微波射頻相關(guān)文章 為何電子式電能表需要使用鐵電存儲器(F-RAM) 為何電子式電能表需要使用鐵電存儲器(F-RAM),自從1889年匈牙利工程師OttoBlathy發(fā)明全世界第一個電能表(瓦特瓦時表)原型之后，電能表經(jīng)過一個世紀多的演進：由機械式電表到今日的各種不同型式的電子電能表，包含新的預(yù)付費電能表(pre-paid)復(fù)費率電能 發(fā)表于：7/17/2011 計算機存儲器的層次 了兼顧存儲容量和存儲速度，當(dāng)前計算機幾乎毫無例外地采用了如圖所示的層次式存儲結(jié)構(gòu)。 發(fā)表于：7/16/2011 C6201／C6701 DSP處理器與FLASH存儲器MBM DSP是針對實時數(shù)字信號處理而設(shè)計的數(shù)字信號處理器，由于它具有計算速度快、體積小、功耗低的突出優(yōu)點，非常適合應(yīng)用于嵌入式實時系統(tǒng)。 發(fā)表于：7/16/2011 相變存儲器(PCM)單元中儲存多個位元的方法 相變存儲器(PCM)單元中儲存多個位元的方法,BM蘇黎世研究中心的科學(xué)家們?nèi)涨氨硎荆呀?jīng)發(fā)現(xiàn)能夠可靠地在相變存儲器(PCM)單元中儲存多個位元的方法。該小組采用90nm工藝技術(shù)，在200k單元陣列中實現(xiàn)了每存儲單元為四層(2位元)，并表示已開發(fā)出一種編碼方法，能克 發(fā)表于：7/16/2011 一種相變存儲器的驅(qū)動電路設(shè)計[圖] 本文介紹了一種新型的、結(jié)構(gòu)簡單的相變存儲器驅(qū)動電路設(shè)計，該電路采用電流驅(qū)動方式，主要包括基準電壓電路、偏置電流電路、電流鏡電路及控制電路。 發(fā)表于：7/15/2011 環(huán)境溫、濕度及光照三合一傳感器設(shè)計 在對環(huán)境溫度、濕度和光照度進行測量時，大多使用熱敏電阻、濕敏電容和光敏器件來分別測量溫度、濕度和光照度。這種測量方法一般要設(shè)計相應(yīng)的信號調(diào)理電路，還要經(jīng)過復(fù)雜的標定過程，測量精度難以保證。當(dāng)對兩個以上的參數(shù)進行監(jiān)測時，每一個測量點都必須使用獨立傳感器和獨立的信號調(diào)理電路，這不僅使得測量系統(tǒng)的成本和體積大幅提高，也在一定程度上增加了系統(tǒng)設(shè)計的復(fù)雜性。本設(shè)計采用SHT11溫濕度傳感器芯片和一款集成了ADC的環(huán)境光傳感器MAX9635，實現(xiàn)溫、濕度及光照三合一傳感器設(shè)計。 發(fā)表于：7/15/2011 蘋果的iCloud可能危及未來的NAND需求 由于iPad和iPhone等產(chǎn)品熱銷，預(yù)計今年蘋果仍將是全球最大的NAND閃存買家，占全球需求的30%左右。但據(jù)IHSiSuppli公司的報告：“WilliCloudBringanEndtoLocalNANDStorage”，蘋果新推出的iCloud存儲服務(wù)將來可能明顯削弱NAND需求。 發(fā)表于：7/15/2011 晶硅薄膜效率創(chuàng)16.3%新紀錄 薄膜太陽能組件技術(shù)有了新突破，美國光伏生產(chǎn)商Uni-Solar宣布，其Nano-Crystalline薄膜組件效率了16.3%，創(chuàng)世界紀錄新高。 發(fā)表于：7/15/2011 用于視頻和圖像領(lǐng)域的高密度可編程FIFO存儲器 在這篇文章中，我們將首先介紹幾個視頻應(yīng)用，了解其數(shù)據(jù)路徑及需要處理的數(shù)據(jù)性質(zhì)。下一步，我們將盡力估計在視頻處理通道中操作數(shù)據(jù)的復(fù)雜性。然后會介紹可編程高密度FIFO和其能力，以及它如何能更有效率的替代當(dāng)前傳統(tǒng)的使用SDRAM和FPGA實現(xiàn)幀緩存的方案。 發(fā)表于：7/15/2011 Fox Electronics為小型便攜設(shè)備提供小占位面積、低功耗振蕩器產(chǎn)品 全球領(lǐng)先的頻率控制解決方案供應(yīng)商Fox Electronics Asia Ltd.現(xiàn)推出全新 F100 HCMOS 系列小占位面積、低耗電量振蕩器產(chǎn)品，適用于小型便攜設(shè)備。該系列振蕩器備有1.8V (F110系列)、2.5V (F140系列) 和3.3V (F130系列)三種選擇，頻率范圍在1.0MHz至80.0MHz之間，全部均采用側(cè)高低至0.8mm、占位面積為2.0mm x 1.6mm的緊湊型封裝。 發(fā)表于：7/14/2011 Molex推出Brad® Micro-Change® M12圓形混合技術(shù)(CHT)連接器 全球領(lǐng)先的互連產(chǎn)品供應(yīng)商Molex公司宣布推出創(chuàng)新的Brad® Micro-Change® M12 圓形混合技術(shù)(Circular Hybrid Technology，CHT)連接器，結(jié)合了Cat 5e數(shù)據(jù)速率與電源，具有高信號完整性和極佳的性能。 發(fā)表于：7/14/2011 寬輸入電壓范圍降壓型 DC/DC 控制器具 -55°C 至 150°C 的工作節(jié)溫范圍 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 LTC3851A 的 H 級和 MP 級版本，這些同步降壓型 DC/DC 控制器具有寬輸入電壓范圍 (4V 至 38V)，適用于多種應(yīng)用，涵蓋了大多數(shù)中間總線電壓和電池化學(xué)組成。強大的內(nèi)置 MOSFET 柵極驅(qū)動器允許使用大功率外部 MOSFET，以在 0.8V 至 5.5V 的輸出電壓范圍內(nèi)產(chǎn)生高達 25A 的輸出電流，從而理想地滿足了負載點的要求。這些 H 級和 MP 級版本器件經(jīng)過測試，分別保證工作在 -40°C 至 150°C 和 -55°C 至 150°C 的工作節(jié)溫范圍。應(yīng)用包括汽車系統(tǒng)、工業(yè)、醫(yī)療、數(shù)據(jù)通信和電信。 發(fā)表于：7/14/2011 東芝與Sandisk共慶300mm級NAND閃存工廠Fab 5在日本正式投產(chǎn) 東芝株式會社 (TOKYO：6502) 與SanDisk公司 (NASDAQ：SNDK) 今日共同慶祝位于日本三重縣四日市東芝生產(chǎn)基地的第三家300mm晶圓NAND生產(chǎn)工廠Fab 5正式投產(chǎn)。 發(fā)表于：7/14/2011 FTTx接入下的IPTV業(yè)務(wù)關(guān)鍵需求[圖] 由于IPTV業(yè)務(wù)的快速增長和運營商對組播業(yè)務(wù)可管理、可運營的要求，針對組播技術(shù)的可控組播要求變得越來越重要。 發(fā)表于：7/14/2011 基于Atlas的MFIS結(jié)構(gòu)器件電學(xué)性能模擬 利用Atlas器件模擬軟件，對MFIS結(jié)構(gòu)器件的C—V特性及記憶窗口進行模擬。討論了應(yīng)用電壓、絕緣層厚度及絕緣層材料等因素，對MFIS結(jié)構(gòu)器件記憶能力及穩(wěn)定性的影響，為MFIS結(jié)構(gòu)器件的設(shè)計和性能提高提供了參考。 發(fā)表于：7/14/2011 ?…102103104105106107108109110111…?
