《電子技術應用》
您所在的位置:首頁 > 模擬設計 > 業(yè)界動態(tài) > 三星推出第三代(16GB)HBM2E超高速顯存

三星推出第三代(16GB)HBM2E超高速顯存

2020-02-05
來源:快資訊
關鍵詞: 三星 DRAM HBM2E

HBM2E堆疊了八個16Gb DRAM芯片,以實現(xiàn)16GB的封裝容量,并確保3.2Gbps的穩(wěn)定數(shù)據(jù)傳輸速度。全球先進存儲器技術的領導者三星電子宣布,其第三代高帶寬存儲器2E(HBM2E)進入市場“ Flashbolt”。新型16 GB(GB)HBM2E特別適用于最大化高性能計算(HPC)系統(tǒng),并幫助系統(tǒng)制造商及時改進其超級計算機,AI驅動的數(shù)據(jù)分析和最新的圖形系統(tǒng)。

1.jpg

三星內存銷售與市場營銷執(zhí)行副總裁Cheol Choi表示:“隨著當今市場上性能最高的DRAM的推出,我們正在邁出關鍵的一步,以增強我們在快速增長的高端內存市場中作為領先創(chuàng)新者的作用?!彪娮赢a品?!半S著我們鞏固在全球存儲器市場的優(yōu)勢,三星將繼續(xù)履行其帶來真正差異化解決方案的承諾。”

2.jpg

新型Flashbolt準備提供前一代8GB HBM2“ Aquabolt”容量的兩倍,還可以顯著提高性能和電源效率,從而顯著改善下一代計算系統(tǒng)。通過在緩沖芯片頂部垂直堆疊八層10nm級(1y)16千兆位(Gb)DRAM裸片來實現(xiàn)16GB的容量。然后,該HBM2E封裝以40,000多個“直通硅通孔”(TSV)微型凸塊的精確排列進行互連,每個16Gb裸片均包含5,600多個此類微小孔。

三星的Flashbolt通過利用專有的優(yōu)化電路設計進行信號傳輸,提供了每秒3.2吉比特(Gbps)的高度可靠的數(shù)據(jù)傳輸速度,同時每個堆棧提供410GB / s的內存帶寬。三星的HBM2E還可以達到4.2Gbps的傳輸速度,這是迄今為止最大的測試數(shù)據(jù)速率,在某些將來的應用中,每個堆棧的帶寬高達538GB / s。這將比Aquabolt的307GB /秒提高1.75倍。

三星預計將在今年上半年開始量產。該公司將繼續(xù)提供其第二代Aquabolt產品陣容,同時擴展其第三代Flashbolt產品,并將在整個高端存儲器市場加速向HBM解決方案的過渡時,進一步加強與下一代系統(tǒng)中生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴的合作。


本站內容除特別聲明的原創(chuàng)文章之外,轉載內容只為傳遞更多信息,并不代表本網站贊同其觀點。轉載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權歸版權所有權人所有。本站采用的非本站原創(chuàng)文章及圖片等內容無法一一聯(lián)系確認版權者。如涉及作品內容、版權和其它問題,請及時通過電子郵件或電話通知我們,以便迅速采取適當措施,避免給雙方造成不必要的經濟損失。聯(lián)系電話:010-82306118;郵箱:aet@chinaaet.com。