放大器研究進(jìn)展

針對當(dāng)前太赫茲科學(xué)與技術(shù)發(fā)展的狀態(tài)和瓶頸問題，重點(diǎn)討論太赫茲電路中的核心部件——片上集成放大器的研究進(jìn)展情況。根據(jù)太赫茲芯片設(shè)計(jì)和加工不同基底材料，比較了磷化銦和砷化鎵制成化合物太赫茲放大單片與體硅和鍺化硅制成的硅基片上集成放大器兩大類，并對不同材料體系下的電路拓?fù)浜椭笜?biāo)進(jìn)行了分析和總結(jié)。

發(fā)表于：2019/7/3