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功耗与速度的矛盾
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Vishay Siliconix的双芯片P沟道器件刷新业内最低导通电阻纪录
發(fā)表于：2011/3/2 上午9:35:34
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LED恒流驱动器件MOSFET选择
發(fā)表于：2011/3/1 上午12:00:00
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飞兆半导体同步整流控制器兼容反激式和正激拓扑，兼具多种工作模式
發(fā)表于：2011/2/22 下午1:20:12
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IR为节能计算和消费应用推出可扩展的简单易用多功能SupIRBuck系列
發(fā)表于：2011/2/22 下午1:16:12
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100V 高速同步 N 沟道 MOSFET 驱动器在 -40°C 至 150°C 的温度范围内工作
發(fā)表于：2011/2/18 上午11:16:23
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英飞凌面向硬开关和软开关应用的新一代650V超结器件
發(fā)表于：2011/2/16 上午12:00:00
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IR 推出新型DirectFETplus功率MOSFET系列，可将DC-DC开关应用效率提升2%
發(fā)表于：2011/2/15 下午3:06:01
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Diodes推出线性恒流驱动器为LED应用提供全方位控制
發(fā)表于：2011/2/14 下午6:06:05
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Maxim推出业内尺寸最小的2A同步整流、降压调节器
發(fā)表于：2011/2/14 下午5:37:40
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英飞凌推出集成快速体二极管的650V MOSFET，第35亿颗高压MOSFET顺利下线，全面致力于提升能效
發(fā)表于：2011/2/14 下午3:38:24
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在升压变换器中利用新型MOSFET减少开关损耗
發(fā)表于：2011/2/14 上午12:00:00
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功率因数校正器(PFC)在电源应用中的重要作用
發(fā)表于：2011/2/10 上午12:00:00
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Maxim推出1V至16V热插拔控制器
發(fā)表于：2011/2/1 上午12:00:00
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Vishay Siliconix的TrenchFET®功率MOSFET具有业内P沟道器件的最低导通电阻
發(fā)表于：2011/1/26 下午7:05:41
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飞兆半导体UniFET™ II MOSFET优化消费产品功率转换器
發(fā)表于：2011/1/26 下午6:50:42
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详解MOSFET的驱动技术及应用
發(fā)表于：2011/1/17 上午12:00:00
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Maxim推出尺寸最小的4A开关调节器
發(fā)表于：2011/1/14 上午11:41:25
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功率MOSFET的开关损耗的研究
發(fā)表于：2011/1/14 上午12:00:00
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用于嵌入式功率系统的先进100V MOSFET器件
發(fā)表于：2011/1/14 上午12:00:00
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60V 同步降压型 DC/DC 控制器规格温度高达 150°C
發(fā)表于：2011/1/12 下午1:00:22
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快速二极管MOSFET在三相逆变器拓扑中的应用
發(fā)表于：2011/1/8 上午12:00:00
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飞兆半导体获颁《电子技术应用》杂志优秀电子产品奖
發(fā)表于：2011/1/7 下午5:06:30
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估算热插拔MOSFET的瞬态温升——第1部分
發(fā)表于：2011/1/7 上午12:00:00
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基于MOSFET控制的PWM型直流可调电源的研制
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基于UCC27321高速MOSFET驱动芯片的功能与应用
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二极管泄漏电流以及MOSFET的亚阈区电流的测量
發(fā)表于：2011/1/1 上午12:00:00
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采用开关器件提高PFC效率
發(fā)表于：2010/12/30 上午12:00:00
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μP控制的Si9731型电池充电器的原理及应用
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MOSFET的雪崩能量与器件的热性能和工作状态相关性能
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