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PMOS開關(guān)管的選擇與電路圖
發(fā)表于：2011/8/28 0:00:00
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Power Integrations推出針對T8 燈管的小尺寸25 W LED照明
發(fā)表于：2011/8/25 12:33:32
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短溝道MOSFET散粒噪聲測試方法研究
發(fā)表于：2011/8/24 16:45:05
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高電壓輸入的降壓DC-DC變換器設(shè)計
發(fā)表于：2011/8/24 0:00:00
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安森美半導(dǎo)體推出帶開關(guān)控制器的電流鏡及SENSEFET®功率MOSFET
發(fā)表于：2011/8/19 11:26:11
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Vishay Siliconix的新款8V P溝道TrenchFET®功率MOSFET創(chuàng)業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻紀錄
發(fā)表于：2011/8/17 15:41:22
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提供低損耗大功率的MOSFET
發(fā)表于：2011/8/14 0:00:00
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根據(jù)應(yīng)用恰當(dāng)選擇MOSFET的技巧
發(fā)表于：2011/8/14 0:00:00
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MOSFET的選型及應(yīng)用概覽
發(fā)表于：2011/8/13 0:00:00
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Vishay將于8月23日和25日在成都和西安兩地分別舉辦中國西部電源研討會
發(fā)表于：2011/8/12 10:40:53
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求解每個熱源功率損耗的新方法
發(fā)表于：2011/8/11 0:00:00
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高可靠交流-直流LED照明驅(qū)動方案
發(fā)表于：2011/8/9 0:00:00
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非傳統(tǒng)MOSFET方案提高功率CMOS器件功效的方法
發(fā)表于：2011/8/5 0:00:00
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德州儀器最新 50 mA、60 V 同步降壓轉(zhuǎn)換器可簡化工業(yè)電源設(shè)計
發(fā)表于：2011/8/4 15:20:59
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1A、低噪聲、同步降壓-升壓型 DC/DC 轉(zhuǎn)換器可延長鋰離子和堿性電池供電設(shè)備的電池運行時間
發(fā)表于：2011/8/4 13:11:40
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功率器件更加智能，高能效功率電子技術(shù)新進展
發(fā)表于：2011/8/3 0:00:00
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德州儀器 PowerStack 封裝技術(shù)投入量產(chǎn)
發(fā)表于：2011/8/2 9:05:48
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高能效功率電子技術(shù)領(lǐng)域的新進展
發(fā)表于：2011/7/27 17:13:38
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IR 推出微電子繼電器設(shè)計師手冊以簡化選型和電路設(shè)計
發(fā)表于：2011/7/26 12:44:05
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完全自保護MOSFET功率器件分析
發(fā)表于：2011/7/25 0:00:00
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奧地利微電子推出用于側(cè)光式和直下式LCD電視的第三代LED驅(qū)動器
發(fā)表于：2011/7/20 13:31:10
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IR為低功率應(yīng)用推出雙PQFN2x2 和雙PQFN3.3x3.3功率MOSFETs擴展了PQFN封裝系列
發(fā)表于：2011/7/20 13:16:20
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寬輸入電壓范圍降壓型 DC/DC 控制器具 -55°C 至 150°C 的工作節(jié)溫范圍
發(fā)表于：2011/7/14 11:31:10
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利用PowerTrench MOSFET應(yīng)對更高功率密度的新挑戰(zhàn)
發(fā)表于：2011/7/14 0:00:00
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IR推出堅固的新系列40V至75V車用MOSFET，可為重載應(yīng)用提供低導(dǎo)通電阻
發(fā)表于：2011/7/11 15:23:04
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關(guān)于IGBT導(dǎo)通延遲時間的精確測量方法
發(fā)表于：2011/7/11 0:00:00
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理解功率MOSFET的開關(guān)損耗
發(fā)表于：2011/7/11 0:00:00
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一種反激變換器的RCD吸收回路設(shè)計與實現(xiàn)
發(fā)表于：2011/6/27 0:00:00
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Diodes 全新 MOSFET 組合可減少直流電機損耗
發(fā)表于：2011/6/23 12:37:13
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同步降壓功率級中MOSFET電阻比的正確選擇
發(fā)表于：2011/6/22 0:00:00
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