5 月 22 日消息，美光在昨日的摩根大通投資者會議活動上表示，美光 2025 年 HBM 內存供應談判基本完成。

美光高管代表宣稱，其已與下游客戶基本敲定了明年 HBM 訂單的規(guī)模和價格。

美光預計 HBM 內存將在其截至 2024 年 9 月的本財年中創(chuàng)造數(shù)億美元量級的營收，而在 25 財年相關業(yè)務的銷售額將增加到數(shù)十億美元。

美光預測，未來數(shù)年其 HBM 內存位元產能的復合年增長率將達到 50%。

為了應對 HBM 領域的強勁需求，美光調升了本財年資本支出的預計規(guī)模，從 75~80 億美元增至 80 億美元（當前約 579.2 億元人民幣）。

在 HBM 技術層面，美光于本季度早些時候開始出樣 12 層堆疊 HBM3E 內存。這一單堆棧容量提升 50% 的新品預計將成為美光 2025 年業(yè)績的重要驅動力。

而在非 HBM 領域，美光認為高 AI 算力 PC 對通用內存的需求將增長 40~80%，而 LPDDR 內存未來將在數(shù)據(jù)中心市場占有更大份額。

整體來看，美光預測 DRAM 內存行業(yè)長期增長率將維持在 15% 上下，NAND 行業(yè)的長期增長率則略高于 20%。