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遼寧沈陽(yáng)要求加快補(bǔ)齊城市電網(wǎng)短板持續(xù)推進(jìn)沈陽(yáng)堅(jiān)強(qiáng)智能電網(wǎng)建設(shè)

10月19日，遼寧沈陽(yáng)市電力建設(shè)領(lǐng)導(dǎo)小組組長(zhǎng)、市長(zhǎng)姜有為主持召開(kāi)2018年沈陽(yáng)市電力建設(shè)領(lǐng)導(dǎo)小組第三次會(huì)議，聽(tīng)取電網(wǎng)建設(shè)有關(guān)情況匯報(bào)，現(xiàn)場(chǎng)協(xié)調(diào)解決具體問(wèn)題。姜有為指出，電網(wǎng)建設(shè)對(duì)沈陽(yáng)振興發(fā)展和民生保障意義十分重大，各地區(qū)和相關(guān)部門(mén)要進(jìn)一步提高認(rèn)識(shí)，落實(shí)責(zé)任，加大工作力度，持續(xù)推進(jìn)沈陽(yáng)堅(jiān)強(qiáng)智能電網(wǎng)建設(shè)。他希望國(guó)網(wǎng)沈陽(yáng)供電公司全力踐行“人民電業(yè)為人民”的企業(yè)宗旨，優(yōu)化建設(shè)方式，加快補(bǔ)齊城市電網(wǎng)短板，營(yíng)造更優(yōu)質(zhì)的供用電環(huán)境，為沈陽(yáng)振興發(fā)展提供強(qiáng)有力保障。

發(fā)表于：10/23/2018

接近開(kāi)關(guān)LJ18A3-8-Z/BX接線方法

接近開(kāi)關(guān)按其外型形狀可分為圓柱型、方型、溝型、穿孔（貫通）型和分離型。園柱型比方型安裝方便，但其檢測(cè)特性相同，溝型的檢測(cè)部位是在槽內(nèi)側(cè)，用于檢測(cè)通過(guò)槽內(nèi)的物體，貫通型在我國(guó)很少生產(chǎn)，而日本則應(yīng)用較為普遍，可用于小螺釘或滾珠之類的小零件和浮標(biāo)組裝成水位檢測(cè)裝置等。

發(fā)表于：10/22/2018

Intel CPU嚴(yán)重缺貨＋漲價(jià)：越南、愛(ài)爾蘭工廠開(kāi)足馬力

近期，Intel一方面要應(yīng)對(duì)來(lái)自AMD日益嚴(yán)重的挑戰(zhàn)威脅，另一方面則要面對(duì)大面積的缺貨和漲價(jià)難題，按照官方說(shuō)法這并非因?yàn)楣?yīng)不足，而是市場(chǎng)需求太旺盛，超出了預(yù)期。

發(fā)表于：10/22/2018

銳翔增程型電動(dòng)飛機(jī)獲頒型號(hào)合格證

2018年10月19日，銳翔增程型電動(dòng)飛機(jī)研制與適航工作總結(jié)報(bào)告會(huì)暨中國(guó)民用航空局（CAAC）型號(hào)合格證（TC）頒發(fā)儀式在沈陽(yáng)航空航天大學(xué)國(guó)際報(bào)告廳隆重舉行。

發(fā)表于：10/22/2018

真正的汽車0級(jí)認(rèn)證和低壓1級(jí)汽車級(jí)EEPROM支持下一代特性

我們處于惡劣的環(huán)境中，對(duì)于集成電路更甚，最常見(jiàn)的可能是汽車。在汽車行業(yè)，常需設(shè)計(jì)能承受溫度達(dá)+125°C的電子控制單元以實(shí)現(xiàn)安全至上的特性，對(duì)于滿足這一要求的器件，行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)是AECQ-100汽車1級(jí)，其中1級(jí)指該器件已經(jīng)過(guò)在-40°C到+125°C之間的環(huán)境溫度范圍內(nèi)運(yùn)行的測(cè)試。

發(fā)表于：10/22/2018

ASML新款EUV光刻機(jī)將于明年出貨，產(chǎn)能提升24%？

ASML公司日前發(fā)布2018年Q3季度財(cái)報(bào)，當(dāng)季營(yíng)收27.8億歐元，凈利潤(rùn)6.8億歐元，出貨了5臺(tái)EUV光刻機(jī)，全年預(yù)計(jì)出貨18臺(tái)，明年將增長(zhǎng)到30臺(tái)，而且明年下半年會(huì)推出新一代的NXE:3400C型光刻機(jī)，生產(chǎn)能力從現(xiàn)在的每小時(shí)125晶圓提升到155片晶圓以上，意味著產(chǎn)能提升24%。

發(fā)表于：10/21/2018

汽車核心零部件不用靠進(jìn)口，中國(guó)制造給你中國(guó)自信

汽車領(lǐng)域已從單一企業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)升級(jí)到產(chǎn)業(yè)體系和配套能力的競(jìng)爭(zhēng)，連較為封閉的日本汽車零部件供應(yīng)鏈都在加速往中國(guó)轉(zhuǎn)移。

發(fā)表于：10/21/2018

華力微12寸產(chǎn)線正式投產(chǎn)：下一步進(jìn)攻14nm

隨著國(guó)內(nèi)市場(chǎng)對(duì)中高端芯片產(chǎn)品需求的增長(zhǎng)，集成電路生產(chǎn)線建設(shè)備受重視。18日上午11時(shí)，華虹集團(tuán)六廠（華力二期）生產(chǎn)線的首批12英寸硅片進(jìn)入工藝機(jī)臺(tái)，開(kāi)始28納米芯片產(chǎn)品制造。

發(fā)表于：10/19/2018

Microchip dsPIC33CH雙核數(shù)字信號(hào)控制器在貿(mào)澤開(kāi)售高性能電機(jī)控制之選

貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開(kāi)始分銷Microchip Technology的dsPIC33CH雙核數(shù)字信號(hào)控制器 (DSC)。此控制器在單個(gè)芯片中集成了兩個(gè)dsPIC DSC 內(nèi)核，是dsPIC33系列中首款可選擇支持具有靈活數(shù)據(jù)速率的控制器局域網(wǎng) (CAN-FD) 協(xié)議的控制器，帶寬更高，通信功能更強(qiáng)。dsPIC33CH 控制器適用于需要復(fù)雜算法的高性能嵌入式應(yīng)用，包括電機(jī)控制、伺服器電源、汽車傳感器、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng) (IIoT) 系統(tǒng)、無(wú)線電源以及工業(yè)自動(dòng)化。

發(fā)表于：10/19/2018

南亞科：DRAM需求保守，將下調(diào)資本支出

DRAM大廠南亞科今昨日公布第3季財(cái)報(bào)，展望后市，南亞科總經(jīng)理李培瑛不諱言，第4季DRAM需求相對(duì)前半年保守，預(yù)期單季平均銷售單價(jià)可能下滑5%左右，PC需求為目前唯一表現(xiàn)趨緩的應(yīng)用，且由于第3季DRAM供應(yīng)商增加投片量，南亞科已下修今年資本支出逾1成，明年仍得視國(guó)際局勢(shì)變化，預(yù)期價(jià)格將在合理范圍內(nèi)緩跌。

發(fā)表于：10/18/2018

MLCC龍頭先后擴(kuò)產(chǎn)，但仍將缺貨兩年

日本大廠積極擴(kuò)建積層陶瓷電容（MLCC）產(chǎn)能。日媒報(bào)導(dǎo)，京瓷評(píng)估新建廠房擴(kuò)充MLCC產(chǎn)能，預(yù)計(jì)2021年完工，因應(yīng)車用和智慧型手機(jī)需求。

發(fā)表于：10/18/2018

NB-IoT將為智能門(mén)鎖帶來(lái)哪些改變？

有別于傳統(tǒng)機(jī)械門(mén)鎖，在現(xiàn)代門(mén)禁系統(tǒng)當(dāng)中各種各樣的智能鎖具帶給人們諸多便利。而其中無(wú)線通訊技術(shù)給智能門(mén)鎖的安裝布置提供了更多方便。NB-IoT作為當(dāng)下最熱門(mén)的無(wú)線技術(shù)，會(huì)帶來(lái)哪些新優(yōu)勢(shì)呢？

發(fā)表于：10/18/2018

英特爾制造業(yè)務(wù)將一分為三

據(jù)外媒可靠消息，Intel旗下的技術(shù)和制造業(yè)務(wù)將拆分為三個(gè)不同部門(mén)，顯然是10nm工藝遲遲無(wú)法大規(guī)模量產(chǎn)導(dǎo)致的。據(jù)悉，Intel技術(shù)與制造事業(yè)部(Technology and Manufacturing Group)的主管Sohail Ahmed將在下個(gè)月離職，他從2016年起負(fù)責(zé)這一職務(wù)。

發(fā)表于：10/18/2018

硅晶圓出貨看增預(yù)計(jì)一路創(chuàng)新高到2021年

國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SEMI)看好今年全球硅晶圓出貨量可望持續(xù)增加，將續(xù)創(chuàng)歷史新高紀(jì)錄，并預(yù)期硅晶圓出貨量將一路成長(zhǎng)到2021年。

發(fā)表于：10/17/2018

5nm以后的晶體管選擇

推動(dòng)晶體管往5nm以下節(jié)點(diǎn)微縮是VLSI工業(yè)的關(guān)鍵問(wèn)題之一，因?yàn)樵阶冊(cè)叫〉木w管帶來(lái)了各種各樣的挑戰(zhàn)，全世界也正在就這個(gè)問(wèn)題進(jìn)行一些深入研究以克服未來(lái)技術(shù)節(jié)點(diǎn)的挑戰(zhàn)。在本文，我們回顧了包括如碳納米管FET，Gate-All-Around FET和化合物半導(dǎo)體在內(nèi)的潛在晶體管結(jié)構(gòu)和材料，他們被看做解決現(xiàn)有的硅FinFET晶體管在5nm以下節(jié)點(diǎn)縮放的問(wèn)題。

發(fā)表于：10/17/2018