《電子技術(shù)應(yīng)用》
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功耗與速度的矛盾

2011-03-03
關(guān)鍵詞: 功耗 高壓功率 MOSFET 云計算
</a>功耗" title="功耗">功耗" title="功耗">功耗與速度始終是一個矛盾體:要速度快,功耗就得增大;功耗要變小,那么速度就得降下來。提高IC集成度或許可破解這一矛盾體,但隨著IC集成度越來越高,降低電源電壓的難度也在增加,而功率器件性能的提升及改進(jìn),正在成為提升電源效率的有效途徑。

  由于超結(jié)技術(shù)非常適用于高壓功率MOSFET,因此,建立在超結(jié)概念基礎(chǔ)上的高壓功率MOSFET技術(shù)吸引了人們的廣泛關(guān)注。提高開關(guān)速度同時降低導(dǎo)通電阻是個理想狀態(tài),Vishay認(rèn)為,超結(jié)結(jié)構(gòu)可以有效地應(yīng)用于較低電壓,這將催生新一代功率MOSFET開關(guān),此類開關(guān)可實現(xiàn)低至60V的擊穿電壓,因而實現(xiàn)了更低的能耗和開關(guān)損耗。

  云計算的興起,高能耗成為高密度服務(wù)器發(fā)展的一個瓶頸,因此全球數(shù)據(jù)中心的電力消耗已經(jīng)成為一個重要的問題。針對電源拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)進(jìn)行優(yōu)化,從而提升電源效率,應(yīng)該是個行之有效的解決之策。

  由于柵極電荷以及輸出電容中存儲能量減少,開關(guān)效率得以提高,并推動輸出電容損耗減小?;诖耍琔niFET II MOSFET的新型功率MOSFET,專門針對諧振轉(zhuǎn)換器進(jìn)行了優(yōu)化,能夠為諧振轉(zhuǎn)換器提供更高的可靠性和更高的效率。Fairchild最新推出的功率MOSFET產(chǎn)品系列UniFETTM II,結(jié)合了更快速穩(wěn)健的內(nèi)部體二極管性能和快速開關(guān),旨在使諧振轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用獲得更高的可靠性和更高的效率。

  Linear認(rèn)為,一個分布式電源系統(tǒng)和用于負(fù)載點(POL)供電的降壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器,通過邁向多元化的多相拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),設(shè)計人員就能夠有效地節(jié)省空間、簡化布局、降低電容器紋波電流、改善可靠性并減少被作為熱量而白白浪費掉的功率。

  由于LED照明要求擁有更高的效率與更長的使用壽命,更高效率的供電電源就需要具有至少與LED相同的使用壽命。為此,美國國家半導(dǎo)體給我們帶來了一款解決方案,能夠使LED效率達(dá)到90%并擁有超長的使用壽命。

       以恒流源來驅(qū)動LED是一個理想狀態(tài),安森美半導(dǎo)體通過在每串LED底部增加一個感測電阻,僅使用一個控制環(huán)路的設(shè)計方案,為我們帶來了經(jīng)濟(jì)可行的自動檢測LED串開路,并作相應(yīng)調(diào)整的方法?! ‰S著業(yè)界對功率器件性能的挖掘,為電源及系統(tǒng)效率的提升拓展了空間。但國內(nèi)眾多電源管理方案供應(yīng)商,由于對功率器件技術(shù)的缺乏、綜合優(yōu)化設(shè)計能力的不足,直接導(dǎo)致了自己與中高端電源方案商無緣。

  如不改之,必將繼續(xù)無緣。

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