20 MHz～520 MHz寬帶功率放大器的研制
所屬分類：技術(shù)論文
上傳者：aetmagazine
文檔大?。?span>588 K
標簽： GaN 寬帶功放 負反饋
所需積分：0分積分不夠怎么辦？
文檔介紹：新一代半導體材料GaN相比于Si、GaAs等材料，具有禁帶寬、擊穿場強高、熱穩(wěn)定性優(yōu)異等特性，在寬帶功放的設計中被廣泛使用?；贑REE公司的兩款GaN功率芯片進行級聯(lián)，匹配電路為集中元件和分布元件混合，采用負反饋技術(shù)提高帶寬，RC并聯(lián)網(wǎng)絡提高穩(wěn)定性，設計了一款20 MHz～520 MHz的寬帶功放。利用ADS軟件對芯片模型和匹配電路進行優(yōu)化仿真和實際調(diào)試，在20 MHz～520 MHz頻段內(nèi)，功放模塊飽和輸出功率大于9 W，增益大于29.5 dB，漏極效率高于40%，帶內(nèi)平坦度為±0.7 dB。
現(xiàn)在下載
VIP會員，AET專家下載不扣分；重復下載不扣分，本人上傳資源不扣分。