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消息稱(chēng)三星電子已將1c nm內(nèi)存開(kāi)發(fā)良率里程碑推遲半年
發(fā)表于：1/21/2025 1:00:00 PM
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消息稱(chēng)三星電子啟動(dòng)下代1c nm DRAM內(nèi)存量產(chǎn)設(shè)備訂購(gòu)
發(fā)表于：12/11/2024 11:39:59 AM
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消息稱(chēng)三星本月成功研制首批1c nm DRAM良品晶粒
發(fā)表于：10/23/2024 11:18:21 AM
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消息稱(chēng)三星電子確認(rèn)平澤P4工廠(chǎng)1c nm DRAM內(nèi)存產(chǎn)線(xiàn)投資
發(fā)表于：8/13/2024 10:39:10 AM
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南亞科技首款1Cnm制程DRAM內(nèi)存產(chǎn)品明年初試產(chǎn)
發(fā)表于：5/30/2024 11:19:00 AM
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SK海力士HBM4E內(nèi)存有望采用1c nm 32Gb DRAM裸片
發(fā)表于：5/15/2024 8:39:22 AM
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1c納米內(nèi)存競(jìng)爭(zhēng)：三星計(jì)劃增加EUV使用，美光將引入鉬、釕材料
發(fā)表于：2/4/2024 10:21:00 AM
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