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Ramtron提供64Kbit串口F-RAM存儲(chǔ)器樣片

世界領(lǐng)先的低功耗鐵電存儲(chǔ)器 (F-RAM) 和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation (簡(jiǎn)稱Ramtron)宣布，現(xiàn)已在IBM的新生產(chǎn)線上廣泛制造其最新鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (F-RAM) 產(chǎn)品的樣片。該新產(chǎn)品FM24C64C是65千位(Kb)、5V串口F-RAM器件，以總線速率運(yùn)行且無寫入延遲，并支持高達(dá)1萬億次 (1e12)的讀/寫循環(huán)，這相比同等EEPROM器件高出100萬倍。FM24C64C具有低功率運(yùn)作特性，有效電流為100 µA (在100 kHz下)，典型待機(jī)電流僅為4 µA。這款F-RAM器件是64-Kb EEPROM產(chǎn)品的直接硬件替代產(chǎn)品，適用于需要頻繁或快速寫入的非易失性存儲(chǔ)器應(yīng)用。

發(fā)表于：7/22/2011

2011年游戲硬件中的NAND閃存密度將增長(zhǎng)40%以上

據(jù)IHSiSuppli公司的NAND閃存研究報(bào)告，盡管NAND閃存成本較高妨礙其進(jìn)入游戲硬件，但2011年家庭游戲機(jī)與手持游戲機(jī)中的NAND密度將增長(zhǎng)40%以上。

發(fā)表于：7/21/2011

太陽能碳納米管染料或取代電池

麻省理工學(xué)院研究人員AlexieKolpak和JeffreyGrossman發(fā)現(xiàn)了一種新型太陽能熱燃——偶氮苯。它經(jīng)濟(jì)、可再充電、發(fā)熱穩(wěn)定，比鋰電池的能量密度高。

發(fā)表于：7/21/2011

IR為低功率應(yīng)用推出雙PQFN2x2 和雙PQFN3.3x3.3功率MOSFETs擴(kuò)展了PQFN封裝系列

全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 擴(kuò)展其PQFN封裝系列，推出PQFN 2mm x 2mm和PQFN 3.3mm x 3.3mm封裝。新型封裝集成了兩個(gè)采用IR最新硅技術(shù)的HEXFET® MOSFET，為低功率應(yīng)用提供高密度、低成本的解決方案，這些應(yīng)用包括智能手機(jī)、平板電腦、攝像機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、直流電動(dòng)機(jī)、無線感應(yīng)充電器、筆記本電腦、服務(wù)器、網(wǎng)通設(shè)備等。

發(fā)表于：7/20/2011

三合一(溫濕光)傳感器設(shè)計(jì)

本設(shè)計(jì)采用SHT11溫濕度傳感器芯片和一款集成了ADC的環(huán)境光傳感器MAX9635，實(shí)現(xiàn)溫、濕度及光照三合一傳感器設(shè)計(jì)。旨在為了解決在對(duì)環(huán)境溫度、濕度和光照度進(jìn)行測(cè)量時(shí)，大多使用熱敏電阻、濕敏電容和光敏器件來分別測(cè)量溫度、濕度和光照度。這種測(cè)量方法一般要設(shè)計(jì)相應(yīng)的信號(hào)調(diào)理電路，還要經(jīng)過復(fù)雜的標(biāo)定過程，測(cè)量精度難以保證。當(dāng)對(duì)兩個(gè)以上的參數(shù)進(jìn)行監(jiān)測(cè)時(shí)，每一個(gè)測(cè)量點(diǎn)都必須使用獨(dú)立傳感器和獨(dú)立的信號(hào)調(diào)理電路，這不僅使得測(cè)量系統(tǒng)的成本和體積大幅提高，也在一定程度上增加了系統(tǒng)設(shè)計(jì)的復(fù)雜性。

發(fā)表于：7/20/2011

一個(gè)元件制作的數(shù)顯溫度計(jì)電路設(shè)計(jì)

這里介紹一個(gè)只用一個(gè)元件的（電源除外）的數(shù)顯溫度計(jì)的制作。它雖然非常簡(jiǎn)單，但其性能與一般的溫度計(jì)比卻毫不遜色，最特別的是可直接讀出數(shù)字量的溫度值，非常直觀。下面我們介紹它的制作過程。

發(fā)表于：7/20/2011

聯(lián)盟引路我國(guó)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)實(shí)現(xiàn)創(chuàng)新發(fā)展

“當(dāng)前，我國(guó)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)正處于重要的戰(zhàn)略機(jī)遇期，要緊抓機(jī)遇，力爭(zhēng)技術(shù)突破?！笨萍疾空叻ㄒ?guī)司巡視員李新男近日指出，隨著存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)在科技領(lǐng)域扮演越來越重要的角色，我國(guó)將加大對(duì)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的支持力度，并把存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展作為國(guó)家信息化建設(shè)的重要內(nèi)容。

發(fā)表于：7/20/2011

運(yùn)動(dòng)傳感器技術(shù)發(fā)展新方向

西班牙Baolab Microsystems公司使用一種更加簡(jiǎn)單的制造方法制造出了新型的數(shù)字指南針。明年，這一技術(shù)將應(yīng)用于GPS設(shè)備上。

發(fā)表于：7/20/2011

一種基于SP37的新型TPMS系統(tǒng)設(shè)計(jì)

簡(jiǎn)要介紹了胎壓監(jiān)測(cè)系統(tǒng)(TPMS)的組成，提出了一種基于新型傳感器SP37的胎壓監(jiān)測(cè)系統(tǒng)。該系統(tǒng)采用SP37和MAX1473作為無線收發(fā)芯片，詳細(xì)闡述了其軟件和硬件設(shè)計(jì)中的關(guān)鍵技術(shù)。實(shí)際測(cè)試效果表明，該系統(tǒng)接收靈敏度可達(dá)到-100 dBm，高速跑車時(shí)速100 km時(shí)工作穩(wěn)定。

發(fā)表于：7/20/2011

MEMS傳感器發(fā)展前景分析

智能傳感器隨數(shù)字化時(shí)代誕生從微處理器帶來的數(shù)字化革命到虛擬儀器(VXI)的飛速發(fā)展，對(duì)傳感器的綜合精度、穩(wěn)定可靠性和響應(yīng)要求越來越高，傳統(tǒng)傳感器已不能適應(yīng)多種測(cè)試要求，隨著微處理智能技術(shù)和微機(jī)械加工技術(shù)在傳感器上的應(yīng)用，智能傳感器(SmartSensor)誕生了。

發(fā)表于：7/20/2011

專家教你如何挑選正確的溫度傳感器

利用物質(zhì)各種物理性質(zhì)隨溫度變化的規(guī)律把溫度轉(zhuǎn)換為電量的傳感器。這些呈現(xiàn)規(guī)律性變化的物理性質(zhì)主要有體。溫度傳感器是溫度測(cè)量?jī)x表的核心部分，品種繁多。按測(cè)量方式可分為接觸式和非接觸式兩大類，按照傳感器材料及電子元件特性分為熱電阻和熱電偶兩類。如果您要進(jìn)行可靠的溫度測(cè)量，就需要為您的應(yīng)用選擇正確的溫度傳感器。熱電偶、熱敏電阻、鉑電阻（RTD）和溫度IC是測(cè)試中最常用的溫度傳感器。

發(fā)表于：7/20/2011

電流傳感器在太陽能裝置中的應(yīng)用

除了諸如《京都協(xié)議書》等政治策略所帶來的動(dòng)力和壓力之外，多種形式能源不斷增長(zhǎng)的成本以及“更潔凈”動(dòng)力源的搜尋也在推動(dòng)著對(duì)諸如太陽能等替代能源的關(guān)注。許多新設(shè)計(jì)不斷涌現(xiàn)，從而最有效和高效地利用這些能源。

發(fā)表于：7/20/2011

空調(diào)系統(tǒng)傳感器故障診斷方法[圖]

針對(duì)空調(diào)系統(tǒng)中常見的傳感器故障問題，提出了基于小波神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)(WNN)故障診斷策略。在分析空調(diào)系統(tǒng)中傳感器主要故障的基礎(chǔ)上，建立了傳感器故障診斷系統(tǒng)。通過傳感器的真實(shí)測(cè)量值與預(yù)測(cè)值的殘差比較。驗(yàn)證了基于WNN的故障診斷能力，分析了基于WNN與BP神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)故障診斷的殘差比結(jié)果。仿真實(shí)驗(yàn)表明，基于WNN的故障診斷系統(tǒng)具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、收斂速度快、診斷結(jié)果準(zhǔn)確、精度高的特點(diǎn)。

發(fā)表于：7/19/2011

基于Multisim的負(fù)電阻特性分析及應(yīng)用

在工程實(shí)際中，負(fù)電阻十分有用，如在電源設(shè)計(jì)中可用負(fù)電阻來抵消電源內(nèi)阻，使實(shí)際電源成為理想電源；在有源濾波器和振蕩器設(shè)計(jì)中，負(fù)電阻則可用來控制極點(diǎn)的位置；等等。在工程實(shí)際中不存在獨(dú)立的負(fù)電阻元件，要用其他電路元件來構(gòu)成。本文用Multisim仿真軟件實(shí)現(xiàn)對(duì)負(fù)電阻的仿真和分析，以加深對(duì)負(fù)電阻的理解并對(duì)其理論進(jìn)行驗(yàn)證。

發(fā)表于：7/19/2011

IC Knowledge稱FDSOI制程總體費(fèi)效比優(yōu)于體硅

市調(diào)公司ICKnowledge稱，根據(jù)他們最近完成的一次"嚴(yán)密的"制程成本分析，在22nm及更高級(jí)別節(jié)點(diǎn)制程，F(xiàn)DSOI制程相比體硅制程的總體費(fèi)效比更高。

發(fā)表于：7/19/2011