美國(guó)當(dāng)?shù)貢r(shí)間5月12日，存儲(chǔ)器大廠美光科技舉辦Investor Day（投資者日）活動(dòng)，展示了DRAM與NAND未來(lái)技術(shù)路線圖，并宣布試行全新定價(jià)機(jī)制“遠(yuǎn)期定價(jià)協(xié)議“，以穩(wěn)定存儲(chǔ)器行業(yè)價(jià)格。

　　技術(shù)路線圖曝光

　　1β DRAM、232層3D NAND將亮相

　　美光目前已經(jīng)出貨1α DRAM與176層NAND閃存，這兩類產(chǎn)品良率出色，一季度合計(jì)出貨量占美光產(chǎn)品總出貨量的絕大部分。

　　最新技術(shù)路線圖中，美光表示在DRAM領(lǐng)域?qū)⒊掷m(xù)發(fā)力1β、1γ與1δ工藝，其中美光計(jì)劃2022年底前推出1β DRAM產(chǎn)品，將可為圖形、HBM3和汽車(chē)等領(lǐng)域提供良好的性能，美光希望通過(guò)1β DRAM產(chǎn)品，持續(xù)提升公司在DDR5和LPDDR5的地位。

　　至于1γ與1δ工藝時(shí)間節(jié)點(diǎn)美光則暫未公布，該公司表示將在1γ DRAM工藝中引入EUV技術(shù)。

　　NAND Flash方面，176層NAND閃存之后，美光工藝節(jié)點(diǎn)依次是232層、2YY、3XX與4XX。

　　其中，美光將在2022年底開(kāi)始推出232層NAND產(chǎn)品。據(jù)悉，美光232層NAND閃存采用 3D TLC 架構(gòu)，原始容量為1Tb（128GB），基于美光的CuA架構(gòu)，并使用NAND字符串堆疊技術(shù)，在彼此的頂部建立兩個(gè)3D NAND陣列。業(yè)界預(yù)估，232層NAND閃存芯片發(fā)布之后，美光將于2023年推出搭載該款芯片的SSD產(chǎn)品。

　　維護(hù)存儲(chǔ)器價(jià)格穩(wěn)定

　　美光將試行“遠(yuǎn)期定價(jià)協(xié)議”

　　Investor Day活動(dòng)上，美光還對(duì)外宣布試行全新定價(jià)機(jī)制“遠(yuǎn)期定價(jià)協(xié)議(forward pricing agreements)”，旨在解決半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)定價(jià)波動(dòng)劇烈的問(wèn)題。美光透露前十大客戶中的一位已經(jīng)與美光簽約，協(xié)議為期至少三年，預(yù)估一年可帶來(lái)超過(guò)5億美元收入。

　　美光CBO Sumit Sadana表示，該定價(jià)策略目前仍是「試驗(yàn)」性質(zhì)，長(zhǎng)約客戶以采購(gòu)量而非價(jià)格為基準(zhǔn)，但遠(yuǎn)期價(jià)格協(xié)議則會(huì)涵蓋交易量與定價(jià)。

　　當(dāng)前，存儲(chǔ)器市場(chǎng)受到疫情、國(guó)際形勢(shì)變化、高通貨膨脹等多因素困擾。全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查顯示，在俄烏沖突與高通貨膨脹夾擊之下，預(yù)估第二季DRAM價(jià)格將下跌0~5%。

　　NAND  Flash方面，由于原本預(yù)期鎧俠（Kioxia）污染事件恐將造成第二至第三季市況轉(zhuǎn)為吃緊，但在高通脹及俄烏沖突的沖擊下，市場(chǎng)對(duì)于下半年傳統(tǒng)旺季消費(fèi)性產(chǎn)品需求看法轉(zhuǎn)趨保守，集邦咨詢預(yù)計(jì)第二季NAND Flash價(jià)格將上漲5~10%，而第三季價(jià)格則僅會(huì)微幅上漲約0~5%。