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機構:2024年底前HBM將占先進制程比例為35%

2024-05-21
來源:集微網

據市調機構TrendForce估算,市場對HBM需求呈現(xiàn)高速增長,加上HBM利潤高,故三星、SK海力士美光國際三大原廠將增加資金投入與產能投片,預計到今年底前,HBM將占先進制程比例為35%,其余則用以生產LPDDR5(x)與DDR5產品。

以HBM最新進展來看,TrendForce表示,今年HBM3e是市場主流,集中下半年出貨。SK海力士仍是主要供應商,與美光均采用1β nm制程,兩家廠商已出貨英偉達;三星則采用1α nm制程,第二季度完成驗證,年中交貨。

除了HBM需求占比持續(xù)增加,PC、服務器、智能手機三大應用單機搭載容量增長,故先進制程消耗量逐季提升。英特爾Sapphire Rapids、AMD Genoa新平臺量產后,存儲規(guī)格僅能用DDR5,今年DDR5滲透率至年底將超過50%。

新廠方面,三星廠房2024年底產能大致滿載,新廠房P4L計劃2025年完工,Line 15廠區(qū)制程轉換,1Y nm轉至1β nm以上;SK海力士除了M16明年產能擴大,M15X亦規(guī)劃2025年完工,年底量產;美光中國臺灣廠區(qū)明年恢復滿載,后續(xù)產能擴張以美國廠為主,Boise廠區(qū)2025年完工并陸續(xù)移機,2026年量產。

TrendForce指出,由于英偉達GB200將于2025年放量,其規(guī)格為HBM3e 192/384GB,預期HBM產出將接近翻倍,且緊接各原廠將迎來HBM4研發(fā),若投資沒有明顯擴大,在產能排擠效應之下,DRAM產品可能供應不足。


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