日本總和情報(bào)網(wǎng)站Gadget速報(bào)17日轉(zhuǎn)述Fudzilla的報(bào)導(dǎo)指出，據(jù)可靠的消息人士透露，高通(Qualcomm)采用10nm FinFET制程生產(chǎn)的驍龍(Snapdragon)830處理器將在今年內(nèi)(2016年內(nèi))發(fā)表，且搭載該款處理器的智慧手機(jī)產(chǎn)品(首發(fā)機(jī))將在明年(2017年)Q1現(xiàn)身。

　　據(jù)報(bào)導(dǎo)，除驍龍830之外，目前也已知有比現(xiàn)行驍龍820擁有更高性能的驍龍823處理器的存在，而該款驍龍823產(chǎn)品似乎將持續(xù)采用14nm FinFET制程。

　　報(bào)導(dǎo)指出，從搭載驍龍830的智慧手機(jī)可能會(huì)在明年Q1現(xiàn)身這點(diǎn)來(lái)看，驍龍830可能將撘載在三星Galaxy S7、LG G5、小米Mi 5或宏達(dá)電(HTC；2498)HTC 10等旗艦機(jī)種的后繼機(jī)種上。

　　微博爆料客i冰宇宙曾于1月22日爆料稱(chēng)，高通驍龍830(代號(hào)為“MSM8998”)將采用三星10nm制程、撘載改良版“Kryo”架構(gòu)、且將支援8GB RAM，預(yù)計(jì)將在2017年初發(fā)布。

　　為了對(duì)抗高通驍龍820，聯(lián)發(fā)科(2454)3月16日在深圳宣布自家十核心晶片Helio X20即將上市，且更在會(huì)場(chǎng)上發(fā)布更高階的Helio X25(用來(lái)對(duì)抗驍龍823？)；而聯(lián)發(fā)科用來(lái)對(duì)抗驍龍830的產(chǎn)品，應(yīng)該就是傳聞將采用臺(tái)積電(2330)10nm制程的Helio X30。

　　Arena、GSMArena 3月30日引述中國(guó)MTK手機(jī)網(wǎng)報(bào)導(dǎo)，知情人士透露，聯(lián)發(fā)科X30將進(jìn)一步深挖三叢十核的潛力，不僅確認(rèn)會(huì)應(yīng)用10奈米制程，且是采用臺(tái)積電10nm FinFET工藝，預(yù)估最快6月就能成功“設(shè)計(jì)定案”(tape-out)，有望年底實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

　　韓國(guó)時(shí)報(bào)報(bào)導(dǎo)，Bernstein Research分析師Mark. C. Newman 3月10日發(fā)表研究報(bào)告指出，三星的進(jìn)度雖然有些拖延，但仍可搶下“業(yè)界第一個(gè)10奈米晶圓代工廠”的頭銜，臺(tái)積電、英特爾將會(huì)緊跟在后，至于格羅方德(GlobalFoundries)則幾乎趕不上。

　　Bernstein預(yù)估，三星的10奈米制程技術(shù)會(huì)在今年稍晚小幅投產(chǎn)，主要代工自家的處理器以及高通次代行動(dòng)晶片組“Snapdragon 830”。不過(guò)，臺(tái)積電仍不容小覷，拜產(chǎn)能龐大之賜，臺(tái)積電也許將后來(lái)居上、產(chǎn)量會(huì)更多。