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消費(fèi)電子最新文章

Microchip發(fā)布多核64位微處理器系列產(chǎn)品，進(jìn)一步擴(kuò)展處理器產(chǎn)品線

　　實(shí)時(shí)計(jì)算密集型應(yīng)用（如智能嵌入式視覺和機(jī)器學(xué)習(xí)）正在推動(dòng)嵌入式處理需求的發(fā)展，要求在邊緣實(shí)現(xiàn)更高的能效、硬件級(jí)安全性和高可靠性。Microchip Technology Inc.（微芯科技公司）今日發(fā)布PIC64系列產(chǎn)品，進(jìn)一步擴(kuò)大計(jì)算范圍，滿足當(dāng)今嵌入式設(shè)計(jì)日益增長(zhǎng)的需求。

發(fā)表于：2024/7/11

Melexis馬來(lái)西亞晶圓測(cè)試基地盛大落成，實(shí)現(xiàn)戰(zhàn)略擴(kuò)張

　　2024年07月10日，馬來(lái)西亞古晉——全球微電子工程公司邁來(lái)芯宣布，其位于馬來(lái)西亞砂拉越州古晉的全球最大晶圓測(cè)試基地已圓滿落成。此次擴(kuò)張不僅標(biāo)志著邁來(lái)芯對(duì)半導(dǎo)體增長(zhǎng)需求的積極響應(yīng)，也體現(xiàn)公司在亞太地區(qū)擴(kuò)大的影響力和市場(chǎng)覆蓋的戰(zhàn)略布局。

發(fā)表于：2024/7/11

Nexperia的650 V兩種超快速恢復(fù)整流二極管采用D2PAK真雙引腳封裝，具備高效率和高可靠性

　　奈梅亨，2024 年 7 月 10 日：Nexperia今天推出了采用D2 PAK真雙引腳（R2P）封裝的650V兩種超快速恢復(fù)整流二極管，可用于各種工業(yè)和消費(fèi)應(yīng)用，包括充電適配器、光伏（PV）、逆變器、服務(wù)器和開關(guān)模式電源（SMPS）。

發(fā)表于：2024/7/11

英飛凌推出提升消費(fèi)和工業(yè)應(yīng)用性能的CoolGaN 700 V功率晶體管

【2024年7月11日，德國(guó)慕尼黑訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出全新CoolGaN?晶體管700 V G4產(chǎn)品系列。與市場(chǎng)上的其他氮化鎵（GaN）產(chǎn)品相比，該系列晶體管的輸入和輸出性能優(yōu)化了20%，從而提高效率，降低功率損耗，并提供了更具成本效益的解決方案。憑借電氣特性與封裝的優(yōu)勢(shì)結(jié)合，它們能夠在消費(fèi)類充電器和筆記本適配器、數(shù)據(jù)中心電源、可再生能源逆變器、電池存儲(chǔ)等眾多應(yīng)用中發(fā)揮出色的性能。

發(fā)表于：2024/7/11

AMD6.65億美元收購(gòu)芬蘭AI初創(chuàng)公司Silo AI

AMD 豪擲 6.65 億美元收購(gòu)芬蘭 AI 初創(chuàng)公司 Silo AI，欲與英偉達(dá)爭(zhēng)鋒

發(fā)表于：2024/7/11

三星正式回應(yīng)自家3nm工藝良率不到20%傳聞

三星回應(yīng)“投資8400億自家3nm工藝良率不到20%”：性能、產(chǎn)能步入正軌

發(fā)表于：2024/7/11

2024年一季度5G手機(jī)芯片市場(chǎng)聯(lián)發(fā)科高居第一

7月10日消息，近日，市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Omdia發(fā)布的最新報(bào)告顯示，2024年一季度，在全球5G智能手機(jī)市場(chǎng)，搭載聯(lián)發(fā)科處理器的5G智能手機(jī)占比高達(dá)29.2%，同比增加了6.4個(gè)百分點(diǎn)，排名第一！高通以26.5%的份額位居第二，緊隨其后的則是蘋果、三星、谷歌、華為和紫光展銳，合計(jì)市占率為17%。從出貨量來(lái)看，一季度基于聯(lián)發(fā)科芯片的5G智能手機(jī)從去年同期的3470 萬(wàn)部增長(zhǎng)至5300萬(wàn)部，同比大幅增長(zhǎng)53%。相比之下，基于高通驍龍芯片的5G智能手機(jī)出貨量則保持相對(duì)穩(wěn)定，由去年同期的4720萬(wàn)部小幅增長(zhǎng)至4830萬(wàn)部，但是其市占率則由去年同期的31.2%下降到了26.5%。

發(fā)表于：2024/7/11

報(bào)告稱HBM芯片明年月產(chǎn)能突破54萬(wàn)顆

同比增長(zhǎng) 105%，報(bào)告稱 HBM 芯片明年月產(chǎn)能突破 54 萬(wàn)顆 7 月 10 日消息，工商時(shí)報(bào)今天報(bào)道稱，在 SK 海力士、三星、美光三巨頭的大力推動(dòng)下，2025 年高帶寬內(nèi)存（HBM）芯片每月總產(chǎn)能為 54 萬(wàn)顆，相比較 2024 年增加 27.6 萬(wàn)顆，同比增長(zhǎng) 105%。

發(fā)表于：2024/7/11

英飛凌推出CoolGaN雙向開關(guān)和CoolGaN Smart Sense

【2024年7月9日，德國(guó)慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日推出兩項(xiàng)全新的CoolGaN?產(chǎn)品技術(shù)：CoolGaN?雙向開關(guān)（BDS）和CoolGaN? Smart Sense。CoolGaN? BDS擁有出色的軟開關(guān)和硬開關(guān)性能，提供40 V、650 V 和 850 V電壓雙向開關(guān)，適用于移動(dòng)設(shè)備USB端口、電池管理系統(tǒng)、逆變器和整流器等。

發(fā)表于：2024/7/10

消息稱臺(tái)積電下周試生產(chǎn)2nm芯片

消息稱臺(tái)積電下周試生產(chǎn)2nm芯片

發(fā)表于：2024/7/10

新思科技面向Intel代工推出可量產(chǎn)的多裸晶芯片設(shè)計(jì)參考流程

新思科技（Synopsys, Inc.）近日宣布推出面向英特爾代工EMIB先進(jìn)封裝技術(shù)的可量產(chǎn)多裸晶芯片設(shè)計(jì)參考流程，該流程采用了Synopsys.ai? EDA全面解決方案和新思科技IP。該經(jīng)過(guò)優(yōu)化的參考流程提供了一個(gè)統(tǒng)一的協(xié)同設(shè)計(jì)與分析解決方案，通過(guò)新思科技3DIC Compiler加速?gòu)男酒较到y(tǒng)的各個(gè)階段的多裸晶芯片設(shè)計(jì)的探索和開發(fā)。此外，新思科技3DSO.ai與新思科技3DIC Compiler原生集成，實(shí)現(xiàn)了信號(hào)、電源和熱完整性的優(yōu)化，極大程度地提高了生產(chǎn)力并優(yōu)化系統(tǒng)性能。

發(fā)表于：2024/7/10

三星2nm制程與2.5D封裝獲日本Preferred Networks訂單

7月9日，韓國(guó)三星電子宣布，與日本AI芯片新創(chuàng)公司Preferred Networks達(dá)成合作，將為其提供2nm GAA制程以及2.5D Interposer-Cube S（I-Cube S）封裝服務(wù)。三星稱，其一站式服務(wù)解決方案將幫助Preferred Networks生產(chǎn)功能強(qiáng)大的AI芯片，滿足生成式AI市場(chǎng)算力需求。雙方還計(jì)劃展示下代數(shù)據(jù)中心和生成式AI計(jì)算市場(chǎng)的突破性AI芯片解決方案。

發(fā)表于：2024/7/10

HBM芯片之爭(zhēng)愈演愈烈

HBM芯片之爭(zhēng)愈演愈烈韓國(guó)芯片制造商SK海力士 (SK Hynix Inc.)與其全球同行一樣，基本上都是內(nèi)部設(shè)計(jì)和生產(chǎn)半導(dǎo)體，包括高容量存儲(chǔ)器 (HBM)，不同于AI芯片，其需求正在爆炸式增長(zhǎng)。然而，對(duì)于下一代AI芯片HBM4，該公司計(jì)劃將芯片制造外包給代工廠或合同芯片制造商，最有可能的是臺(tái)灣半導(dǎo)體制造股份有限公司 (TSMC)。進(jìn)一步的是，這家韓國(guó)芯片制造商正在積極尋找頂尖人才，以推進(jìn)自己的 HBM 技術(shù)并購(gòu)?fù)獍?。該公司的主要獵頭目標(biāo)是誰(shuí)？它的同城競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手三星電子公司。

發(fā)表于：2024/7/10

亞馬遜推出第四代Graviton4芯片

亞馬遜推出第四代Graviton4芯片，加速云計(jì)算與AI領(lǐng)域布局

發(fā)表于：2024/7/10

壁仞科技：?jiǎn)蝹€(gè)國(guó)產(chǎn)AI芯片不強(qiáng)但可靠數(shù)量和軟件加持

壁仞科技：?jiǎn)蝹€(gè)國(guó)產(chǎn)AI芯片不強(qiáng)但可靠數(shù)量和軟件加持

發(fā)表于：2024/7/10