由于超結技術非常適用于高壓功率MOSFET，因此，建立在超結概念基礎上的高壓功率MOSFET技術吸引了人們的廣泛關注。提高開關速度同時降低導通電阻是個理想狀態(tài)，Vishay認為，超結結構可以有效地應用于較低電壓，這將催生新一代功率MOSFET開關，此類開關可實現低至60V的擊穿電壓，因而實現了更低的能耗和開關損耗。

　　云計算的興起，高能耗成為高密度服務器發(fā)展的一個瓶頸，因此全球數據中心的電力消耗已經成為一個重要的問題。針對電源拓撲結構進行優(yōu)化，從而提升電源效率，應該是個行之有效的解決之策。

　　由于柵極電荷以及輸出電容中存儲能量減少，開關效率得以提高，并推動輸出電容損耗減小?；诖耍琔niFET II MOSFET的新型功率MOSFET，專門針對諧振轉換器進行了優(yōu)化，能夠為諧振轉換器提供更高的可靠性和更高的效率。Fairchild最新推出的功率MOSFET產品系列UniFETTM II，結合了更快速穩(wěn)健的內部體二極管性能和快速開關，旨在使諧振轉換器等應用獲得更高的可靠性和更高的效率。

　　Linear認為，一個分布式電源系統(tǒng)和用于負載點（POL）供電的降壓型DC/DC轉換器，通過邁向多元化的多相拓撲結構，設計人員就能夠有效地節(jié)省空間、簡化布局、降低電容器紋波電流、改善可靠性并減少被作為熱量而白白浪費掉的功率。

　　由于LED照明要求擁有更高的效率與更長的使用壽命，更高效率的供電電源就需要具有至少與LED相同的使用壽命。為此，美國國家半導體給我們帶來了一款解決方案，能夠使LED效率達到90%并擁有超長的使用壽命。

       以恒流源來驅動LED是一個理想狀態(tài)，安森美半導體通過在每串LED底部增加一個感測電阻，僅使用一個控制環(huán)路的設計方案，為我們帶來了經濟可行的自動檢測LED串開路，并作相應調整的方法?！　‰S著業(yè)界對功率器件性能的挖掘，為電源及系統(tǒng)效率的提升拓展了空間。但國內眾多電源管理方案供應商，由于對功率器件技術的缺乏、綜合優(yōu)化設計能力的不足，直接導致了自己與中高端電源方案商無緣。

　　如不改之，必將繼續(xù)無緣。