梯度掺杂结构GaN光电阴极的稳定性
所屬分類：技术论文
上傳者：v895bv
文檔大?。?span>478 K
標簽： GaN
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文檔介紹：利用NEA GaN光电阴极多信息量测试评估系统，测试出阴极在不同情况下所对应的量子效率曲线，根据测试曲线的不同变化规律，对反射式均匀掺杂和梯度掺杂结构GaN光电阴极的稳定性进行了对比分析。由于梯度掺杂结构可在其发射层内部产生系列内建电场，致使其能带连续向下弯曲，导致其表面真空能级比均匀掺杂样品下降得更低，发射层表面形成的负电子亲和势更明显，造成发射层内的光生电子更易逸出，阴极量子效率的衰减变慢，从而使其稳定性强于均匀掺杂结构。
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