梯度摻雜結(jié)構(gòu)GaN光電陰極的穩(wěn)定性
所屬分類：技術(shù)論文
上傳者：v895bv
文檔大?。?span>478 K
標(biāo)簽： GaN
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文檔介紹：利用NEA GaN光電陰極多信息量測試評估系統(tǒng)，測試出陰極在不同情況下所對應(yīng)的量子效率曲線，根據(jù)測試曲線的不同變化規(guī)律，對反射式均勻摻雜和梯度摻雜結(jié)構(gòu)GaN光電陰極的穩(wěn)定性進(jìn)行了對比分析。由于梯度摻雜結(jié)構(gòu)可在其發(fā)射層內(nèi)部產(chǎn)生系列內(nèi)建電場，致使其能帶連續(xù)向下彎曲，導(dǎo)致其表面真空能級比均勻摻雜樣品下降得更低，發(fā)射層表面形成的負(fù)電子親和勢更明顯，造成發(fā)射層內(nèi)的光生電子更易逸出，陰極量子效率的衰減變慢，從而使其穩(wěn)定性強(qiáng)于均勻摻雜結(jié)構(gòu)。
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