5 月 30 日消息，綜合臺媒《工商時報》《經(jīng)濟日報》報道，南亞科技在昨日的年度股東常會上表示，其首款 1C nm 制程 DRAM 內(nèi)存產(chǎn)品 16Gb DDR5 顆粒將于明年初進入試產(chǎn)階段。

南亞科技目前已在進行 1B nm 制程的 DRAM 試產(chǎn)，涵蓋 8/4Gb DDR4 內(nèi)存和 16Gb DDR5 內(nèi)存。南亞科技表示其首批 DDR5 內(nèi)存將在下半年少量試產(chǎn)，明年進一步提升產(chǎn)量。

此外南亞科技還在 1B nm 節(jié)點規(guī)劃了 16Gb DDR5 迭代版本、16Gb LPDDR5 內(nèi)存、16Gb LPDDR4 內(nèi)存和 4Gb DDR3 內(nèi)存等產(chǎn)品。

南亞科技今年也將同步開發(fā) TSV 技術(shù)，未來將結(jié)合 DDR5 內(nèi)存顆粒和該技術(shù)，制造高容量的（3DS）DRAM 內(nèi)存模組，滿足服務(wù)器市場的需求。

南亞科技表示，其在每個制程世代都達到 30% 的位元提升速度，目前正同比利時 imec 微電子研究中心合作，為采用 EUV 光刻機的先進 DRAM 制程做準備。

南亞科技 4 月實現(xiàn) 32.06 億元新臺幣（當前約 7.18 億元人民幣）合并營收，同比大增 41.88%。