硅基GaN功率器件與驅(qū)動集成設(shè)計
所屬分類：技術(shù)論文
上傳者：wwei
文檔大?。?span>4444 K
標(biāo)簽： GaN 功率IC 單通道
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文檔介紹：為滿足高頻電源模塊的應(yīng)用需求，設(shè)計了一款全GaN功率芯片。芯片集成了驅(qū)動電路和300 V功率管，有效減少分立式封裝所帶來的寄生電感，集成化設(shè)計能夠提升芯片抗噪聲能力和可靠性。芯片在GaN-on-Si工藝平臺進行制備，采用E/D模集成電路設(shè)計。該芯片的驅(qū)動電路在2 MHz開關(guān)頻率下輸出信號上升時間為4.3 ns、下降時間為3.4 ns，芯片的功率管在300 V下能夠穩(wěn)定工作。
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