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存儲(chǔ)芯片大廠美光宣布也將漲價(jià)

2025-03-27
來源:芯智訊
關(guān)鍵詞: 美光 存儲(chǔ)芯片 DRAM NAND

3月26日消息,隨著存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)的持續(xù)回暖,繼此前存儲(chǔ)芯片廠商Sandisk、長(zhǎng)江存儲(chǔ)致態(tài)相繼被曝將對(duì)存儲(chǔ)產(chǎn)品漲價(jià)之后,近日另一家存儲(chǔ)芯片大廠美光也宣布將漲價(jià)。

在網(wǎng)絡(luò)上曝光的一份發(fā)給渠道商的漲價(jià)函中,美光指出,最近的市場(chǎng)動(dòng)態(tài)表明,整個(gè)DRAMNAND Flash市場(chǎng)已經(jīng)開始復(fù)蘇,并預(yù)計(jì)2025年和2026年都將實(shí)現(xiàn)增長(zhǎng)。同時(shí),美光認(rèn)為,該公司在各個(gè)業(yè)務(wù)領(lǐng)域的需求都在增加。為了應(yīng)對(duì)這些變化,美光正在提高定價(jià)。

“對(duì)于AI相關(guān)用例和相關(guān)技術(shù)的需求正在不斷增長(zhǎng),除其他因素外,還反映了人們對(duì)我們產(chǎn)品組合的興趣日益濃厚,因?yàn)槲覀兊漠a(chǎn)品為每個(gè)用例提供了基本功能。作為一種持續(xù)的做法,我們的定價(jià)考慮了我們的產(chǎn)品為這些和其他用例提供的價(jià)值,以及我們?yōu)殚_發(fā)和維護(hù)行業(yè)領(lǐng)先的產(chǎn)品組合而進(jìn)行的大量投資所需的投資回報(bào)率(ROl),以及滿足市場(chǎng)需求的必要制造能力。為了幫助確保供應(yīng)的可用性和連續(xù)性,我們鼓勵(lì)客戶和渠道合作伙伴提供長(zhǎng)期預(yù)測(cè)可見性,并將積壓需求納入該預(yù)測(cè)中?!泵拦庠跐q價(jià)函中解釋道。

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不過,美光并未在該文件中公布具體的漲價(jià)幅度,僅表示,其已經(jīng)在3月25日當(dāng)天發(fā)布的一份備忘錄中,概述了其在整個(gè)渠道網(wǎng)絡(luò)中采取的具體定價(jià)行動(dòng)。

值得注意的是,在3月初,Sandisk(閃迪)就被曝將于4月1日起對(duì)所有面向渠道和消費(fèi)者客戶的產(chǎn)品漲價(jià)超過10%。Sandisk認(rèn)為,存儲(chǔ)芯片行業(yè)很快將過渡到供不應(yīng)求狀態(tài),再加上近期的關(guān)稅變化,將影響供應(yīng)的可用性并增加Sandisk的業(yè)務(wù)成本。因此決定從4月1日起開始實(shí)施價(jià)格上漲,漲幅將超過10%,并適用于所有面向渠道和消費(fèi)者客戶的產(chǎn)品。

隨后在3月中旬,又有傳聞顯示,長(zhǎng)江存儲(chǔ)也將于4月起對(duì)渠道上調(diào)旗下零售品牌致鈦的提貨價(jià)格,漲價(jià)幅度或?qū)⒊^10%。

根據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce的預(yù)測(cè)報(bào)告顯示,今年第一季NAND Flash市場(chǎng)雖然持續(xù)面臨供過于求的挑戰(zhàn),導(dǎo)致價(jià)格下滑13-18%。但隨著三星、SK海力士等原廠減產(chǎn)、智能手機(jī)庫(kù)存去化、AI 及DeepSeek效應(yīng)帶來的需求增長(zhǎng),NAND Flash供需結(jié)構(gòu)將有望顯著改善,二季度NAND Flash價(jià)格或?qū)⒗^續(xù)下跌5%或持平,三季度有望環(huán)比上漲10-15%,四季度有望繼續(xù)增長(zhǎng)8-13%。

在DRAM市場(chǎng),由于2025年第一季度下游品牌廠大都提前出貨以應(yīng)對(duì)國(guó)際形勢(shì)變化(特朗普關(guān)稅政策),比如各主要PC OEM要求ODM提高整機(jī)組裝量,將加速去化OEM手中的DRAM庫(kù)存,此舉有助供應(yīng)鏈中DRAM的庫(kù)存去化。為確保2025年下半年產(chǎn)線供料穩(wěn)定,庫(kù)存水位較低的OEM可能于第二季提高對(duì)DRAM原廠采購(gòu)量。因此,預(yù)計(jì)第二季Conventional DRAM(一般型DRAM)價(jià)格跌幅將收斂至季減0%至5%,若納入HBM計(jì)算,受益于HBM3e 12hi逐漸放量,預(yù)計(jì)均價(jià)為環(huán)比增長(zhǎng)3%至8%。

鑒于相關(guān)終端廠商可能會(huì)在NAND Flash和DRAM價(jià)格觸底反彈之前進(jìn)行提前備貨,因此可能會(huì)加速推動(dòng)NAND Flash和DRAM供需狀態(tài)提前在二季度出現(xiàn)供不應(yīng)求,推動(dòng)上游原廠提前漲價(jià)。


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