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Vishay Siliconix TrenchFET®功率MOSFET榮獲《電子技術(shù)應(yīng)用》雜志“中國(guó)優(yōu)秀電子產(chǎn)品”獎(jiǎng)

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，其Vishay Siliconix SiR662DP TrenchFET® 榮獲專業(yè)媒體《電子技術(shù)應(yīng)用》(AET)的“中國(guó)優(yōu)秀電子產(chǎn)品”獎(jiǎng)。　

發(fā)表于：12/20/2011

首個(gè)國(guó)家級(jí)元器件平臺(tái)基地落戶東莞，推動(dòng)中國(guó)乃至亞太區(qū)設(shè)計(jì)鏈和供應(yīng)鏈服務(wù)升級(jí)

2011年12月18日上午，中國(guó)電子器材（CEAC）元器件總部基地奠基典禮在東莞松山湖高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)隆重舉行，從而正式拉開集“新型集成電路應(yīng)用設(shè)計(jì)基地”、“現(xiàn)代供應(yīng)鏈服務(wù)配送中心”以及“中國(guó)電子元器件交易中心”三大功能于一身的中國(guó)首個(gè)國(guó)家級(jí)元器件平臺(tái)的開工建設(shè)序幕。

發(fā)表于：12/19/2011

RS Components 勇奪 2011 年香港客戶中心協(xié)會(huì)（HKCCA）三項(xiàng)大獎(jiǎng)

世界領(lǐng)先電子產(chǎn)品和維修產(chǎn)品的高端服務(wù)分銷商，亦是Electrocomponents plc (LSE: ECM) 的交易品牌，RS Components 于2011年香港客戶中心協(xié)會(huì)（HKCCA）頒獎(jiǎng)典禮中獲頒三項(xiàng)大獎(jiǎng)：神秘客戶撥測(cè)金獎(jiǎng)、最佳呼入客戶中心（50 席以下）銀獎(jiǎng)以及最佳呼入客戶中心客戶代表銀獎(jiǎng)。

發(fā)表于：12/19/2011

Fox繼續(xù)擴(kuò)展新任命香港高級(jí)銷售主管

全球領(lǐng)先的頻率控制解決方案供應(yīng)商Fox Electronics公司繼續(xù)擴(kuò)展在亞洲和大中國(guó)區(qū)的機(jī)構(gòu)，宣布提升曾穎琳擔(dān)任高級(jí)銷售主管。曾穎琳在Fox公司香港辦事處工作，專門負(fù)責(zé)重要的EMS客戶，她已在Fox Electronics工作了八年。

發(fā)表于：12/19/2011

科銳推出芯片型碳化硅功率器件助力高效電力電子模組

碳化硅（SiC）功率器件領(lǐng)域的市場(chǎng)領(lǐng)先者科銳公司（Nasdaq: CREE）將繼續(xù)引領(lǐng)高效率電子電力模組變革，宣布推出業(yè)界首款符合全面認(rèn)證的可應(yīng)用于電力電子模組的裸芯片型及芯片型碳化硅MOSFET功率器件。科銳碳化硅ZFET? MOSFET器件和二極管適用于高階電力電子電路，與傳統(tǒng)硅器件相比，可實(shí)現(xiàn)更高的能源效率。

發(fā)表于：12/16/2011

影響電解電容壽命的因素

電解電容廣泛應(yīng)用在電力電子的不同領(lǐng)域，主要是用于平滑、儲(chǔ)存能量或者交流電壓整流后的濾波，另外還用于非精密的時(shí)序延時(shí)等。在開關(guān)電源的MTBF預(yù)計(jì)時(shí)，模型分析結(jié)果表明電解電容是影響開關(guān)電源壽命的主要因素，因此了解、影響電容壽命的因素非常重要。

發(fā)表于：12/16/2011

第79屆中國(guó)電子展

權(quán)威的綜合性專業(yè)電子展。中國(guó)電子展(CEF)始于1964年，是中國(guó)歷史最悠久、最權(quán)威的電子行業(yè)展會(huì)。中國(guó)電子展以領(lǐng)先的基礎(chǔ)電子技術(shù)，促進(jìn)中國(guó)電子產(chǎn)業(yè)自主創(chuàng)新，與中國(guó)電子產(chǎn)業(yè)共同成長(zhǎng)。

發(fā)表于：12/15/2011

Vishay提高VJ HVArc Guard®表面貼裝X7R MLCC的最小容量

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，提高其VJ HVArc Guard®表面貼裝X7R多層陶瓷片式電容器(MLCC)的最低容值。對(duì)于更低的容值，公司會(huì)提供C0G(NP0)電介質(zhì)，電壓范圍1000V～2500V，及采用0805～2225的5種外形尺寸。

發(fā)表于：12/15/2011

安森美半導(dǎo)體溝槽型低正向壓降肖特基整流器新系列提供更高的開關(guān)能效

應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ONNN)推出新系列的100伏(V)溝槽型低正向壓降肖特基整流器(LVFR)，用于筆記本適配器或平板顯示器的開關(guān)電源、反向電池保護(hù)電路及高頻直流-直流(DC-DC)轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用。

發(fā)表于：12/14/2011

纖巧的 1.5W 隔離式低噪聲 DC/DC µModule 轉(zhuǎn)換器包含了變壓器

凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 1.5W 輸出的 DC/DC 微型模塊 (µModule®) 轉(zhuǎn)換器 LTM8047 和 LTM8048，這兩款器件具有 725VDC 電流隔離，采用 9mm x 11.25mm x 4.92mm BGA (球柵陣列) 封裝。所有組件 (包括變壓器、控制電路和電源開關(guān)) 都在這個(gè)小型封閉式 BGA 封裝中，以在振動(dòng)很大的應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)卓越的互連可靠性。這些外形緊湊和可靠的產(chǎn)品在工業(yè)、航空電子及儀表設(shè)備中斷開接地環(huán)路。兩款器件都在 3.1V 至 32V 的輸入電壓范圍內(nèi)工作，在副端提供穩(wěn)定的輸出電壓，而且輸出電壓在 2.5V 至 12V (LTM8047) 和 1.2V 至 12V (LTM8048) 范圍內(nèi)可調(diào)。LTM8048 包括一個(gè)低噪聲線性后置穩(wěn)壓器，可在 300mA 時(shí)將輸出紋波噪聲降至 20µVRMS。

發(fā)表于：12/14/2011

加快傳感器技術(shù)研發(fā)是出路

傳感器在各種電子產(chǎn)品之中應(yīng)用越來(lái)越廣泛，市場(chǎng)對(duì)其的需求也進(jìn)一步提升，特別是國(guó)家一系列節(jié)能減排，鼓勵(lì)發(fā)展綠色環(huán)保產(chǎn)業(yè)華強(qiáng)電子網(wǎng)電子資訊提供最新的電子元器件資訊,電子技術(shù)資訊,LED資訊,IC資訊,非IC資訊,電子信息,展會(huì)信息,這里是您了解最新的電子元器件信息的最佳平臺(tái).

發(fā)表于：12/14/2011

Vishay發(fā)布新系列高性能薄膜電阻網(wǎng)絡(luò)

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出新系列可在-55℃～+215℃寬溫條件下工作的雙通道薄膜電阻網(wǎng)絡(luò)---HTRN系列。該系列電阻網(wǎng)絡(luò)的工作溫度范圍比傳統(tǒng)薄膜片式電阻擴(kuò)大了近100℃，絕對(duì)TCR低至±25ppm/℃，TCR跟蹤為5ppm/℃，以及±0.05%的嚴(yán)格比例容差。

發(fā)表于：12/8/2011

IR為易受成本影響的多相位應(yīng)用推出IR3553 40A PowIRstage以最小尺寸實(shí)現(xiàn)高電流及高效率

全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 今天宣布擴(kuò)充其 PowIRstage 集成式器件系列，推出專為下一代服務(wù)器、消費(fèi)者及通信系統(tǒng)優(yōu)化的 40A IR3553。

發(fā)表于：12/6/2011

ADI推出戰(zhàn)術(shù)級(jí)10自由度MEMS IMU，不懼惡劣環(huán)境

Analog Devices, Inc. (ADI)，全球領(lǐng)先的高性能信號(hào)處理解決方案供應(yīng)商，最近正式全面推出第三代iSensor® MEMS IMU（慣性測(cè)量單元）ADIS16488，這是一款戰(zhàn)術(shù)級(jí)10自由度(DoF)傳感器，在單封裝中集成一個(gè)三軸陀螺儀、一個(gè)三軸加速度計(jì)、一個(gè)三軸磁力計(jì)和一個(gè)壓力傳感器。新款MEMS IMU提供最穩(wěn)定、最完整的集成傳感器套件，支持高性能導(dǎo)航和平臺(tái)穩(wěn)定控制應(yīng)用的嚴(yán)格要求。除了重要的戰(zhàn)術(shù)級(jí)（低于10o/小時(shí)）零偏穩(wěn)定度以外，在重力加速度效應(yīng)、溫度系數(shù)和帶寬等一般更重要的特性方面，ADIS16488同樣超過(guò)所有其它同類陀螺儀/IMU產(chǎn)品，改善最多可達(dá)100倍。此外，在對(duì)線性加速度和振動(dòng)加速度抑制方面，新款iSensor MEMS IMU甚至超過(guò)傳統(tǒng)軍用級(jí)IMU。每個(gè)器件均要經(jīng)過(guò)獨(dú)特而全面的工廠校準(zhǔn)，能夠在最惡劣的環(huán)境下提供無(wú)與倫比的精度；相對(duì)于典型的運(yùn)動(dòng)傳感器開發(fā)，設(shè)計(jì)的復(fù)雜度、時(shí)間、成本和風(fēng)險(xiǎn)大大降低。

發(fā)表于：12/5/2011

ADI推出戰(zhàn)術(shù)級(jí)MEMS陀螺儀，性能匹敵光纖陀螺儀

Analog Devices, Inc. (ADI)，全球領(lǐng)先的高性能信號(hào)處理解決方案供應(yīng)商，最近正式全面推出ADIS16136戰(zhàn)術(shù)級(jí)iSensor®數(shù)字MEMS陀螺儀 (http://www.analog.com/zh/pr1109/adis16136)，其典型零偏穩(wěn)定度為3.5o/小時(shí)，采用火柴盒大小的模塊封裝，功耗低于1 W，重量?jī)H25克。新款戰(zhàn)術(shù)級(jí)（零偏穩(wěn)定度低于10o/小時(shí)）iSensor MEMS陀螺儀，無(wú)需用戶配置就能產(chǎn)生精密準(zhǔn)確的速率檢測(cè)數(shù)據(jù)，使得快速開發(fā)平臺(tái)穩(wěn)定控制、導(dǎo)航、機(jī)器人、醫(yī)療儀器儀表等對(duì)精度要求非常高的應(yīng)用成為可能。

發(fā)表于：12/5/2011