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說出你的故事：中國IC設(shè)計(jì)及應(yīng)用創(chuàng)新案例
發(fā)表于：2011/6/21 13:19:36
IGBT系統(tǒng)的介紹
發(fā)表于：2011/6/19 0:00:00
IR新款超小型PQFN2x2功率MOSFET為低功率應(yīng)用擴(kuò)展封裝組合
發(fā)表于：2011/6/15 14:53:29
飛兆半導(dǎo)體功率級(jí)非對(duì)稱雙MOSFET器件滿足電源設(shè)計(jì)人員的高功率密度和易于設(shè)計(jì)要求
發(fā)表于：2011/6/14 12:51:33
同步降壓MOSFET電阻比的正確選擇
發(fā)表于：2011/6/14 0:00:00
混合動(dòng)力電動(dòng)車應(yīng)用中大功率器件的五大要素
發(fā)表于：2011/6/10 0:00:00
大功率IGBT器件應(yīng)用中常見問題解決方法
發(fā)表于：2011/6/9 0:00:00
電源設(shè)計(jì)小貼士31：同步降壓MOSFET電阻比的正確選擇
發(fā)表于：2011/6/9 0:00:00
自制電源變壓器的MOS場(chǎng)效應(yīng)管逆變器
發(fā)表于：2011/6/3 12:01:24
英飛凌節(jié)能芯片以高于國際標(biāo)準(zhǔn)的出色性能幫助全球降低能耗
發(fā)表于：2011/6/1 14:54:03
恩智浦NextPower MOSFET以行業(yè)最低RDS (on) 全面提升效率
發(fā)表于：2011/5/30 10:08:44
英飛凌推出市場(chǎng)領(lǐng)先的集成快速體二極管的650V CoolMOS? CFD2產(chǎn)品
發(fā)表于：2011/5/30 9:37:09
Diodes推出操作運(yùn)行溫度低于大型封裝器件的超小型MOSFET
發(fā)表于：2011/5/27 11:19:27
saber下MOSFET驅(qū)動(dòng)仿真實(shí)例
發(fā)表于：2011/5/25 0:00:00
Marvell推出業(yè)界首款單芯片雙通道可調(diào)光LED照明驅(qū)動(dòng)芯片
發(fā)表于：2011/5/24 11:13:09
IR 推出采用新型 WideLead 封裝的車用 MOSFET 系列，可減少 50% 引線電阻，同時(shí)提高 30% 電流
發(fā)表于：2011/5/24 10:42:35
IR推出采用新型WideLead TO-262封裝的車用MOSFET系列
發(fā)表于：2011/5/24 0:00:00
汽車電子功率MOSFET解決方案
發(fā)表于：2011/5/17 0:00:00
TI TPS24720 2.5V-18V熱插拔控制方案
發(fā)表于：2011/5/13 0:00:00
Diodes全新DFN3020封裝MOSFET節(jié)省七成空間
發(fā)表于：2011/5/12 12:41:37
高壓MOSFET選擇技巧
發(fā)表于：2011/5/11 0:00:00
Vishay Siliconix 推出工作頻率超過1MHz的高效集成DrMOS解決方案
發(fā)表于：2011/5/10 12:31:55
IR 推出優(yōu)化版車用 DirectFET®2 功率 MOSFET 芯片組，適合高功率密度和高效率 DC-DC 應(yīng)用
發(fā)表于：2011/5/3 13:33:54
功率器件供應(yīng)緊張問題到今年下半年有望改善
發(fā)表于：2011/4/26 0:00:00
走向環(huán)保：提高反向轉(zhuǎn)換器效率
發(fā)表于：2011/4/20 0:00:00
飛兆半導(dǎo)體引入碳化硅技術(shù)擴(kuò)展產(chǎn)品創(chuàng)新
發(fā)表于：2011/4/19 12:45:47
泰科電子MHP技術(shù)在鋰電池電路保護(hù)中的應(yīng)用
發(fā)表于：2011/4/12 0:00:00
Vishay的多款產(chǎn)品入選Design News的Golden Mousetrap最佳產(chǎn)品的最終評(píng)選名單
發(fā)表于：2011/4/11 12:52:54
IR推出新系列車用 MOSFET，提供堅(jiān)固、緊湊的系統(tǒng)解決方案
發(fā)表于：2011/4/11 12:49:32
無 RSENSE 的 60V 升壓型控制器在 -40°C 至 150°C 的節(jié)溫范圍內(nèi)工作
發(fā)表于：2011/4/8 10:43:07

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