mosfet 相關(guān)文章(564篇)

eGaN FET比拼MOSFET，驅(qū)動(dòng)器和布局
發(fā)表于：9/7/2011 12:00:00 AM
PMOS開關(guān)管的選擇與電路圖
發(fā)表于：8/28/2011 12:00:00 AM
Power Integrations推出針對(duì)T8 燈管的小尺寸25 W LED照明
發(fā)表于：8/25/2011 12:33:32 PM
短溝道MOSFET散粒噪聲測(cè)試方法研究
發(fā)表于：8/24/2011 4:45:05 PM
高電壓輸入的降壓DC-DC變換器設(shè)計(jì)
發(fā)表于：8/24/2011 12:00:00 AM
安森美半導(dǎo)體推出帶開關(guān)控制器的電流鏡及SENSEFET®功率MOSFET
發(fā)表于：8/19/2011 11:26:11 AM
Vishay Siliconix的新款8V P溝道TrenchFET®功率MOSFET創(chuàng)業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻紀(jì)錄
發(fā)表于：8/17/2011 3:41:22 PM
提供低損耗大功率的MOSFET
發(fā)表于：8/14/2011 12:00:00 AM
根據(jù)應(yīng)用恰當(dāng)選擇MOSFET的技巧
發(fā)表于：8/14/2011 12:00:00 AM
MOSFET的選型及應(yīng)用概覽
發(fā)表于：8/13/2011 12:00:00 AM
Vishay將于8月23日和25日在成都和西安兩地分別舉辦中國(guó)西部電源研討會(huì)
發(fā)表于：8/12/2011 10:40:53 AM
求解每個(gè)熱源功率損耗的新方法
發(fā)表于：8/11/2011 12:00:00 AM
高可靠交流-直流LED照明驅(qū)動(dòng)方案
發(fā)表于：8/9/2011 12:00:00 AM
非傳統(tǒng)MOSFET方案提高功率CMOS器件功效的方法
發(fā)表于：8/5/2011 12:00:00 AM
德州儀器最新 50 mA、60 V 同步降壓轉(zhuǎn)換器可簡(jiǎn)化工業(yè)電源設(shè)計(jì)
發(fā)表于：8/4/2011 3:20:59 PM
1A、低噪聲、同步降壓-升壓型 DC/DC 轉(zhuǎn)換器可延長(zhǎng)鋰離子和堿性電池供電設(shè)備的電池運(yùn)行時(shí)間
發(fā)表于：8/4/2011 1:11:40 PM
功率器件更加智能，高能效功率電子技術(shù)新進(jìn)展
發(fā)表于：8/3/2011 12:00:00 AM
德州儀器 PowerStack 封裝技術(shù)投入量產(chǎn)
發(fā)表于：8/2/2011 9:05:48 AM
高能效功率電子技術(shù)領(lǐng)域的新進(jìn)展
發(fā)表于：7/27/2011 5:13:38 PM
IR 推出微電子繼電器設(shè)計(jì)師手冊(cè)以簡(jiǎn)化選型和電路設(shè)計(jì)
發(fā)表于：7/26/2011 12:44:05 PM
完全自保護(hù)MOSFET功率器件分析
發(fā)表于：7/25/2011 12:00:00 AM
奧地利微電子推出用于側(cè)光式和直下式LCD電視的第三代LED驅(qū)動(dòng)器
發(fā)表于：7/20/2011 1:31:10 PM
IR為低功率應(yīng)用推出雙PQFN2x2 和雙PQFN3.3x3.3功率MOSFETs擴(kuò)展了PQFN封裝系列
發(fā)表于：7/20/2011 1:16:20 PM
寬輸入電壓范圍降壓型 DC/DC 控制器具 -55°C 至 150°C 的工作節(jié)溫范圍
發(fā)表于：7/14/2011 11:31:10 AM
利用PowerTrench MOSFET應(yīng)對(duì)更高功率密度的新挑戰(zhàn)
發(fā)表于：7/14/2011 12:00:00 AM
IR推出堅(jiān)固的新系列40V至75V車用MOSFET，可為重載應(yīng)用提供低導(dǎo)通電阻
發(fā)表于：7/11/2011 3:23:04 PM
關(guān)于IGBT導(dǎo)通延遲時(shí)間的精確測(cè)量方法
發(fā)表于：7/11/2011 12:00:00 AM
理解功率MOSFET的開關(guān)損耗
發(fā)表于：7/11/2011 12:00:00 AM
一種反激變換器的RCD吸收回路設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
發(fā)表于：6/27/2011 12:00:00 AM
Diodes 全新 MOSFET 組合可減少直流電機(jī)損耗
發(fā)表于：6/23/2011 12:37:13 PM

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