《電子技術(shù)應(yīng)用》
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消息稱SK海力士加速準(zhǔn)備16Hi HBM3E量產(chǎn)

已啟動(dòng)全面生產(chǎn)測(cè)試
2024-12-26
來源:IT之家
關(guān)鍵詞: SK海力士 HBM

12 月 25 日消息,韓媒 ETNews 表示,SK 海力士已加速展開其全球首創(chuàng)的 16Hi(注:即 16 層堆疊)HBM3E 內(nèi)存的量產(chǎn)準(zhǔn)備工作,全面生產(chǎn)測(cè)試現(xiàn)已啟動(dòng),為明年初的出樣乃至 2025 上半年的大規(guī)模量產(chǎn)與供應(yīng)打下基礎(chǔ)。

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SK 海力士的 16Hi HBM3E 內(nèi)存采用 24Gb DRAM Die 和先進(jìn) MR-RUF 鍵合,實(shí)現(xiàn)了 48GB 的單堆棧容量,較上代 12Hi HBM3E 在 AI 訓(xùn)練 / 推理能力上分別提升了 18% 和 32%。而 16Hi 堆疊技術(shù)將在下代 HBM4 內(nèi)存上迎來全面應(yīng)用。

報(bào)道援引消息人士的話稱,SK 海力士目前正在引進(jìn)和測(cè)試 16Hi HBM3E 生產(chǎn)所需的新工藝設(shè)備,并對(duì)現(xiàn)有設(shè)備進(jìn)行優(yōu)化和檢修;有消息源透露該企業(yè)在這一新型內(nèi)存的關(guān)鍵工藝測(cè)試中取得了良好結(jié)果。


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