由于超結(jié)技術(shù)非常適用于高壓功率MOSFET，因此，建立在超結(jié)概念基礎(chǔ)上的高壓功率MOSFET技術(shù)吸引了人們的廣泛關(guān)注。提高開(kāi)關(guān)速度同時(shí)降低導(dǎo)通電阻是個(gè)理想狀態(tài)，Vishay認(rèn)為，超結(jié)結(jié)構(gòu)可以有效地應(yīng)用于較低電壓，這將催生新一代功率MOSFET開(kāi)關(guān)，此類(lèi)開(kāi)關(guān)可實(shí)現(xiàn)低至60V的擊穿電壓，因而實(shí)現(xiàn)了更低的能耗和開(kāi)關(guān)損耗。

　　云計(jì)算的興起，高能耗成為高密度服務(wù)器發(fā)展的一個(gè)瓶頸，因此全球數(shù)據(jù)中心的電力消耗已經(jīng)成為一個(gè)重要的問(wèn)題。針對(duì)電源拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)進(jìn)行優(yōu)化，從而提升電源效率，應(yīng)該是個(gè)行之有效的解決之策。

　　由于柵極電荷以及輸出電容中存儲(chǔ)能量減少，開(kāi)關(guān)效率得以提高，并推動(dòng)輸出電容損耗減小?；诖?，UniFET II MOSFET的新型功率MOSFET，專(zhuān)門(mén)針對(duì)諧振轉(zhuǎn)換器進(jìn)行了優(yōu)化，能夠?yàn)橹C振轉(zhuǎn)換器提供更高的可靠性和更高的效率。Fairchild最新推出的功率MOSFET產(chǎn)品系列UniFETTM II，結(jié)合了更快速穩(wěn)健的內(nèi)部體二極管性能和快速開(kāi)關(guān)，旨在使諧振轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用獲得更高的可靠性和更高的效率。

　　Linear認(rèn)為，一個(gè)分布式電源系統(tǒng)和用于負(fù)載點(diǎn)（POL）供電的降壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器，通過(guò)邁向多元化的多相拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，設(shè)計(jì)人員就能夠有效地節(jié)省空間、簡(jiǎn)化布局、降低電容器紋波電流、改善可靠性并減少被作為熱量而白白浪費(fèi)掉的功率。

　　由于LED照明要求擁有更高的效率與更長(zhǎng)的使用壽命，更高效率的供電電源就需要具有至少與LED相同的使用壽命。為此，美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體給我們帶來(lái)了一款解決方案，能夠使LED效率達(dá)到90%并擁有超長(zhǎng)的使用壽命。

       以恒流源來(lái)驅(qū)動(dòng)LED是一個(gè)理想狀態(tài)，安森美半導(dǎo)體通過(guò)在每串LED底部增加一個(gè)感測(cè)電阻，僅使用一個(gè)控制環(huán)路的設(shè)計(jì)方案，為我們帶來(lái)了經(jīng)濟(jì)可行的自動(dòng)檢測(cè)LED串開(kāi)路，并作相應(yīng)調(diào)整的方法?！　‰S著業(yè)界對(duì)功率器件性能的挖掘，為電源及系統(tǒng)效率的提升拓展了空間。但國(guó)內(nèi)眾多電源管理方案供應(yīng)商，由于對(duì)功率器件技術(shù)的缺乏、綜合優(yōu)化設(shè)計(jì)能力的不足，直接導(dǎo)致了自己與中高端電源方案商無(wú)緣。

　　如不改之，必將繼續(xù)無(wú)緣。