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Cibby Pulikkaseril：無(wú)用之功？自動(dòng)駕駛激光雷達(dá)現(xiàn)狀

第二屆“光”+智能駕駛技術(shù)高峰論壇于2019年9月6日舉辦，本次論壇邀請(qǐng)了政府部門、咨詢機(jī)構(gòu)、整車企業(yè)、激光雷達(dá)制造商、紅外夜視、攝像頭等傳感器重點(diǎn)企業(yè)及知名科研院所等到會(huì)研討，共話光與汽車電子行業(yè)市場(chǎng)前景。以下為Cibby Pulikkaseril首席技術(shù)官兼聯(lián)合創(chuàng)始人 Baraja現(xiàn)場(chǎng)演講實(shí)錄：

發(fā)表于：9/7/2019

Velodyne Lidar發(fā)布傳感器Puck 32MR? 為自動(dòng)駕駛汽車提供高分辨率實(shí)時(shí)激光雷達(dá)

據(jù)外媒報(bào)道，Velodyne Lidar, Inc.推出了Puck 32MR?傳感器，為低速自動(dòng)駕駛市場(chǎng)提供高成本效益的感知解決方案，包括工業(yè)車輛、機(jī)器人、航天飛機(jī)以及無(wú)人機(jī)。該激光雷達(dá)傳感去可為中端應(yīng)用提供豐富的感知數(shù)據(jù)。

發(fā)表于：8/17/2019

TriLumina完成半導(dǎo)體激光器測(cè)試可在零下40到125攝氏度的溫度下運(yùn)行

據(jù)外媒報(bào)道，汽車、消費(fèi)和工業(yè)ToF（飛行時(shí)間）與3D傳感應(yīng)用VCSEL技術(shù)（垂直腔面發(fā)射激光器）開發(fā)商 TriLumina宣布完成了AEC-Q102 1級(jí)操作所需的所有測(cè)試，意味著其半導(dǎo)體激光器可以在零下40到125攝氏度的溫度下可靠運(yùn)行。

發(fā)表于：8/17/2019

俄羅斯首款重型攻擊無(wú)人機(jī)完成了試飛與著陸

公告說(shuō)，名為“獵人”的重型長(zhǎng)航時(shí)攻擊無(wú)人機(jī)于莫斯科時(shí)間3日12時(shí)20分（北京時(shí)間3日17時(shí)20分）在國(guó)防部下屬某試飛機(jī)場(chǎng)開始首飛。飛行持續(xù)了20多分鐘。無(wú)人機(jī)在操作員的控制下以600米高度圍繞機(jī)場(chǎng)飛行數(shù)周，隨后完成了著陸。

發(fā)表于：8/16/2019

氮化鎵半導(dǎo)體材料在5G時(shí)代的應(yīng)用前景

氮化鎵，分子式為GaN，是研制微電子器件、光電子器件的新型半導(dǎo)體材料，并與SiC、金剛石等半導(dǎo)體材料一起，被譽(yù)為是繼第一代Ge、Si半導(dǎo)體材料、第二代GaAs、InP化合物半導(dǎo)體材料之后的第三代半導(dǎo)體材料。

發(fā)表于：8/11/2019

氮化鎵在射頻領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)盤點(diǎn)

氮化鎵是一種二元III/V族直接帶隙半導(dǎo)體晶體，也是一般照明LED和藍(lán)光播放器最常使用的材料。另外，氮化鎵還被用于射頻放大器和功率電子器件。氮化鎵是非常堅(jiān)硬的材料;其原子的化學(xué)鍵是高度離子化的氮化鎵化學(xué)鍵，該化學(xué)鍵產(chǎn)生的能隙達(dá)到3.4 電子伏特。

發(fā)表于：8/11/2019

射頻氮化鎵市場(chǎng)前景分析

據(jù)麥姆斯咨詢介紹，近年來(lái)，GaN憑借高頻下更高的功率輸出和更小的占位面積，被射頻行業(yè)大量應(yīng)用。在電信基礎(chǔ)設(shè)施和國(guó)防兩大主要市場(chǎng)的推動(dòng)下，預(yù)計(jì)到2024年RF GaN整體市場(chǎng)規(guī)模將增長(zhǎng)至20億美元。

發(fā)表于：8/11/2019

電信和國(guó)防應(yīng)用推動(dòng)射頻氮化鎵(RF GaN)蓬勃發(fā)展專利之爭(zhēng)全面開啟

電信和國(guó)防應(yīng)用推動(dòng)射頻氮化鎵(RF GaN)蓬勃發(fā)展。根據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)Yole Développement調(diào)查指出，RF GaN產(chǎn)業(yè)于2017~2023年間的年復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)到23%。隨著工業(yè)不斷地發(fā)展，截至2017年底，RF GaN市場(chǎng)產(chǎn)值已經(jīng)接近3.8億美元，2023年將達(dá)到13億美元以上。

發(fā)表于：8/11/2019

RF GaN市場(chǎng)蓬勃發(fā)展的關(guān)鍵是什么？

據(jù)麥姆斯咨詢介紹，近年來(lái)，由于氮化鎵（GaN）在射頻（RF）功率應(yīng)用中的附加價(jià)值（例如高頻率下的更高功率輸出和更小的占位面積），RF GaN產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了驚人的高增長(zhǎng)。根據(jù)Yole最近發(fā)布的《射頻氮化鎵技術(shù)、應(yīng)用及市場(chǎng)-2019版》報(bào)告，在無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施和國(guó)防兩大主要應(yīng)用的推動(dòng)下，RF GaN整體市場(chǎng)規(guī)模到2024年預(yù)計(jì)將增長(zhǎng)至20億美元。

發(fā)表于：8/11/2019

《射頻（RF）氮化鎵技術(shù)及廠商專利全景分析-2019版》

近年來(lái)，RF GaN市場(chǎng)的發(fā)展令人印象深刻，重塑了RF功率器件的產(chǎn)業(yè)格局。在電信和國(guó)防應(yīng)用的推動(dòng)下，RF GaN行業(yè)將持續(xù)增長(zhǎng)，而隨著5G應(yīng)用的到來(lái)，RF GaN市場(chǎng)將加速發(fā)展。據(jù)麥姆斯咨詢介紹，RF GaN市場(chǎng)總規(guī)模預(yù)計(jì)將從2017年的3.8億美元到2023年增長(zhǎng)到13億美元。

發(fā)表于：8/11/2019

一文知道RF GaN市場(chǎng)蓬勃發(fā)展的關(guān)鍵

據(jù)麥姆斯咨詢介紹，近年來(lái)，由于氮化鎵（GaN）在射頻（RF）功率應(yīng)用中的附加價(jià)值（例如高頻率下的更高功率輸出和更小的占位面積），RF GaN產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了驚人的高增長(zhǎng)。根據(jù)Yole最近發(fā)布的《射頻氮化鎵技術(shù)、應(yīng)用及市場(chǎng)-2019版》報(bào)告，在無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施和國(guó)防兩大主要應(yīng)用的推動(dòng)下，RF GaN整體市場(chǎng)規(guī)模到2024年預(yù)計(jì)將增長(zhǎng)至20億美元。

發(fā)表于：8/11/2019

華裔科學(xué)家：領(lǐng)銜全球首個(gè)實(shí)時(shí)解碼大腦信號(hào)項(xiàng)目

馬斯克的腦機(jī)接口新突破公布沒(méi)多久，F(xiàn)acebook的腦機(jī)革命又邁出重要一步。Facebook與加利福尼亞大學(xué)舊金山分校華裔教授團(tuán)隊(duì)合作，已打造一個(gè)腦機(jī)接口，可以實(shí)時(shí)從大腦信號(hào)解碼問(wèn)答對(duì)話。這是全球首個(gè)實(shí)時(shí)解碼大腦信號(hào)的問(wèn)答語(yǔ)音的項(xiàng)目，或可用到增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)眼鏡中。

發(fā)表于：8/2/2019

基于MOCVD生長(zhǎng)材料的高電流密度太赫茲共振隧穿二極管

為獲得高功率的太赫茲共振隧穿器件，優(yōu)化設(shè)計(jì)了AlAs/InGaAs/AlAs共振遂穿二極管材料結(jié)構(gòu)，在國(guó)內(nèi)首次采用MOCVD設(shè)備在半絕緣InP單晶片上生長(zhǎng)了RTD外延材料。利用接觸光刻工藝和空氣橋搭接技術(shù)，制作了InP基共振遂穿二極管器件。并在室溫下測(cè)試了器件的電學(xué)特性：峰值電流密度＞400 kA/cm2，峰谷電流比(PVCR)＞2.4。

發(fā)表于：8/1/2019

基于VO2相變特性的THz波動(dòng)態(tài)調(diào)控研究進(jìn)展

太赫茲(Terahertz，THz)波位于光子學(xué)向電子學(xué)的過(guò)渡區(qū)域，在高速寬帶通信、雷達(dá)、成像等領(lǐng)域具有重要應(yīng)用前景。但目前用于THz波動(dòng)態(tài)調(diào)控的器件仍比較缺乏，這在一定程度上限制了THz技術(shù)的發(fā)展。VO2具有獨(dú)特的金屬—絕緣體相變特性，相變過(guò)程可以應(yīng)用于動(dòng)態(tài)調(diào)控THz波傳輸。探索超材料與VO2結(jié)合以制備高效、動(dòng)態(tài)、靈活的太赫茲功能器件也是近來(lái)的研究熱點(diǎn)。簡(jiǎn)述了VO2的相變特性，并分析了微觀結(jié)構(gòu)和化學(xué)成分等因素對(duì)相變特性的影響；系統(tǒng)回顧了VO2薄膜相變過(guò)程中的THz波調(diào)控性能研究進(jìn)展，總結(jié)了VO2與超材料不同結(jié)合方式在THz波動(dòng)態(tài)調(diào)控方面的應(yīng)用；并對(duì)基于VO2相變特性的THz波調(diào)控功能器件發(fā)展前景與挑戰(zhàn)進(jìn)行了展望。

發(fā)表于：7/31/2019

太赫茲固態(tài)放大器研究進(jìn)展

隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，晶體管特征頻率不斷提高，已經(jīng)進(jìn)入到太赫茲（THz）頻段，使得固態(tài)器件可以在THz頻段工作。THz放大器可以將微弱的信號(hào)進(jìn)行放大，在THz系統(tǒng)中起著關(guān)鍵作用。介紹了基于氮化鎵(Gallium Nitride，GaN)高電子遷移率晶體管(High Electron Mobility Transistor，HEMT)器件、磷化銦(Indium Phosphide，InP)HEMT器件和InP異質(zhì)結(jié)雙極晶體管/雙異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(InP Heterojunction Bipolar Transistor/Double Heterojunction Bipolar Transistor，HBT/DHBT)器件的THz單片放大器研究進(jìn)展。

發(fā)表于：7/31/2019