工業(yè)自動(dòng)化最新文章 騰訊云推出國(guó)內(nèi)首個(gè)AIGC云存儲(chǔ)解決方案 國(guó)內(nèi)首個(gè)！騰訊云推出AIGC云存儲(chǔ)解決方案 發(fā)表于：4/8/2024 臺(tái)積電將獲美國(guó)至多66億美元直接補(bǔ)貼 臺(tái)積電將獲美國(guó)至多 66 億美元直接補(bǔ)貼，建設(shè)第三座在美晶圓廠 發(fā)表于：4/8/2024 意法半導(dǎo)體全新的一體化MEMS Studio桌面軟件解決方案 2024 年 4月 3 日，中國(guó)——意法半導(dǎo)體的 MEMS Studio是一款新的多合一的MEMS傳感器功能評(píng)估開發(fā)工具，與 STM32 微控制器生態(tài)系統(tǒng)的關(guān)系密切，支持Windows、MacOS 和 Linux操作系統(tǒng)。 發(fā)表于：4/8/2024 英國(guó)Pickering Electronics公司將參加EDI Con2024 2024年4月7日，高性能舌簧繼電器的領(lǐng)先制造商Pickering Electronics將于4月9日至10日參加在北京國(guó)家會(huì)議中心舉行的EDI CON(電子設(shè)計(jì)創(chuàng)新大會(huì))，并展示用于射頻和高速數(shù)字開關(guān)的同軸舌簧繼電器，包括最新的113RF系列。 發(fā)表于：4/7/2024 臺(tái)積電：將在日本熊本設(shè)立第二家工廠 日本首相岸田文雄到訪熊本縣，并前往臺(tái)積電熊本工廠進(jìn)行視察，與臺(tái)積電總裁魏哲家交換意見，并針對(duì)前幾天發(fā)生的花蓮地震表示慰問。 臺(tái)積電高管表示，該公司將在日本九州熊本縣菊陽(yáng)町設(shè)立第二家工廠。岸田文雄指出，臺(tái)積電熊本廠對(duì)整個(gè)日本都有著極大的漣漪效應(yīng)。不只是對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，對(duì)電動(dòng)汽車等業(yè)界來說也是舉足輕重的影響。 發(fā)表于：4/7/2024 英偉達(dá)將投資2億美元在印尼投資建AI中心 英偉達(dá)將投資2億美元在印尼投資建AI中心 發(fā)表于：4/7/2024 美施壓ASML以禁止向中國(guó)廠商提供光刻機(jī)工具維修服務(wù) 美施壓ASML以禁止向中國(guó)廠商提供光刻機(jī)工具維修服務(wù) 發(fā)表于：4/7/2024 東京大學(xué)研制出新型半導(dǎo)體器件 東京大學(xué)研制出新型半導(dǎo)體器件，有望用于下一代內(nèi)存 發(fā)表于：4/7/2024 SK海力士宣布將投資近40億美元在美建芯片封裝廠 官宣！SK海力士將投資近40億美元在美建芯片封裝廠 發(fā)表于：4/7/2024 三星和SK海力士正在提高DRAM產(chǎn)量 三星和SK海力士正在提高DRAM產(chǎn)量 發(fā)表于：4/7/2024 微軟和Quantinum宣布在量子計(jì)算領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)重大突破 微軟和Quantinum宣布在量子計(jì)算領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)重大突破 發(fā)表于：4/7/2024 三星謀劃3D堆疊內(nèi)存：10nm以下一路奔向2032年 3D晶體管正在各種類型芯片中鋪開，3D DRAM內(nèi)存也討論了很多年，但一直沒有落地。如今三星公開的路線圖上，終于出現(xiàn)了3D DRAM。 三星的DRAM芯片制造工藝目前處于1b，后續(xù)還有1c、1d，都是10nm級(jí)別。 發(fā)表于：4/7/2024 應(yīng)用材料公司榮獲英特爾2024年EPIC優(yōu)秀供應(yīng)商獎(jiǎng) 2024年3月28日，加利福尼亞州圣克拉拉——應(yīng)用材料公司今日宣布其榮獲英特爾公司EPIC優(yōu)秀供應(yīng)商獎(jiǎng)。通過致力于卓越、合作、包容和持續(xù)（EPIC）的質(zhì)量精進(jìn)，應(yīng)用材料公司的業(yè)績(jī)水準(zhǔn)始終超越英特爾的預(yù)期。 發(fā)表于：4/3/2024 英特爾公布晶圓代工業(yè)務(wù)計(jì)劃 4 月 3 日消息，芯片巨頭英特爾公司今天公布了其晶圓代工業(yè)務(wù)部門的詳細(xì)信息，作為其財(cái)務(wù)報(bào)告格式變更的一部分，該部門現(xiàn)在作為一個(gè)獨(dú)立項(xiàng)目進(jìn)行核算。 發(fā)表于：4/3/2024 我國(guó)科研團(tuán)隊(duì)完成新型光刻膠技術(shù)初步驗(yàn)證 據(jù)湖北九峰山實(shí)驗(yàn)室消息，作為半導(dǎo)體制造不可或缺的材料，光刻膠質(zhì)量和性能是影響集成電路電性、成品率及可靠性的關(guān)鍵因素。但光刻膠技術(shù)門檻高，市場(chǎng)上制程穩(wěn)定性高、工藝寬容度大、普適性強(qiáng)的光刻膠產(chǎn)品屈指可數(shù)。當(dāng)半導(dǎo)體制造節(jié)點(diǎn)進(jìn)入到 100 nm 甚至是 10 nm 以下，如何產(chǎn)生分辨率高且截面形貌優(yōu)良、線邊緣粗糙度低的光刻圖形，成為光刻制造的共性難題。 針對(duì)上述瓶頸問題，九峰山實(shí)驗(yàn)室、華中科技大學(xué)組成聯(lián)合研究團(tuán)隊(duì)，支持華中科技大學(xué)團(tuán)隊(duì)突破 " 雙非離子型光酸協(xié)同增強(qiáng)響應(yīng)的化學(xué)放大光刻膠 " 技術(shù)。 該研究通過巧妙的化學(xué)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，以兩種光敏單元構(gòu)建 " 雙備。 發(fā)表于：4/3/2024 ?…188189190191192193194195196197…?
