1 月 21 日消息，韓媒 MoneyToday 當?shù)貢r間昨日表示，三星電子已將其 1c nm DRAM 內(nèi)存開發(fā)的良率里程碑時間從 2024 年底推遲至 2025 年 6 月，而這一變化可能會影響到三星對 HBM4 內(nèi)存的規(guī)劃。

三星電子原計劃在 2024 年 12 月將 1c nm 制程 DRAM 的良率提升至 70%，達到結(jié)束開發(fā)工作、進入量產(chǎn)階段所需的水平。但在實際情況中，三星雖于去年底成功制得 1c nm DRAM 的良品晶粒，整體良率卻無法滿足要求。

三星上代 1b nm 內(nèi)存于 2022 年 10 月完成開發(fā)、2023 年 5 月量產(chǎn)；如果 1c nm 的開發(fā)結(jié)束時間定于今年中，那么量產(chǎn)就要落到 2025 年底，兩代 DRAM 工藝間的間隔會來到約 2.5 年，這明顯長于 1.5 年的業(yè)界一般開發(fā)周期。

另一方面，三星電子在 DRAM 內(nèi)存領(lǐng)域的兩大競爭對手中，SK 海力士已于 2024 年 8 月宣布 1c nm 開發(fā)成功，而美光內(nèi)部的計劃是在今年 4 月完成開發(fā)；三星很可能成為最后一家官宣 1c nm DRAM 的三大原廠。