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功率模塊清洗中的常見“重災區(qū)”

　　功率模塊的生產(chǎn)流程如下圖所示。在DIE將芯片附著到DBC基板上后，焊點和DIE表面會有助焊劑殘留物，焊劑殘留在模具表面可能導致焊絲粘接過程中出現(xiàn)無跡現(xiàn)象。為了后續(xù)工藝的可靠。去除助焊劑是必要的。之后采用大直徑鋁線鍵合技術在芯片和銅表面內(nèi)利用超聲波技術進行互連，并采用多根平行線鍵合，提高載流能力，將電流分散到整個DIE表面，避免電流擁擠。由于引線鍵合也使用錫膏作為互連材料，所以在產(chǎn)品封裝成型之前，引腳或散熱器表面的殘留物同樣需要清洗。

發(fā)表于：12/31/2023

貿(mào)澤電子和TE Connectivity聯(lián)手發(fā)布新電子書

　　2023年12月27日 – 專注于引入新品的全球電子元器件和工業(yè)自動化產(chǎn)品授權代理商貿(mào)澤電子（Mouser Electronics）與全球知名的連接器和傳感器制造商TE Connectivity聯(lián)手發(fā)布了一本新電子書，探討電動汽車和快速發(fā)展的互聯(lián)交通的現(xiàn)況。這本新電子書重點介紹了一些新興工程主題，如V2X生態(tài)系統(tǒng)、5G車隊遠程信息處理、大功率電動汽車充電的未來以及其他設計趨勢，對電動汽車和互聯(lián)交通領域的電動交通革命提供了深刻見解。

發(fā)表于：12/31/2023

“技術、產(chǎn)業(yè)、格局大洗牌”第三代半導體將進入“戰(zhàn)國時代”

全球半導體產(chǎn)業(yè)終結連續(xù)高增長，進入調(diào)整周期。與此形成對比，在新能源汽車、光伏、儲能等需求帶動下，第三代半導體產(chǎn)業(yè)保持高速發(fā)展。半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展至今經(jīng)歷了三個階段，第一代半導體材料以硅（Si）為代表，以砷化鎵（GaAs）為代表的第二代半導體材料和以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、氧化鋅（ZnO）等寬禁帶為代表的第三代半導體材料。相較前兩代產(chǎn)品，第三代半導體最大的優(yōu)點在于能夠適應高壓，高頻和高溫的極端環(huán)境，性能大幅提升。

發(fā)表于：12/29/2023

曾經(jīng)的半導體“尖子生”，如今居然要燒錢“交學費”

了恢復在全球半導體行業(yè)的主導地位，在這一全球最受關注的行業(yè)擁有足夠的話語權，日本正在以政府主導的方式，不惜一切代價加大投入力度。但如此豪賭能否如愿以償獲得+成功，存在極大的不確定因素。上世紀80年代曾是日本半導體產(chǎn)業(yè)極為輝煌的時代，其時在全球的半導體產(chǎn)業(yè)中，日本占據(jù)了半壁江山以上，前十大企業(yè)有6家是日本的，前四名被日本囊括，例如1988年日本就占到全球半導體產(chǎn)值的50.3%。但由于遭到美國的無情打壓以及日本本身的戰(zhàn)略失誤，此后日本半導體產(chǎn)業(yè)一蹶不振，一路下滑，目前在全球十大半導體企業(yè)中日本全軍覆沒，日本半導體產(chǎn)業(yè)占全球比重不到10%。如今臺積電和三星的3納米芯片早已進入量產(chǎn)階段，但日本卻還在40納米階段艱難爬坡。

發(fā)表于：12/29/2023

硅晶圓，供過于求態(tài)勢延至2025年？

近日，硅晶圓三巨頭信越化學、Sumco、Global Wafers最新財報數(shù)據(jù)顯示，三季度營收獲利有所下降，市場狀況整體疲軟，目前企業(yè)出貨量仍繼續(xù)下降。

發(fā)表于：12/28/2023

中國申請半導體專利占比增至71.7%：國產(chǎn)芯片真的崛起

12月28日消息，據(jù)外媒報道稱，中國申請的半導體專利占比自2003年的14%劇增至2022年的71.7%，這是跟美國競爭的直接成果。大韓商工會議所對韓國、美國、中國、日本、歐盟等世界五大知識產(chǎn)權局(IP5)申請的半導體專利進行分析后發(fā)現(xiàn)，中國申請的半導體專利占比自2003年的14%劇增至2022年的71.7%。隨著半導體競爭越發(fā)激烈，核心技術向美中集中的現(xiàn)象也越來越明顯。報道稱，從申請專利數(shù)量上來看，中國“半導體技術崛起”得到了確認。據(jù)分析，過去10年，中國在半導體小部件領域和舊型通用半導體、最尖端半導體等領域獲得了技術專利。2018年至2022年，中國在IP5中半導體專利申請數(shù)(135428件)排名第一，遠超排名第二的美國(87573件)。

發(fā)表于：12/28/2023

貿(mào)澤電子全新宣傳片斬獲2023年度W.AWARDS金網(wǎng)獎

在剛揭曉的2023 年度W.AWARDS金網(wǎng)獎評選中，貿(mào)澤電子最新的一站搞定系列之品牌宣傳片《隨時創(chuàng)造你的奇跡》、《精準搜羅元器件只要輕松一鍵》和《采購飛一般》榮獲視頻廣告創(chuàng)意銀獎和銅獎、廣告片銅獎。

發(fā)表于：12/21/2023

TE Connectivity連續(xù)第12 年入選“道瓊斯可持續(xù)發(fā)展指數(shù)”

　　瑞士沙夫豪森——2023年12月13日——連接和傳感領域的全球行業(yè)技術領先企業(yè)TE Connectivity （以下簡稱“TE”）連續(xù)第12年入選道瓊斯可持續(xù)發(fā)展指數(shù)。再次入選該指數(shù)證明了TE不懈地致力于既為客戶創(chuàng)造價值、又符合公司對投資者的承諾的可持續(xù)商業(yè)實踐。

發(fā)表于：12/19/2023

思特威獲評“2024中國IC風云榜年度優(yōu)秀創(chuàng)新產(chǎn)品獎”！

　　2023年12月18日，中國北京 — 思特威（上海）電子科技股份有限公司（股票簡稱：思特威，股票代碼：688213）12月16日，2024中國半導體投資聯(lián)盟年會暨中國IC風云榜頒獎典禮在北京順利舉行。大會圍繞“重組創(chuàng)變，整合致勝”主題，聚焦四大亮點，構建“點、線、面”相結合，多層次、立體化的大會，以全球視野為背景，探析宏觀局勢，洞察半導體產(chǎn)業(yè)趨勢和未來新機遇。

發(fā)表于：12/19/2023

大聯(lián)大詮鼎集團推出基于Qualcomm產(chǎn)品的LE Audio智能音箱方案

　　2023年12月14日，致力于亞太地區(qū)市場的國際領先半導體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布，其旗下詮鼎推出基于高通（Qualcomm）QCC3083芯片的LE Audio智能音箱方案。

發(fā)表于：12/18/2023

SK 海力士下代HBM將采2.5D扇出封裝

SK 海力士準備首次將2.5D 扇出（Fan out）封裝作為下一代內(nèi)存技術。根據(jù)業(yè)內(nèi)消息，SK海力士準備在HBM后下一代DRAM中整合2.5D扇出封裝技術。

發(fā)表于：12/14/2023

Melexis推出新款微型3D磁力計，拓展性能極限

　　2023年12月13日，比利時泰森德洛——全球微電子工程公司Melexis今日宣布，推出Triaxis®微功耗磁力計MLX90394。這是一款基于霍爾效應的微型傳感器，其完美的實現(xiàn)低噪音、微電流消耗和成本之間的平衡。該產(chǎn)品具有即時可選模式和先進的可配置性，可實現(xiàn)出色的可復用性并加快產(chǎn)品上市。這款非接觸式解決方案適用于游戲和工業(yè)外圍設備中的旋轉(zhuǎn)、線性和3D操縱桿控制。

發(fā)表于：12/14/2023

DELO 工業(yè)粘合劑擴大在醫(yī)療電子產(chǎn)品行業(yè)的影響力

　　慕尼黑/上海，2023年12月6日 | 總部設在德國、業(yè)務遍布全球的粘合劑制造商 DELO 工業(yè)粘合劑現(xiàn)已開始進軍醫(yī)療產(chǎn)品應用。公司計劃將其先進的粘合劑、微型化和原材料專業(yè)知識應用于血糖監(jiān)測貼片、生物傳感器和微流控等醫(yī)療技術的研發(fā)，并針對未來客戶的特定應用和要求開發(fā)新型醫(yī)用級粘合劑。

發(fā)表于：12/14/2023

SK 海力士擠下三星成服務器DRAM 霸主

據(jù)TrendForce 研究顯示，受惠工業(yè)級服務器存儲器DDR5 滲透率大幅提升，今年第三季，SK 海力士（SK hynix）成功擠下三星電子（Samsung Electronics），躍升為全球最大服務器DRAM 廠商。

發(fā)表于：12/12/2023

內(nèi)存大漲價！

中國臺灣工商時報11月29日報道，存儲芯片大廠減產(chǎn)保價策略奏效，Q4合約價報價優(yōu)于市場預期，DDR5上漲15-20％，DDR4上漲10-15％，DDR3上漲10％，漲幅優(yōu)于原先預估的5-10％。

發(fā)表于：12/12/2023