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東京大學(xué)研發(fā)摻鎵氧化銦晶體取代硅材料

東京大學(xué)研發(fā)摻鎵氧化銦晶體取代硅材料

6月29日消息，據(jù)scitechdaily報(bào)道，在2025 年 VLSI 技術(shù)和電路研討會(huì)上，東京大學(xué)工業(yè)科學(xué)研究所的研究人員發(fā)布了一篇題為《通過(guò)InGaOx的選擇性結(jié)晶實(shí)現(xiàn)環(huán)繞柵極的納米片氧化物半導(dǎo)體晶體管，以提高性能和可靠性》的論文，宣布開(kāi)發(fā)一種革命性的新型的摻鎵氧化銦（InGaOx）的晶體材料，有望取代現(xiàn)有的硅材料，大幅提升在AI 與大數(shù)據(jù)領(lǐng)域應(yīng)用的性能，并在后硅時(shí)代延續(xù)摩爾定律的生命力。

氮化鎵正在成為AI繞不過(guò)的關(guān)鍵

氮化鎵技術(shù)崛起，EPC引領(lǐng)市場(chǎng)趨勢(shì)。

發(fā)表于：10/15/2024

深圳：正在加快設(shè)立百億級(jí)半導(dǎo)體與集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金

10月14日，深圳市政府新聞辦舉行新聞發(fā)布會(huì)，介紹“2024灣區(qū)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)生態(tài)博覽會(huì)”相關(guān)情況。深圳市發(fā)展改革委副主任朱云在會(huì)上宣布，深圳正在加快設(shè)立百億級(jí)半導(dǎo)體與集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金，并推動(dòng)一批集成電路項(xiàng)目獲批2024年地方政府專項(xiàng)債。

發(fā)表于：10/15/2024

紫光國(guó)微董事長(zhǎng)和副董事長(zhǎng)辭職

10月14日晚間，紫光國(guó)微發(fā)布公告稱，公司董事會(huì)于近日收到董事長(zhǎng)馬道杰、副董事長(zhǎng)謝文剛的書面辭職報(bào)告。馬道杰因工作調(diào)整辭去董事長(zhǎng)職務(wù)，仍繼續(xù)擔(dān)任董事職務(wù)；謝文剛因工作調(diào)整辭去副董事長(zhǎng)職務(wù)，繼續(xù)擔(dān)任董事、總裁職務(wù)。根據(jù)相關(guān)規(guī)定，辭職報(bào)告自送達(dá)董事會(huì)之日起生效。

發(fā)表于：10/15/2024

三星或?qū)BM產(chǎn)能目標(biāo)下調(diào)至每月17萬(wàn)顆

據(jù)報(bào)道，業(yè)內(nèi)人士透露，三星電子已將2025年底HBM(高帶寬內(nèi)存)最大產(chǎn)能(CAPA)目標(biāo)降低10%以上，從原來(lái)的每月20萬(wàn)顆下調(diào)至每月17萬(wàn)顆。鑒于向主要客戶的量產(chǎn)供應(yīng)被推遲，三星似乎對(duì)其尖端的HBM設(shè)備投資計(jì)劃采取了保守的態(tài)度。為增強(qiáng)半導(dǎo)體競(jìng)爭(zhēng)力，該公司還將直接派遣研發(fā)人員到工廠，改善與一線生產(chǎn)團(tuán)隊(duì)的溝通和協(xié)作。直到去年第二季度，三星電子還計(jì)劃在2024年年底將HBM的產(chǎn)能提高至每月14萬(wàn)至15萬(wàn)片，并在2025年年底提高至每月20萬(wàn)片。這一結(jié)果反映了其主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手增加HBM產(chǎn)量的應(yīng)對(duì)策略，以及英偉達(dá)等主要客戶的質(zhì)量測(cè)試即將完成的積極前景。

發(fā)表于：10/15/2024

英特爾本周進(jìn)入裁員高峰期

英特爾本周進(jìn)入裁員高峰期！

發(fā)表于：10/15/2024

蘋果三折疊和四折疊手機(jī)專利曝光

蘋果三折疊、四折疊手機(jī)專利曝光

發(fā)表于：10/14/2024

TrendForce預(yù)測(cè)2024年第四季度DRAM價(jià)格漲幅放緩

TrendForce預(yù)測(cè)2024年第四季度DRAM價(jià)格漲幅放緩，需求主要靠AI服務(wù)器維持

發(fā)表于：10/14/2024

英偉達(dá)未來(lái)12個(gè)月的Blackwell GPU已全部售罄！

英偉達(dá)未來(lái)12個(gè)月的Blackwell GPU已全部售罄！

發(fā)表于：10/14/2024

imec與Arm等歐洲公司簽署汽車Chiplet計(jì)劃

imec與Arm、BMW、Bosch等歐洲公司簽署汽車小芯片計(jì)劃

發(fā)表于：10/14/2024

超低雜散多級(jí)反饋帶通濾波器設(shè)計(jì)

針對(duì)于高精度數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的測(cè)試和測(cè)量中，高質(zhì)量的帶通濾波器是非常關(guān)鍵的部分，然而，使用無(wú)源元器件實(shí)現(xiàn)低頻高質(zhì)量的濾波器需要大電感，尺寸和成本都令人望而卻步。采用高性能全差分音頻放大器OPA1632D設(shè)計(jì)了六階有源1 kHz帶通濾波器。該帶通濾波器采用多級(jí)反饋設(shè)計(jì)，原理結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，設(shè)計(jì)成本低廉，使用TINA-TI仿真測(cè)試效果較好，實(shí)際應(yīng)用于高性能模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器AD7961前端濾波測(cè)試，SNR與SFDR動(dòng)態(tài)指標(biāo)接近手冊(cè)理論值。仿真和實(shí)踐證明該濾波器的設(shè)計(jì)滿足高精度的數(shù)據(jù)采集前端濾波的使用需求。

發(fā)表于：10/12/2024