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MEMS快門(mén)預(yù)示著顯示技術(shù)的更大改進(jìn)

一種由Uni-Pixel顯示技術(shù)公司開(kāi)發(fā)的時(shí)序多工光學(xué)快門(mén)技術(shù)，將有望實(shí)現(xiàn)比TFTLCD更亮、更薄、更便宜的顯示器。這種技術(shù)的核心是像素設(shè)計(jì)，就是使用MEMS快門(mén)來(lái)控制顯示器的光通量。

發(fā)表于：7/11/2011

基于STM8S微處理器內(nèi)部EEPROM的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方法

EEPROM（ElectricallyErasableProgrammableRead-OnlyMemory）指的是電子擦除式只讀存儲(chǔ)器，它是一種非易失的存儲(chǔ)器，供電消失后，存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)依然保留，要擦除或改寫(xiě)其中的內(nèi)容只要以電子信號(hào)的方式直接操作即可。EEPROM廣泛應(yīng)用于單片機(jī)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)領(lǐng)域，主要形式是串行I2C總線控制獨(dú)立EEPROM元器件。隨著單片機(jī)的集成度越來(lái)越高，許多芯片廠家在單片機(jī)的內(nèi)部集成有一定數(shù)量的EEPROM存儲(chǔ)空間，如Microchip、ST等等。

發(fā)表于：7/11/2011

寬帶小型化高隔離度SPDT開(kāi)關(guān)的研制

微波開(kāi)關(guān)是微波控制電路中的基本部件，是實(shí)現(xiàn)在各種惡劣環(huán)境和特定的空間內(nèi)將微波信號(hào)進(jìn)行切換的特定功能元件，它在雷達(dá)、電子對(duì)抗、微波通信、衛(wèi)星通信以及微波測(cè)量等方面有著廣泛的應(yīng)用。在此通過(guò)合理的電路布局和結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，結(jié)合微組裝工藝，實(shí)現(xiàn)了在3～12 GHz范圍內(nèi)，插入損耗小于3．2 dB，隔離度大于70 dB，整體尺寸小于20 mm×15 mm×10 mm的一種寬帶小型化SPDT開(kāi)關(guān)。

發(fā)表于：7/9/2011

電阻選型與應(yīng)用知識(shí)系列大講臺(tái)—電阻的應(yīng)用（2）

在上一講中主要涉及三大基本定律（電阻定律、歐姆定律、焦耳定律）和四大基本電路（串聯(lián)分壓、并聯(lián)分流、阻抗匹配和RC充放電路），本講將針對(duì)通過(guò)一些具體的電路，深入分析電阻的應(yīng)用。

發(fā)表于：7/8/2011

基于PNX1501的NandFlash在線燒錄系統(tǒng)

隨著電子產(chǎn)品市場(chǎng)的不斷擴(kuò)大，閃存器無(wú)疑將獲得極大的增長(zhǎng)。這種增長(zhǎng)在很大程度上取決于存儲(chǔ)器的非易失性、低功耗、高密度和重量輕等特點(diǎn)。多項(xiàng)優(yōu)點(diǎn)集于一身使得閃存器在移動(dòng)電子和嵌入式領(lǐng)域中得到了極大的應(yīng)用。而nand-Flash價(jià)格便宜量又足，性價(jià)比也很高，且十分輕便，抗震性也很不錯(cuò)，很適合用來(lái)做數(shù)碼產(chǎn)品，現(xiàn)在的單片nandFlash芯片的存儲(chǔ)容量已經(jīng)可以做到4 GB。很難想像，在一個(gè)大小只有12×20×1.2mm的芯片里可以做到如此的容量。然而，由于Flash管腳多、體積小、一但使用后拆卸很不方便，因此，開(kāi)發(fā)在線燒錄系統(tǒng)也就成為嵌入式開(kāi)發(fā)領(lǐng)域不可缺少的一步。

發(fā)表于：7/8/2011

金沙江創(chuàng)業(yè)投資基金第四期成功募集3.5億美元

中國(guó)領(lǐng)先的高科技創(chuàng)業(yè)投資企業(yè)——金沙江創(chuàng)業(yè)投資基金今天正式宣布，成功募集總額為3.5億美元的金沙江第四期基金。至此，金沙江管理基金總規(guī)模已超過(guò)10億美元。金沙江第四期基金得到了大幅的超額認(rèn)購(gòu)，其中超過(guò)80%的資金來(lái)自于原有投資者。金沙江現(xiàn)有的投資團(tuán)隊(duì)將繼續(xù)管理本期基金，并一如既往地關(guān)注互聯(lián)網(wǎng)和新媒體、無(wú)線通信技術(shù)及其應(yīng)用、半導(dǎo)體器件和新材料、綠色能源以及其他高增長(zhǎng)產(chǎn)業(yè)的投資機(jī)會(huì)。　　

發(fā)表于：7/7/2011

Vishay新款SMD石英晶振具有極小的外形尺寸

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出頻率范圍達(dá)12MHz～25MHz的新款超小型SMD石英晶振--- XT23和XT35。XT23和XT35分別采用3.2mm x 2.5mm和5.0mm x 3.2mm的陶瓷封裝，能夠?qū)崿F(xiàn)更小的終端產(chǎn)品。這兩款器件的高度均為0.8mm。

發(fā)表于：7/7/2011

基于HS1101的濕度傳感器及其變送器的設(shè)計(jì)[圖]

基于HS1101的濕度傳感器及其變送器的設(shè)計(jì)[圖],1引言濕度傳感器是根據(jù)某種物質(zhì)從其周?chē)諝庵形账趾笠鸬奈锢砘蚧瘜W(xué)性質(zhì)的變化，從而獲得該物質(zhì)的吸

發(fā)表于：7/7/2011

高性能32位移位寄存器單元的設(shè)計(jì)[圖]

高性能32位移位寄存器單元的設(shè)計(jì)[圖],1引言隨著CPU設(shè)計(jì)位數(shù)與性能的不斷提高，對(duì)CPU執(zhí)行單元中專用硬件移位寄存器的要求也越來(lái)越高。C

發(fā)表于：7/7/2011

新型塑料薄膜保護(hù)太陽(yáng)能板防水替代玻璃

多年來(lái)，太陽(yáng)能公司一直就想生產(chǎn)輕型、靈活的太陽(yáng)能電池板，可便宜地運(yùn)輸，也易于安裝(展開(kāi)它們就面積很大)。但是他們一直受阻，原因是缺乏性能良好又實(shí)惠的玻璃替代品。

發(fā)表于：7/7/2011

數(shù)字溫度傳感器在測(cè)色系統(tǒng)中的應(yīng)用方案

在光電積分式測(cè)色系統(tǒng)設(shè)計(jì)中，通常選用硅光電池作為光電探測(cè)器，硅光電池能夠把光信息(能量)直接轉(zhuǎn)化成電信息(能量)，便于對(duì)被測(cè)信號(hào)進(jìn)行處理。由于標(biāo)準(zhǔn)光源照明體燈管壁溫度較高，對(duì)探測(cè)器內(nèi)部的溫度影響很大，硅光電池受溫度影響產(chǎn)生電壓漂移，這勢(shì)必會(huì)影響到測(cè)量的精度和穩(wěn)定性。通過(guò)研究硅光電池的光電轉(zhuǎn)換特性隨溫度變化的規(guī)律，設(shè)計(jì)了使用數(shù)字溫度傳感器DSl8820的一種V—T曲線控制補(bǔ)償方法，對(duì)測(cè)色系統(tǒng)進(jìn)行適當(dāng)?shù)碾妷貉a(bǔ)償，使其達(dá)到更好的性能指標(biāo)。

發(fā)表于：7/7/2011

基于HS1101的濕度傳感器及其變送器的設(shè)計(jì)

基于HS1101的濕度傳感器及XTR105變送器設(shè)計(jì)的電路性能好，線性度高，年漂移量小，可以互換，體積小。而且可在寬溫度，全濕度范圍內(nèi)進(jìn)行測(cè)量，具有溫度補(bǔ)償，提高了傳感器的精度，傳輸距離遠(yuǎn)，防靜電特點(diǎn)，所以有很大的推廣價(jià)值。

發(fā)表于：7/6/2011

2012年DRAM產(chǎn)業(yè)削減成本的步伐將會(huì)放緩

據(jù)IHSiSuppli公司的研究，隨著DRAM市場(chǎng)過(guò)渡到效率更高的低納米技術(shù)，該產(chǎn)業(yè)的成本削減及節(jié)省步伐從2012年開(kāi)始將放緩。

發(fā)表于：7/6/2011

第一季度NAND閃存領(lǐng)域競(jìng)爭(zhēng)加劇

據(jù)IHSiSuppli公司的研究，2011年第一季度NAND閃存領(lǐng)域爭(zhēng)奪頭號(hào)排名的競(jìng)爭(zhēng)加劇，排名第二的東芝接近與三星電子平起平坐。長(zhǎng)期以來(lái)，三星一直是最大的NAND閃存廠商。

發(fā)表于：7/6/2011

光伏發(fā)電市場(chǎng)啟動(dòng) 多晶硅價(jià)格有望反彈

多晶硅價(jià)格在經(jīng)過(guò)年初的一波上漲以后，在近兩月連續(xù)大跌，本月持續(xù)下跌14.5%，50美元/公斤（40萬(wàn)人民幣/噸）的價(jià)格已經(jīng)是6年來(lái)的最低價(jià)。

發(fā)表于：7/5/2011