熱退火對(duì)GaN陰極光電發(fā)射性能的影響
所屬分類：技術(shù)論文
上傳者：v895bv
文檔大小：1286 K
標(biāo)簽： GaN
所需積分：0分積分不夠怎么辦？
文檔介紹：熱退火不但可以大量地減少GaN陰極樣品中的各種缺陷和寄生電容，改善材料的結(jié)晶屬性，而且可以改善樣品的表面質(zhì)量，對(duì)提高樣品的光譜響應(yīng)是一種有力的手段。對(duì)GaN陰極樣品進(jìn)行了不同溫度、不同時(shí)間的退火處理，使樣品的性能得到了改善，最優(yōu)條件下樣品的暗電流僅為200pA，電阻率僅為1.6 Ω.cm，最大光譜響應(yīng)為0.19A/W。依據(jù)光譜響應(yīng)作為評(píng)估標(biāo)準(zhǔn)，可以得出，采用700℃熱退火10min制備出的陰極具有更高的光電發(fā)射性能，從而實(shí)現(xiàn)了GaN光電陰極的優(yōu)化制備工藝。
現(xiàn)在下載
VIP會(huì)員，AET專家下載不扣分；重復(fù)下載不扣分，本人上傳資源不扣分。