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無(wú) RSENSE 的 60V 升壓型控制器在 -40°C 至 150°C 的節(jié)溫范圍內(nèi)工作
發(fā)表于：4/8/2011 10:43:07 AM
德州儀器 15 A 與 25 A SWIFT? 降壓轉(zhuǎn)換器以業(yè)界最小的封裝實(shí)現(xiàn)最高的功率密度與效率
發(fā)表于：4/7/2011 4:18:15 PM
大聯(lián)大旗下品佳集團(tuán)推出 Local Dimming LED TV 背光驅(qū)動(dòng)整體方案
發(fā)表于：4/7/2011 1:49:47 PM
凌力爾特公司推出 LTC4441 新的高可靠性 (MP 級(jí)) 版本
發(fā)表于：4/6/2011 1:04:04 PM
Microchip擴(kuò)展MOSFET驅(qū)動(dòng)器系列產(chǎn)品
發(fā)表于：4/6/2011 12:57:10 PM
基于IGBT的高可靠性驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)
發(fā)表于：4/6/2011 12:00:00 AM
Vishay Siliconix的新款N溝道功率MOSFET再次刷新業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻記錄
發(fā)表于：3/31/2011 5:01:05 PM
關(guān)于設(shè)計(jì)高效高可靠LED燈具的五點(diǎn)忠告
發(fā)表于：3/31/2011 12:00:00 AM
變流器的核心器件MOSFET和IGBT
發(fā)表于：3/30/2011 12:00:00 AM
Vishay接近與環(huán)境光光學(xué)傳感器和功率MOSFET榮獲EN-Genius的年度產(chǎn)品獎(jiǎng)
發(fā)表于：3/28/2011 4:27:36 PM
大電流便攜式DC/DC變換中MOSFET功耗的計(jì)算
發(fā)表于：3/25/2011 12:00:00 AM
Diodes高電流閘驅(qū)動(dòng)器將開(kāi)關(guān)損耗減至最低
發(fā)表于：3/24/2011 6:39:18 PM
再創(chuàng)功耗新低、瑞薩電子新型高壓功率MOSFET產(chǎn)品
發(fā)表于：3/21/2011 4:47:39 PM
安森美半導(dǎo)體完全自保護(hù)MOSFET功率器件
發(fā)表于：3/21/2011 12:00:00 AM
雙理想二極管及熱插拔控制器節(jié)省了功率和電路板面積
發(fā)表于：3/15/2011 5:57:45 PM
Vishay Siliconix發(fā)布具有業(yè)內(nèi)最低外形和最低導(dǎo)通電阻的TrenchFET®功率MOSFET
發(fā)表于：3/14/2011 2:25:19 PM
Vishay將在ePChina 2011展示業(yè)界領(lǐng)先的最新技術(shù)
發(fā)表于：3/11/2011 6:15:47 PM
擁有通道間的電流平衡以提高功率和可靠性的雙路輸出同步降壓型 DC/DC 控制器
發(fā)表于：3/10/2011 4:29:07 PM
美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體推出業(yè)界首款內(nèi)置MOSFET門極驅(qū)動(dòng)器的全橋PWM控制器
發(fā)表于：3/9/2011 9:14:09 AM
包含熱模型的新型MOSFET PSPICE模型
發(fā)表于：3/9/2011 12:00:00 AM
IR針對(duì)需要高效率和密度的大電流應(yīng)用推出iP1837和iP1827緊湊靈活型單輸入電壓DC-DC穩(wěn)壓器
發(fā)表于：3/7/2011 5:44:16 PM
功耗與速度的矛盾
發(fā)表于：3/3/2011 12:00:00 AM
Vishay Siliconix的雙芯片P溝道器件刷新業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻紀(jì)錄
發(fā)表于：3/2/2011 9:35:34 AM
LED恒流驅(qū)動(dòng)器件MOSFET選擇
發(fā)表于：3/1/2011 12:00:00 AM
飛兆半導(dǎo)體同步整流控制器兼容反激式和正激拓?fù)洌婢叨喾N工作模式
發(fā)表于：2/22/2011 1:20:12 PM
IR為節(jié)能計(jì)算和消費(fèi)應(yīng)用推出可擴(kuò)展的簡(jiǎn)單易用多功能SupIRBuck系列
發(fā)表于：2/22/2011 1:16:12 PM
100V 高速同步 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器在 -40°C 至 150°C 的溫度范圍內(nèi)工作
發(fā)表于：2/18/2011 11:16:23 AM
英飛凌面向硬開(kāi)關(guān)和軟開(kāi)關(guān)應(yīng)用的新一代650V超結(jié)器件
發(fā)表于：2/16/2011 12:00:00 AM
IR 推出新型DirectFETplus功率MOSFET系列，可將DC-DC開(kāi)關(guān)應(yīng)用效率提升2%
發(fā)表于：2/15/2011 3:06:01 PM
Diodes推出線性恒流驅(qū)動(dòng)器為L(zhǎng)ED應(yīng)用提供全方位控制
發(fā)表于：2/14/2011 6:06:05 PM

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