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東京大學(xué)研發(fā)摻鎵氧化銦晶體取代硅材料

東京大學(xué)研發(fā)摻鎵氧化銦晶體取代硅材料

6月29日消息，據(jù)scitechdaily報(bào)道，在2025 年 VLSI 技術(shù)和電路研討會(huì)上，東京大學(xué)工業(yè)科學(xué)研究所的研究人員發(fā)布了一篇題為《通過(guò)InGaOx的選擇性結(jié)晶實(shí)現(xiàn)環(huán)繞柵極的納米片氧化物半導(dǎo)體晶體管，以提高性能和可靠性》的論文，宣布開(kāi)發(fā)一種革命性的新型的摻鎵氧化銦（InGaOx）的晶體材料，有望取代現(xiàn)有的硅材料，大幅提升在AI 與大數(shù)據(jù)領(lǐng)域應(yīng)用的性能，并在后硅時(shí)代延續(xù)摩爾定律的生命力。

期刊延發(fā)通知

尊敬的《電子技術(shù)應(yīng)用》讀者：因春節(jié)假期快遞公司攬收與投遞受限，為避免郵寄期刊長(zhǎng)時(shí)間積壓中轉(zhuǎn)站點(diǎn)導(dǎo)致出現(xiàn)丟失等問(wèn)題，刊社決定2024年2月刊于2月20日開(kāi)始正常郵寄，給您帶來(lái)不便，深表歉意，如有疑問(wèn)請(qǐng)致電010-82306084 《電子技術(shù)應(yīng)用》編輯部 2024年2月24日

發(fā)表于：1/24/2024

全球能耗Top50數(shù)據(jù)中心都有哪些？

全球能耗Top50數(shù)據(jù)中心都有哪些？ 2023年，大語(yǔ)言模型、AIGC的興起，讓算力成為全社會(huì)關(guān)注的焦點(diǎn)，而大公司動(dòng)輒購(gòu)買(mǎi)數(shù)十萬(wàn)塊GPU的新聞也讓數(shù)據(jù)中心及其能耗等話題屢上頭條。那么，全球數(shù)據(jù)中心市場(chǎng)現(xiàn)狀如何，尤其是全球數(shù)據(jù)中心能耗正處于什么狀況？未來(lái)，隨著人工智能對(duì)于算力的持續(xù)需求，數(shù)據(jù)中心市場(chǎng)分布及能耗會(huì)呈現(xiàn)哪些重要的趨勢(shì)？如今，數(shù)據(jù)中心產(chǎn)業(yè)集群成為趨勢(shì)。在產(chǎn)業(yè)集群中，每個(gè)數(shù)據(jù)中心的能耗至少達(dá)到100MW。因此，通過(guò)電力消耗來(lái)衡量數(shù)據(jù)中心現(xiàn)在和發(fā)展趨勢(shì)就十分重要。為此，大數(shù)據(jù)在線針對(duì) Cushman & Wakefield 的相關(guān)市場(chǎng)數(shù)據(jù)進(jìn)行解讀。

發(fā)表于：1/23/2024

龍芯LoongArch在Linux6.8內(nèi)核中首次支持Rust

龍芯中科正在積極為 LoongArch 架構(gòu)適配 Linux 系統(tǒng)，在最新的 Linux 6.8 補(bǔ)丁中，龍芯已為 LoongArch 支持了 Rust Linux 內(nèi)核。 Linux 6.8 的 LoongArch 補(bǔ)丁還包括將最低 Clang 編譯器版本提升至 v18、為架構(gòu)添加內(nèi)置 DTB 支持、更新默認(rèn)內(nèi)核配置文件以及各種錯(cuò)誤修復(fù)。

發(fā)表于：1/23/2024

安卓迎來(lái)3nm芯片時(shí)代

安卓迎來(lái)3nm芯片時(shí)代！高通驍龍8 Gen4曝光快科技 1 月 22 日消息，高通將在今年 10 月份推出驍龍 8 Gen4，對(duì)比上代平臺(tái)，驍龍 8 Gen4 有大幅升級(jí)。最重要的是升級(jí)點(diǎn)之一是工藝，驍龍 8 Gen4 移動(dòng)平臺(tái)首次采用臺(tái)積電 3nm 工藝，這意味著安卓陣營(yíng)也將全面迎來(lái) 3nm 時(shí)代。與蘋(píng)果 A17 Pro 采用 N3B 工藝不同，高通驍龍 8 Gen4 采用臺(tái)積電 N3E 工藝，據(jù)了解，臺(tái)積電 N3E 不僅良率更高，而且成本也相對(duì)較低（消息稱(chēng)天璣 9400 也是采用 N3E 工藝）。

發(fā)表于：1/23/2024

嫦娥六號(hào)上半年發(fā)射

嫦娥六號(hào)上半年發(fā)射將從月球背面采樣嫦娥五號(hào)月壤揭示太陽(yáng)風(fēng)為月球帶來(lái)可利用的水。這是太陽(yáng)風(fēng)氫的注入、保存與擴(kuò)散丟失模型圖（2022年11月23日繪制）。新華社發(fā)（中國(guó)科學(xué)院地質(zhì)與地球物理研究所供圖）

發(fā)表于：1/23/2024

英特爾CEO基辛格：定制芯片將在2025年后引領(lǐng)潮流

在英特爾 Meteor Lake 芯片發(fā)布會(huì)上，其首席執(zhí)行官帕特基辛格（Pat Gelsinger）指出公司正按計(jì)劃在四年內(nèi)完成五個(gè)節(jié)點(diǎn)，最終將在 2025 年達(dá)到頂峰，包括 Intel 7、Intel 4、Intel 3、Intel 20A 和 Intel 18A 工藝。

發(fā)表于：1/22/2024

國(guó)產(chǎn)傳感器跨入1英寸時(shí)代

博主數(shù)碼閑聊站爆料，豪威出品的全新傳感器OV50K即將登場(chǎng)，這枚Sensor擁有1英寸大底，擁有行業(yè)內(nèi)最高的動(dòng)態(tài)范圍，它將對(duì)標(biāo)索尼1英寸傳感器LYT900。一般而言，當(dāng)高亮度區(qū)域和逆光等低亮度區(qū)域在圖像中同時(shí)存在時(shí)，相機(jī)輸出的圖像會(huì)出現(xiàn)亮度過(guò)曝、暗部區(qū)域曝光不足的問(wèn)題，這就嚴(yán)重影響圖像質(zhì)量。

發(fā)表于：1/22/2024

三星第二代3nm工藝SF3已開(kāi)始試生產(chǎn)

1 月 21 日消息，Chosun 援引業(yè)內(nèi)人士消息稱(chēng)，三星電子代工廠已開(kāi)始針對(duì)其第二代 3nm 級(jí)工藝 SF3 進(jìn)行試生產(chǎn)。據(jù)報(bào)道，該公司計(jì)劃在未來(lái)六個(gè)月內(nèi)將良率提高至 60% 以上。

發(fā)表于：1/22/2024

大連1號(hào)—連理衛(wèi)星成功在軌釋放

大連理工大學(xué)發(fā)文宣布，1 月 18 日 14 時(shí)許，大連 1 號(hào) — 連理衛(wèi)星從天舟六號(hào)貨運(yùn)飛船成功釋放入軌，圓滿完成在軌釋放任務(wù)。實(shí)施三軸穩(wěn)定控制、太陽(yáng)帆板展開(kāi)后，衛(wèi)星進(jìn)入正常工作模式，按計(jì)劃向地面?zhèn)骰嘏臄z目標(biāo)圖像等數(shù)據(jù)，正式開(kāi)啟在軌科研任務(wù)。 IT 之家注意到，大連 1 號(hào) — 連理衛(wèi)星重約 17kg，主要任務(wù)是驗(yàn)證基于 OpenHarmony 的實(shí)時(shí)操作系統(tǒng)、基于金屬 3D 打印技術(shù)的超輕型微納衛(wèi)星部署器、亞米級(jí)對(duì)地遙感成像、先進(jìn)綠色無(wú)毒 HAN 推進(jìn)系統(tǒng)以及高性能衛(wèi)星部組件等一系列創(chuàng)新技術(shù)。

發(fā)表于：1/22/2024

英特爾CEO：中國(guó)芯片將比美國(guó)先進(jìn)技術(shù)差10年

英特爾CEO：中國(guó)芯片將比美國(guó)先進(jìn)技術(shù)差10年，十年后50%的芯片將在美國(guó)制造

發(fā)表于：1/22/2024