12月4日消息，據(jù)Tom's hardware報(bào)道，三星將在即將舉行的國際固態(tài)電路會議（ISSCC）上展示新的超過400層3D NAND Flash，接口速度為5.6 GT/s。

報(bào)道稱，三星的第10代V-NAND保持了TLC（三級單元，或每個單元 3 位）架構(gòu)，每個芯片的容量為1Tb（128 GB）。三星聲稱其新的超400層 3D TLC NAND Flash的存儲密度為 28 Gb/mm2，僅略低于三星的1Tb 3D QLC V-NAND，后者的存儲密度為 28.5 Gb/mm2，是目前世界上存儲密度最高的NAND Flash。

當(dāng)前的一個NAND Flash芯片封裝通常擁有8個或16個NAND Flash芯片。這意味著 16 芯片封裝將提供高達(dá) 2TB 的存儲容量，而SSD主板上單面的四個此類封裝將支持 8TB 的存儲空間，如果是雙面八個此類封裝，M.2 2280 驅(qū)動器上可提供高達(dá)16TB的存儲空間。（不過，三星已經(jīng)有一段時(shí)間沒有創(chuàng)建新的雙面貼裝8個芯片的SSD，而是選擇堅(jiān)持使用單面設(shè)計(jì)。）

可以說，三星第10代 V-NAND 最重要的特點(diǎn)是它的接口速度，可以達(dá)到5.6 GT/s，明顯快于長江存儲的 3.6 GT/s。在 5.6 GT/s 時(shí)，這相當(dāng)于大約 700 MB/s，這意味著其中 10 個設(shè)備可以使 PCIe 4.0 x4 接口飽和，而 20 個足以使超快的 PCIe 5.0 x4 接口飽和。由于兩個 NAND Flash封裝中可能有多達(dá) 32 個芯片，這已經(jīng)是 PCIe 6.0 x4 接口上實(shí)現(xiàn)最大吞吐量的一半。

三星計(jì)劃在 ISSCC 10 上推出其第10代 V-NAND，有理由預(yù)計(jì)該公司也將在明年開始批量生產(chǎn)這種NAND Flash。目前尚不清楚新的NAND Flash何時(shí)會進(jìn)入三星自己的 SSD。通常，新的 NAND Flash解決方案可用于各種零售產(chǎn)品，包括 USB盤、存儲卡、SSD、智能手機(jī)等。