工業(yè)自動(dòng)化最新文章 攀登勇者，志在巅峰 | 中微公司二十载风华正茂，临港基地落成共启新篇章 中国上海，2024年8月2日——中微半导体设备（上海）股份有限公司（以下简称“中微公司”，上交所股票代码：688012）今日迎来成立20周年纪念日，并于临港产业化基地隆重举行“20周年盛会华章暨临港基地落成庆典”。上海市委常委、临港新片区党工委书记、管委会主任陈金山等各级相关政府领导、行业合作伙伴、股东代表等约800人出席活动，共同见证了这一具有深远意义的重要时刻。临港产业化基地的正式投入使用，为中微公司风华正茂二十载的发展历程再添辉煌一笔，为未来的加速发展注入新的活力和动力， 也为不断攀登巅峰的征程开启了新篇章。 發(fā)表于：2024/8/6 台积电2025年5nm和3nm制程涨价3%~5% 台积电2025年5nm和3nm制程涨价3%~5%，已于7月通知客户 發(fā)表于：2024/8/6 俄罗斯目前仅有5台老式ASML光刻机 8月1日消息，自俄乌冲突爆发之后，俄罗斯被众多国家和地区制裁，导致各种半导体芯片及设备的进口都受到了限制。这也迫使俄罗斯加大了对于自研、本土制造芯片的投入，但依然会面临设备、材料等很多方面的瓶颈。不过，据外媒《The Insider》报导，俄罗斯目前仍然可以通过一些途径从中国台湾进口半导体硅片等产品，这些是制造芯片所必须的原材料。 發(fā)表于：2024/8/6 imec Si MOS量子点制造实现了创纪录的低电荷噪声 近日，比利时微电子研究中心（imec）宣布成功演示了高质量 300 毫米硅基量子点自旋量子比特处理，该设备在 1Hz 时产生具有统计意义的平均电荷噪声 0.6µeV/√ Hz。就噪声性能而言，所获得的值是在 300 毫米晶圆厂兼容平台上实现的最低电荷噪声值。如此低的噪声值可实现高保真量子比特控制，因为降低噪声对于保持量子相干性和高保真控制至关重要。通过在 300 毫米 Si MOS 量子点工艺上反复且可重复地演示这些值，这项工作使基于硅基量子点的大规模量子计算机成为现实。 發(fā)表于：2024/8/6 全新晶体管3D成像技术来袭 8月5日消息，近日瑞士保罗·谢勒研究院的一组科学家，包括Tomas Aidukas和Mirko Holler，与瑞士苏黎世联邦理工学院的Gabriel Aeppli和美国南加州大学的Tony Levi一起开发出了改进的X射线成像技术，被称之为 ptychographic X 射线层析成像 （PyXL）技术，分辨率高达4nm，可以在不破坏芯片的前提下，提供芯片内部晶体管及布线的清晰的3D图像，以揭示芯片内部的设计/制造缺陷。 發(fā)表于：2024/8/6 中国新公司的涌现速度超过了美国禁令所能打击的速度 中国新公司的涌现速度超过了美国禁令所能打击的速度 發(fā)表于：2024/8/6 极氪首位人形机器人员工上岗 8月5日消息，优必选科技近日宣布与吉利和天奇股份建立战略合作关系。 三方将利用各自的优势资源，共同推动人形机器人在汽车及零部件智能制造领域的应用，并联合创建创新示范项目 發(fā)表于：2024/8/6 中兴星云研发大模型通过备案 中兴通讯官微今日宣布，在近日发布的广东省生成式人工智能服务备案公告中，中兴星云研发大模型顺利完成各项评估，通过备案。 据介绍，中兴星云研发大模型支持需求、设计、编程、测试等不同阶段的 30 多种场景和多种主流编程语言，为开发者提供一站式、智能化的研发体验。 中兴星云研发大模型号称代码生成能力达 GPT-4 水平，并在单元测试准确率、覆盖率“大幅超越”GPT-4 Turbo，助力编码提效 30%、整体研发提效 10%。 發(fā)表于：2024/8/5 SEMI：第二季全球半导体硅片出货面积环比增长7.1% SEMI：第二季全球半导体硅片出货面积环比增长7.1%，创四个季度新高 發(fā)表于：2024/8/5 安森美旗下氮化镓芯片代工厂BelGaN申请破产 8月3日消息，位于比利时奥德纳尔德的氮化镓（GaN）芯片代工厂BelGaN已申请破产。 资料显示，BelGaN团队和工厂源于1983年成立的MIETEC，后来该公司被阿尔卡特收购，再后来又被AMI Semiconductor收购，2008年，该公司又被出售给了安森美半导体，并于2009年开始开发GaN，致力于成为欧洲领先的6英寸和8英寸氮化镓汽车半导体代工厂。 發(fā)表于：2024/8/5 Group1公司推出全球首款18650钾离子电池 8月4日消息，Group1公司最近宣布了一项突破性进展，推出了全球首款18650圆柱形钾离子电池，这可能为传统锂离子电池提供一种可持续且经济高效的替代品。 钾离子电池使用钾离子作为电荷载体，与常见的锂离子电池不同，但采用了相同的尺寸规格，使得这种新型电池能够无缝集成到现有设备和应用中。 發(fā)表于：2024/8/5 中国聚集全球LCD电视面板所有产能只差一步 8月5日消息，8月1日，LGD（乐金显示）和TCL华星（CSOT）均发布了公告，TCL华星成为LGD广州第8.5代LCD工厂股权竞买的优先竞买方，将开启排他性谈判。 这标志着业内有史以来最大的一笔并购案开始实现，下一步主要是确定包括具体交易价格在内的协议细节以及完成交易的时间。 洛图科技（RUNTO）预测，该交易的价格将不超过110亿人民币，并有望在年底前完成交割。 一旦收购完成，TCL华星在LCD电视面板市场的出货量份额预计将增加约6.0个百分点，达到26.5%；同时，中国大陆厂商的总市场份额将升至72.0%以上，甚至可能接近80%。 發(fā)表于：2024/8/5 村田在中国起诉国产电感龙头顺络电子侵犯发明专利 村田在中国起诉国产电感龙头顺络电子侵犯发明专利 發(fā)表于：2024/8/5 特斯拉10万颗芯片超级计算集群命名Cortex 8月4日消息，马斯克在周末参观了最近建成的得克萨斯州超级计算集群后，透露该工厂的名称为“Cortex”。 马斯克介绍，“Cortex”拥有约10万颗英伟达H100和H200芯片，用于训练全自动驾驶（FSD）和人形机器人擎天柱（Optimus）的神经网络。 發(fā)表于：2024/8/5 SK海力士计划在2025年底量产400层NAND Flash 8月3日消息，据etnews报道，SK海力士计划在2025年上半年量产321层NAND Flash之后，在2025年底开始量产400层NAND Flash，并希望在2026年上半年过渡到大规模生产。 然而，要想量产高达400层的NAND Flash并不容易，生产过程中需要用到多种键合技术。SK海力士已经在审查用于键合的新材料，并研究各种技术，这些技术将允许通过抛光、蚀刻、沉积和布线等方法连接不同的晶圆。 整个过程需要几个步骤，如Cell结构设计，重点是每层Cell的排列和堆叠。然后通过清洗和沉积SiO2和Si3N4薄膜层来制备硅片。然而，当通过大量重复逐一堆叠层时，该过程需要细致地执行。 發(fā)表于：2024/8/5 <…194195196197198199200201202203…>
