9月28日消息，俄羅斯計算機與數(shù)據(jù)科學博士Dmitrii Kuznetsov近日通過X平臺曝光了俄羅斯最新的光刻機研發(fā)路線圖，顯示俄羅斯最快將在2026年完成65-40nm分辨率的光刻機的研發(fā)，2032年前完成28nm分辨率的光刻機的研發(fā)，并最終在2036年前完成可以生產10nm以下先進制程的全新極紫外線光（EUV）光刻機的研發(fā)。

其實，早在2024年12月，俄羅斯科學院微觀結構物理研究所就已經公布由其主導研發(fā)的EUV光刻機計劃，該EUV光刻機將采用波長為11.2nm的鐳射光源，而非ASML 使用的標準13.5nm波長，目標是打造比ASML 系統(tǒng)更經濟的EUV光刻機。而最新曝光的俄羅斯光刻機路線圖則相比之前得到了進一步完善，研發(fā)周期也一直延伸到了2036年。

具體來說，俄羅斯光刻機路線圖包括三個主要階段：

第一個階段：計劃于 2026 年至 2028 年推出分辨率為 60-40nm 的光刻機，具有雙鏡物鏡光學系統(tǒng)、套刻精度可以達到10nm、曝光區(qū)域為 3 x 3mm，生產效率為每小時超過 5 片晶圓。

第二階段：計劃于2029-2032 年推出分辨率為 65-28nm （潛力為 14 nm）的光刻機，將采用四鏡物鏡光學系統(tǒng)、套刻精度5nm、曝光區(qū)域為26 x 0.5 mm，生產效率為每小時超過50片晶圓。

第三階段：計劃于2033-2036 年推出分辨率為 28-13nm（潛力為9nm）的光刻機，將采用六鏡物鏡光學系統(tǒng)、套刻精度2nm、曝光區(qū)域為26 x 2 mm，生產效率將提升至每小時超過100片晶圓。

需要指出的是，俄羅斯的光刻機路研發(fā)技術路線與ASML完全不同。比如，ASML 的 EUV 光刻機采用的是激光轟擊金屬錫滴產生13.5nm波的EUV光源，然后通過反射鏡收集并修正路線，最終達到晶圓表明的光刻膠。但是金屬錫會產生碎屑，從而污染光掩模（也稱光罩）。

相比之下，而俄羅斯光刻機則選擇采用的是基于氙（xenon）氣的激光器來產生波長為11.2nm的EUV光源，不僅能將分辨率提升約20%，還可以簡化設計并降低整個光學系統(tǒng)的成本。此外，該設計還可減少光學元件的污染，延長收集器和保護膜等關鍵零件的壽命。

俄羅斯科學院微觀結構物理研究所稱，由于光刻工藝的簡化，其認為11.2nm的光刻技術將成為真正的193nm浸沒式DUV光刻機的真實替代品，這主要在于其無需浸沒系統(tǒng)，且分辨率高，成本低廉。

但是，俄羅斯的這個EUV光刻機路線并不僅僅是改換采用 11.2nm 的激光器這么簡單。盡管11.2nm波長仍屬于EUV范疇，但這并非單純的小幅調整。因為所有光學元件包括反射鏡及涂層、光罩設計以及光阻劑，都需要針對新的波長進行特別設計與優(yōu)化。

比如，ASML EUV光刻機的反射鏡采用的是硅與鉬的鍍膜反射鏡，而11.2nm波長的EUV光刻機則需要由釕和鈹（Ru/Be） 制成的反射鏡。所以，激光光源、反射鏡、光阻化學、污染控制及其他支持技術也須重新設計，才能確保在11.2nm波長下的有效運作。

所以，以11.2nm波長為基礎的工具很難直接兼容現(xiàn)有以13.5nm為基礎EUV 架構與生態(tài)系統(tǒng)，甚至連電子設計自動化（EDA）工具也需要進行更新。雖然現(xiàn)有EDA 工具仍可完成邏輯綜合、布局和路由等基本步驟，但涉及曝光的關鍵制程，如光罩數(shù)據(jù)準備、光學鄰近校正（OPC）和解析度增強技術（RET），則需要重新校準或升級為適合11.2nm的新制程模型。

總結來說，俄羅斯的自研的EUV光刻機技術雖然省去了復雜的光源系統(tǒng)，并降低了這部分的成本，但是其并不能復用現(xiàn)有的EUV技術的零部件和材料，因此也會帶來很多的復雜性和成本的挑戰(zhàn)，需要俄羅斯自行開發(fā)配套的生態(tài)系統(tǒng)，而這可能需要數(shù)年甚至十年以上時間。

更為關鍵的是，俄羅斯研發(fā)的EUV光刻機還面臨著生產效率低下的問題。雖然曝光的圖片顯示，其第三階段推出的EUV光刻機的生產效率可達每小時超過100片晶圓，但是這只有ASML EUV光刻機的一半。